抛光液供给系统技术方案

本发明专利技术提供了一种抛光液供给系统，包括一储存槽、一第一管路、一第一阀、一pH传感器与一控制器，其中，所述储存槽用以容置一抛光液。所述储存槽透过输出管路及回流管路连通至一芯片研抛装置，且所述储存槽透过所述第一管路连通一pH调整液供应源。所述第一阀设置于所述第一管路上。所述pH传感器设置于所述储存槽内部，所述控制器依据该pH传感器所感测的pH值控制所述第一阀，使该储存槽内抛光液的pH值维持在一预定pH值范围。由此，有效控制芯片研抛装置在研抛芯片时的研抛效率并维持加工质量。

Polishing liquid supply system

The invention provides a polishing liquid supply system, which comprises a storage tank, a first pipeline, a first valve, a pH sensor and a controller, wherein the storage tank is used for holding a polishing liquid. The storage tank is connected to a chip polishing device through the output pipeline and the reflux pipeline, and the storage tank is connected with a pH adjusting liquid supply source through the first pipeline. The first valve is set on the first pipe road. The pH sensor is arranged in the storage tank, and the controller controls the first valve according to the pH value sensed by the pH sensor, so that the pH value of the polishing liquid in the storage tank is maintained at a predetermined pH value range. In this way, the polishing efficiency of the chip lapping device is effectively controlled and the processing quality is maintained.

