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本发明提供一种发光二极管结构。发光二极管结构包括基板、N型半导体层、发光层以及P型半导体层。N型半导体层配置于基板上。发光层适于发出主要发光波长介于365奈米至490奈米之间的光且配置于N型半导体层上。P型半导体层配置于发光层上，且包括P型...
该专利属于新世纪光电股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过新世纪光电股份有限公司授权不得商用。

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