一种紫外光发光二极管用衬底及其制作方法技术

一种紫外光发光二极管用衬底，是以下列步骤制造：提供一蓝宝石衬底；于该蓝宝石衬底的表面设置一AlNxOy膜，其中，x为介于0.7至1之间的数，y为介于0.02～0.3之间的数，该AlNxOy膜的厚度介于15nm至2000nm之间；将设置有该AlNxOy膜的蓝宝石衬底置于一气氛中进行退火处理，其中退火的温度介于1500℃至1900℃之间；于退火后的AlNxOy膜上设置一外延层，该外延层中的氧原子含量小于等于10％原子百分比(atom％)，该外延层是由氮化铝(AlN)及氮化镓铝(AlGaN)群组中所选出，且该外延层的厚度介于20至5000nm之间。从而，提供一种低缺陷密度的紫外光发光二极管用衬底，以达到良好的发光效率。

【技术实现步骤摘要】
一种紫外光发光二极管用衬底及其制作方法
本专利技术与紫外光发光二极管有关；特别是指一种紫外光发光二极管用衬底及其制作方法。
技术介绍
目前蓝光LED照明已逐渐进入红海市场，其销售价格与毛利日趋微薄，甚至有部分的制造厂商已出现了负毛利的情况，因此，各厂商、企业纷纷积极寻找其他可开拓的高毛利蓝海市场，其中，UVLED的市场正处于成长期，俨然是值得开发的蓝海市场。一般业界常见的UVLED衬底有两种，一种是使用块材氮化铝衬底，另一种是氮化铝于蓝宝石或碳化硅上外延的(AlNtemplates)。其中，块材氮化铝衬底的晶体缺陷密度较AlNtemplates低，且晶体缺陷密度的越低，其发光效率越高，因此，氮化铝衬底相较于AlNtemplates而言，发光效率较高且寿命长，但受限于AlN晶体成长技术难度高，衬底产能低且价格高，不易推广。因此，许多研究都在设法改善AlNtemplates的晶体缺陷密度，以提高UVLED效能。因此，目前市面上所见的技术对于AlN晶体缺陷密度的降低有限，而有亟欲改进的地方。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种紫外光发光二极管用衬底及其制作方法，可有效降低外延本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种紫外光发光二极管用衬底，其特征在于，其包括有：一蓝宝石衬底，具有一表面；一AlNxOy膜，设置于该蓝宝石衬底的该表面上，其中，x为介于0.7至1之间的数，y为介于0.02～0.3之间的数，该AlNxOy膜的厚度介于15nm至2000nm之间；以及一外延层，设置于该AlNxOy膜上，该外延层中的氧原子含量小于等于10％原子百分比(atom％)，该外延层由氮化铝(AlN)及氮化镓铝(AlGaN)群组中所选出，且该外延层的厚度介于20至5000nm之间。

【技术特征摘要】
1.一种紫外光发光二极管用衬底，其特征在于，其包括有：一蓝宝石衬底，具有一表面；一AlNxOy膜，设置于该蓝宝石衬底的该表面上，其中，x为介于0.7至1之间的数，y为介于0.02～0.3之间的数，该AlNxOy膜的厚度介于15nm至2000nm之间；以及一外延层，设置于该AlNxOy膜上，该外延层中的氧原子含量小于等于10％原子百分比(atom％)，该外延层由氮化铝(AlN)及氮化镓铝(AlGaN)群组中所选出，且该外延层的厚度介于20至5000nm之间。2.如权利要求1所述的紫外光发光二极管用衬底，其特征在于，其中该AlNxOy膜的厚度介于15nm至600nm之间。3.如权利要求1所述的紫外光发光二极管用衬底，其特征在于，其中外延层的穿透差排密度为1×108/cm3以下。4.如权利要求1所述的紫外光发光二极管用衬底，其特征在于，其中该蓝宝石衬底的该表面形成有一微纳米结构，该AlNxOy膜覆盖该微纳米结构。5.如权利要求4所述的紫外光发光二极管用衬底，其特征在于，其中该微纳米结构包含有多个结构，各该结构的底部的最小宽度介于100至5000nm之间。6.如权利要求5所述的紫外光发光二极管用衬底，其特征在于，其中各该结构的高度或深度与其底部的最小宽度的比值大于等于0.2。7.一种紫外光发光二极管用衬底的制造方法，其特征在于，包括有以下步骤：A、提供一蓝宝石衬底，该蓝宝石衬底具有一表面；B、于该蓝宝石衬底的该表面设置一AlNxOy膜，其中，x为介于0.7至1之间的数，y为介于0.02～0.3之间的数，该AlNxOy膜的厚度是介于15nm至2000nm之间；C、将设置有该AlNxOy膜的蓝宝石衬底置于一气氛中进行退火处理，其中退火的温度介于1500℃至1900℃之间；以及D、于退火后的AlNxOy膜上设置一外延层，该外延层中的氧原子含量小于等于10％原子百分比(atom％)，该外延层由氮化铝(AlN)及氮化镓铝(AlGaN)群组中所选出，...

【专利技术属性】
技术研发人员：张延瑜，李瑞评，郭浩中，黄嘉彦，
申请(专利权)人：兆远科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71