【技术实现步骤摘要】
抛光液供给系统
本专利技术属于化学机械抛光领域，涉及一种抛光液供给系统。
技术介绍
将半导体组件制作芯片的过程中，在进行外延之前，为了确保芯片表面的平整度或是减少芯片的厚度，都会进行研抛工艺。目前常用的研抛方式为化学机械抛光(CMP)，芯片在研抛时，必须加入抛光液进行研抛，抛光液中具有磨料、蚀刻液等成分，以加快研抛的速度。对于硅芯片而言，化学机械抛光已是相当成熟的技术，然而，对于化学惰性材质的芯片而言，利用目前市售的抛光液进行研抛时，其研抛效率不佳。以碳化硅芯片为例，碳化硅芯片可用于高压组件、高功率组件、太阳能电池等领域，碳化硅芯片在进行研抛时，需耗费较长的时间，使得研抛工艺的成本增加，使得以碳化硅芯片制成的组件成本居高不下。基于此，亟待提出一种抛光液供给系统，能有效控制芯片研抛效率，并维持研抛的加工质量。
技术实现思路
(一)要解决的技术问题本专利技术提供了一种抛光液供给系统，以至少部分解决以上所提出的技术问题。(二)技术方案根据本专利技术的一个方面，提供了一种抛光液供给系统，包括：一储存槽、一输出管路、一回流管路、一第一管路、一第一阀、一pH传感器以及一控制器；其中，该储存槽用以容置一抛光液；该输出管路连通储存槽内部与一芯片研抛装置，用以输送该抛光液到该芯片研抛装置；该回流管路连通该储存槽内部与该芯片研抛装置，用以接收该芯片研抛装置回流的抛光液；该第一管路连通该储存槽内部与一pH调整液供应源，用以输送该pH调整液供应源的pH调整液；该第一阀设置于该第一管路上，受控制而开通或阻断该第一管路；该pH传感器设置于该储存槽内部，用以感测该储存槽内抛光液的pH值；该控制器电性连接该第一阀与该pH传感器，依据该pH传感器所感测的pH值控制该第一阀，使该储存槽内抛光液的pH值维持在一预定pH值范围。在本专利技术的一个实施例中，抛光液包括有氧化剂及酸性化学液。在本专利技术的一个实施例中，预定pH值范围介于pH2～pH5之间。在本专利技术的一个实施例中，抛光液供给系统还包括：一第二管路、一第二阀以及一氧化还原电位传感器；其中，该第二管路连通该储存槽内部与一氧化剂供应源，用以输送该氧化剂供应源的氧化剂；该第二阀设置于该第二管路上，受控制而开通或阻断该第二管路，使该氧化剂供应源的氧化剂送至该储存槽或阻断氧化剂注入该储存槽；该氧化还原电位传感器设置于该储存槽内部，用以感测该储存槽内抛光液的氧化还原电位；该控制器还电性连接该第二阀与该氧化还原电位传感器，依据该氧化还原电位传感器所感测的氧化还原电位控制该第二阀，使该储存槽内抛光液的氧化还原电位维持在一预定电位以上。在本专利技术的一个实施例中，抛光液供给系统还包括：一第三管路，一第三阀以及一液位侦测器；其中，该第三管路连通该储存槽内部与一水源，该第三管路上设置有该第三阀，受控制而开通或阻断该第三管路，使该水源的水输送至该储存槽或阻断水注入该储存槽；该液位侦测器设置于该储存槽内部，用以感测该储存槽内的液位；该控制器还电性连接该第三阀和该液位侦测器，依据该液位侦测器所侦测的液位控制该第三阀开通或阻断该第三管路，使该储存槽内抛光液的液位维持于一预定液位以上。在本专利技术的一个实施例中，抛光液供给系统还包括：一热交换管以及一温控器；其中，该热交换管连接至该温控器，以控制该储存槽中抛光液的温度维持于预定温度，避免抛光液S温度过高。在本专利技术的一个实施例中，抛光液供给系统还包括：一光谱仪，该光谱仪包括：一光侦测器、一光源以及一主机；其中，该光侦测器设置于该储存槽内部，侦测该储存槽内抛光液的吸光率；该光源的光线透过光纤传输至该储存槽内且照射于该储存槽内部的抛光液；该主机根据该光侦测器侦测到的吸光率范围进行指示，在所侦测的吸光率达到一预定吸光率时，发出一提示讯号，该提示讯号可传送至扬声器或显示器，以声音或影像的形式提示更换新的抛光液。在本专利技术的一个实施例中，输出管路上设置有一抽取泵，该抽取泵用以抽取储存槽中的抛光液，以输送至芯片研抛装置。在本专利技术的一个实施例中，回流管路上设置有一过滤件，该过滤件过滤回收抛光液中的杂质。在本专利技术的一个实施例中，抛光液的氧化还原电位为500mV以上。(三)有益效果从上述技术方案可以看出，本专利技术抛光液供给系统具有以下有益效果：通过控制抛光液的pH值在预定pH值范围、以及控制抛光液的氧化还原电位或提供氧化还原电位在500mV以上的抛光液，可以有效控制芯片研抛装置在研抛芯片时的研抛效率并维持研抛的加工质量。附图说明图1为根据本专利技术一较佳实施例抛光液的氧化电位、pH值与加工次数的关系图。图2为图1所示实施例中第一次至第四次加工研抛的芯片表面的照片，照片中的1st，2nd，3rd，4th分别代表所示照片为第一次、第二次、第三次和第四次加工研抛的芯片表面的照片。图3为本专利技术较佳实施例的抛光液供给系统。【附图主要元件符号说明】100-抛光液供给系统；10-储存槽；12-输出管路；122-抽取泵；14-回流管路；142-过滤件；16-第一管路；162-第一阀；18-第二管路；182-第二阀；20-第三管路；202-第三阀；22-控制器；24-pH传感器；26-氧化还原电位传感器；28-液位侦测器；30-热交换管；32-温控器；34-pH调整液供应源；36-氧化剂供应；38-水源；40-光谱仪；402-光侦测器；404-光源；406-主机；200-芯片研抛装置；S-抛光液。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本专利技术进一步详细说明。图1为根据专利技术一较佳实施例抛光液的氧化电位、pH值与加工次数的关系图，请参照图1所示，本实施例中，该芯片研抛装置采用化学机械抛光的方式研抛芯片，所研抛的芯片以碳化硅芯片为例。为了增进研抛效率，本实施例中抛光液中添加有强氧化剂及酸性化学剂，抛光液(原液)的氧化电位为1148mV，pH值为2.4，每次加工研抛的过程中，抛光液循环回收再利用。由图1可知，随着加工的次数增加，抛光液的氧化电位逐次降低，而pH值逐次升高，上述现象是由于抛光液与芯片反应或因研抛产生的热量所造成。图2为图1所示实施例中第一次至第四次加工研抛的芯片表面的照片。请结合图1和图2来看，从中可知，随着加工次数的增加，芯片表面上的凹坑(pits)缺陷的数量亦随之增加。可见，抛光液的氧化还原电位与pH值将影响芯片研抛的加工质量。基于上述原理，本实施例提供了一种抛光液供给系统100，使抛光液S的pH值及氧化还原电位能够稳定在一定的范围，上述抛光液供应给芯片研抛装置200。图3为本专利技术较佳实施例的抛光液供给系统，参照图3所示，该抛光液供给系统100包括：一储存槽10、一输出管路12、一回流管路14、一第一管路16、一第二管路18、一第三管路20与一控制器22。下面对本实施例抛光液供给系统的各部分进行详细介绍。本实施例中，该储存槽10用以容置抛光液S，其中该抛光液S包括有氧化剂及酸性化学液，该抛光液S的氧化还原电位为500mV以上；本实施例中氧化剂采用KMnO4，但不以此为限，亦可采用H2O2、NaOCl、Fe(NO3)3、MnO2等氧化剂。该储存槽10中设置有一pH传感器24、一氧化还原电位传感器26与一液位侦测器28，其中，该pH传感器24用以感测该储存槽10内抛光液本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种抛光液供给系统，包括：一储存槽、一输出管路、一回流管路、一第一管路、一第一阀、一pH传感器以及一控制器；其中，所述储存槽用以容置一抛光液；所述输出管路连通所述储存槽内部与一芯片研抛装置，用以输送所述抛光液到所述芯片研抛装置；所述回流管路连通所述储存槽内部与所述芯片研抛装置，用以接收所述芯片研抛装置回流的抛光液；所述第一管路连通所述储存槽内部与一pH调整液供应源，用以输送所述pH调整液供应源的pH调整液；所述第一阀设置于所述第一管路上，受控制而开通或阻断所述第一管路；所述pH传感器设置于所述储存槽内部，用以感测所述储存槽内抛光液的pH值；所述控制器电性连接所述第一阀与所述pH传感器，依据所述pH传感器所感测的pH值控制所述第一阀，使所述储存槽内抛光液的pH值维持在一预定pH值范围。

