一种氮化物发光二极管制造技术

本发明专利技术公开了一种氮化物发光二极管，包括衬底，以及依次位于衬底上的缓冲层、N型氮化物层、多量子阱发光层、电子阻挡层和P型氮化物层，其特征在于：所述N型氮化物层与多量子阱发光层之间设置有n型碳原子调变层，所述n型碳原子调变层包括位于N型氮化物层上的第一调变层、第二调变层，且第一调变层的碳原子含量大于第二调变层的碳原子含量。透过此层n型碳原子调变层可降低电子迁移率，可有效的改善电子空穴于多量子阱发光层的分布不均,也可降低电子溢流现象。

【技术实现步骤摘要】
一种氮化物发光二极管
本专利技术涉及半导体光电器件领域，尤其涉及一种可降低电子溢流的氮化物发光二极管。
技术介绍
氮化物发光二极管是将电流转化成光的半导体器件，其传统结构包括：衬底、N型氮化物层、多量子阱发光层、电子阻挡层和P型氮化物层，N型氮化物层用于提供电子，P型氮化物层用于提供空穴。但当注入电流后，由于电子迁移率(Mobility)较空穴快，因此会导致电子空穴对于量子阱时分布不均，导致发光效率降低。因此，如何降低电子的迁移速率，使电子与空穴在量子阱中分布均匀，进而增加有效复合辐射效率，是急需解决的技术问题。
技术实现思路
为了解决上述问题，本专利技术提出一种氮化物发光二极管，包括衬底，以及依次位于衬底上的缓冲层、N型氮化物层、多量子阱发光层、电子阻挡层和P型氮化物层，其特征在于：所述N型氮化物层与多量子阱发光层之间设置有n型碳原子调变层，所述n型碳原子调变层包括依次位于N型氮化物层上的第一调变层和第二调变层，且第一调变层的碳原子含量大于第二调变层的碳原子含量。优选的，所述n型碳原子调变层中碳原子含量为1×1017~1×1018Atoms/cm3。优选的，所述n型碳原子调变层中n型杂本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氮化物发光二极管，包括衬底，以及依次位于衬底上的缓冲层、N型氮化物层、多量子阱发光层、电子阻挡层和P型氮化物层，其特征在于：所述N型氮化物层与多量子阱发光层之间设置有n型碳原子调变层，所述n型碳原子调变层包括依次位于N型氮化物层上的第一调变层和第二调变层，且第一调变层的碳原子含量大于第二调变层的碳原子含量。

【技术特征摘要】
1.一种氮化物发光二极管，包括衬底，以及依次位于衬底上的缓冲层、N型氮化物层、多量子阱发光层、电子阻挡层和P型氮化物层，其特征在于：所述N型氮化物层与多量子阱发光层之间设置有n型碳原子调变层，所述n型碳原子调变层包括依次位于N型氮化物层上的第一调变层和第二调变层，且第一调变层的碳原子含量大于第二调变层的碳原子含量。2.根据权利要求1所述的一种氮化物发光二极管，其特征在于：所述n型碳原子调变层中碳原子含量为1×1017~1×1018Atoms/cm3。3.根据权利要求1所述的一种氮化物发光二极管，其特征在于：所述n型碳原子调变层中n型杂质含量＞碳原子含量。4.根据权利要求1所述的一种氮化物发光二极管，其特征在于：所述第一调变层为氮化物单层结构或者氮化物多层结构，其中，n型杂质含量＞碳原子含量。5.根据权利要求1所述的一种...

【专利技术属性】
技术研发人员：蓝永凌，林兓兓，蔡吉明，
申请(专利权)人：安徽三安光电有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34