一种紫外光发光二极管模块，包含一紫外光发光二极管芯片与一导光元件，导光元件呈锥状且具有相平行的一第一端面与一第二端面，第一端面的面积小于第二端面的面积，第一端面连接该出光面。导光元件的制造方法，包含下列步骤：于一基板的第一面选定一区域，...

一种复合衬底及其制造方法，其制造方法包括有：提供一基材，该基材具有一基材表面，且于该基材表面具有多个孔洞；提供一填补层，该填补层包括有多个填补材料，该些填补材料分别填补于该些孔洞当中，从而制成该复合衬底。通过上述设计，可有效填平基材上的...

一种多晶氮化铝基板的抛光方法，包含下列步骤：将多晶氮化铝基板置于一抛光装置进行抛光作业，其中抛光装置所使用的抛光液的pH值介于7～9.5之间，且抛光液中包括重量百分比介于15～30％的研磨剂；在抛光作业完成后，将多晶氮化铝基板自该抛光装...

一种紫外光发光二极管的基板，包括具有一图案化结构的基材与一图案化缓冲层；该基板的制造方法，包括：提供一基材，在该基材表面上设置一缓冲层，并使该缓冲层形成一图案化缓冲层，且该基材的表面形成一图案化结构，然后移除该图案化屏蔽层；一种紫外光发...

一种弹性波组件，包含有一复合基板、一正电极结构与一负电极结构，其中复合基板由一硅基板与一压电基板接合而成，正电极结构与负电极结构设置于该压电基板上，其中，该硅基板具有一表面与该压电基板接合，该表面的片电阻为10000ohm/square...

一种复合基板的接合方法，包含有下列步骤：将第一基板与第二基板置于一接合装置的机体中；于机体中对第一基板的第一接合面与第二基板的第二接合面清洁；将第一、第二基板传送至转换腔室中，于该转换腔室中将第二基板翻面；将第一基板及翻面后的第二基板传...

一种紫外光发光二极管用衬底，是以下列步骤制造：提供一蓝宝石衬底；于该蓝宝石衬底的表面设置一AlNxOy膜，其中，x为介于0.7至1之间的数，y为介于0.02～0.3之间的数，该AlNxOy膜的厚度介于15nm至2000nm之间；将设置有...

本发明提供了一种抛光液供给系统，包括一储存槽、一第一管路、一第一阀、一pH传感器与一控制器，其中，所述储存槽用以容置一抛光液。所述储存槽透过输出管路及回流管路连通至一芯片研抛装置，且所述储存槽透过所述第一管路连通一pH调整液供应源。所述...

本发明公开了一种半导体晶圆表面加工方法，适用于一放电加工设备，该放电加工设备包括一放电电极以及一盛有放电加工液的容器；该晶圆表面加工方法包括以下步骤：浸置该放电电极与该晶圆于该盛有放电加工液的容器当中，并驱使该放电电极与该晶圆相互靠近；...

本发明提供了一种蓝宝石基板以及应用该蓝宝石基板的镜头和显示器。该蓝宝石基板的透光率大于90％，该蓝宝石基板具有相背对的二表面，其中至少一表面形成有多个凸丘，而具有该些凸丘的表面的表面粗糙度小于100nm，相邻两凸丘的顶部的间距介于150...

一种钻取装置及高硬度材质的曲面基板的制造方法，钻取装置用于对一高硬度材质的待加工物进行加工，包括一钻取基座及一切削齿部，其中该钻取基座具有一切削端及一装配端，该切削齿部设置于该钻取基座的切削端。本发明于实施时，可透过将该钻取基座的装配端...

本发明是一种抛光修整器，包含一基座与一蓝宝石研磨垫，其中该蓝宝石研磨垫包含一根部及一研磨层，该根部固设于该基座上，该研磨层包括有多个突起部与多个凹部，其中各该突起部与各该凹部的至少之一者的表面形成有表面粗糙度介于0.1～5微米之间的微结...

本发明提供一种曲面基板的制造方法及其成型装置，制造方法包括以下步骤：首先，提供莫氏硬度为8以上的一高硬度基材；接着，将所述高硬度基材定位于相互配合的一第一模体与一第二模体之间；然后，以所述第一模体及所述第二模体对所述高硬度基材进行合模；...

本发明公开了一种蓝宝石晶片加工方法及其加工工艺中的中间物，其中该加工方法包含将一晶棒切割成多片晶圆；对所切割后的晶圆施以温度介于1200～2300℃之间的高温抛光作业；以及对经过高温抛光作业后的晶圆的至少其中一表面施以化学机械抛光作业。...

一种智能型表，包含一表体、一蓝宝石表盖、一显示模块、一处理单元、一操控单元与一无线通信模块，该表体具有一容置空间与一上开口，该表盖结合于该表体且封闭该上开口，该表盖上表面的至少一部分呈曲面。该显示模块设置于该表盖的下方且位于该容置空间中...

本发明公开了一种图案化基板及发光二极管结构，该图案化基板包括一基板及多个突出体。多个突出体是位于基板上，突出体具有一顶面及一底部，每两个相邻突出体的两底部之间最短的距离为0至0.2微米。当每两个相邻突出体的两底部之间最短的距离为0时，每...