【技术特征摘要】
2016.08.02 TW 1051244331.一种抛光液供给系统，包括：一储存槽、一输出管路、一回流管路、一第一管路、一第一阀、一pH传感器以及一控制器；其中，所述储存槽用以容置一抛光液；所述输出管路连通所述储存槽内部与一芯片研抛装置，用以输送所述抛光液到所述芯片研抛装置；所述回流管路连通所述储存槽内部与所述芯片研抛装置，用以接收所述芯片研抛装置回流的抛光液；所述第一管路连通所述储存槽内部与一pH调整液供应源，用以输送所述pH调整液供应源的pH调整液；所述第一阀设置于所述第一管路上，受控制而开通或阻断所述第一管路；所述pH传感器设置于所述储存槽内部，用以感测所述储存槽内抛光液的pH值；所述控制器电性连接所述第一阀与所述pH传感器，依据所述pH传感器所感测的pH值控制所述第一阀，使所述储存槽内抛光液的pH值维持在一预定pH值范围。2.根据权利要求1所述的抛光液供给系统，其中，所述抛光液包括有氧化剂及酸性化学液。3.根据权利要求1所述的抛光液供给系统，其中，所述预定pH值范围介于pH2～pH5之间。4.根据权利要求1所述的抛光液供给系统，还包括：一第二管路、一第二阀以及一氧化还原电位传感器；其中，所述第二管路连通所述储存槽内部与一氧化剂供应源，用以输送所述氧化剂供应源的氧化剂；所述第二阀设置于所述第二管路上，受控制而开通或阻断该第二管路，使所述氧化剂供应源的氧化剂送至所述储存槽或阻断氧化剂注入所述储存槽；所述氧化还原电位传感器设置于所述储存槽内部，用以感测所述储存槽内抛光液的氧化还原电位；所述控制器还电性连接所述第二阀与所述氧化还原电位传感器，依据所述氧化还原电位传感器所感测的氧化还原电位控制所述第二阀，使所述储存槽...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪士哲，张延瑜，李瑞评，
申请(专利权)人：兆远科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71