用于实现多芯片倒装芯片封装的衬底、组件和技术制造技术

在本文中公开了用于实现多芯片倒装芯片封装的衬底、组件和技术。例如，在一些实施例中，一种封装衬底可以包括：第一侧面；第二侧面，其中，所述第二侧面沿着轴线与所述第一侧面相对；从所述第一侧面延伸到所述第二侧面的绝缘材料的一部分；其中，垂直于所述轴线截取的绝缘材料的所述部分的横截面具有阶梯剖面。焊料焊盘可以被设置在绝缘材料的所述部分的基部和台阶表面处。一个或多个管芯可以耦合到所述封装衬底(例如，以形成多芯片倒装芯片封装)，并且在一些实施例中，附加IC封装可以耦合到所述封装衬底。在一些实施例中，所述封装衬底可以是互易对称的或近似互易对称的。

Substrates, components and technologies for implementing multichip flip chip packaging

In this article, substrates, components and technologies for realizing multichip flip chip packaging are disclosed. For example, in some embodiments, a package substrate may include a first side and a second side, wherein the second sides are opposed to the first side along the axis, and a part of the insulating material extending from the first side to the second sides; in which the insulating material intercepted by the axis is vertical. The cross section of the part has a staircase section. Solder pads can be disposed at the base and step surfaces of the parts of the insulating material. One or more cores can be coupled to the package substrate (for example, to form a multichip flip chip package), and in some embodiments, additional IC packages can be coupled to the package substrate. In some embodiments, the packaging substrate can be reciprocal symmetric or nearly reciprocal symmetric.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于实现多芯片倒装芯片封装的衬底、组件和技术
本公开一般地涉及集成电路的领域，并且更具体地，涉及用于实现多芯片倒装(flip)芯片封装的衬底、组件和技术。
技术介绍
为了增加特定占用空间(footprint)的集成电路(IC)封装中的管芯(die)的密度，管芯可以被堆叠在彼此之上并且引线接合在一起。管芯可以经由附加引线接合耦合到底层平坦衬底，并且该衬底可以被焊接或者以其他方式连接到其他器件。附图说明通过结合附图的以下详细描述将容易理解实施例。为了方便本描述，相同的附图标记标明相同的结构元件。在附图的图中，实施例作为示例而不作为限制被图示。图1是依照各种实施例的具有阶梯剖面的封装衬底的立体图。图2是依照各种实施例的图1的封装衬底的横截面侧视图。图3是依照各种实施例的具有阶梯剖面和金属层的封装衬底的横截面侧视图。图4是依照各种实施例的包括模具材料和具有阶梯剖面的封装衬底的IC组件的横截面侧视图。图5是依照各种实施例的包括引线接合到具有阶梯剖面的封装衬底的管芯的IC组件的横截面侧视图。图6是依照各种实施例的包括具有阶梯剖面的两个封装衬底的IC组件的横截面侧视图。图7至图12图示了依照各种实本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种封装衬底，其包括：第一侧面；第二侧面，其中，所述第二侧面沿着轴线与所述第一侧面相对；从所述第一侧面延伸到所述第二侧面的绝缘材料的一部分，其中，垂直于所述轴线截取的绝缘材料的所述部分的横截面具有阶梯剖面；设置在绝缘材料的所述部分的基部表面处的焊料焊盘；以及设置在绝缘材料的所述部分的台阶表面处的焊料焊盘。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种封装衬底，其包括：第一侧面；第二侧面，其中，所述第二侧面沿着轴线与所述第一侧面相对；从所述第一侧面延伸到所述第二侧面的绝缘材料的一部分，其中，垂直于所述轴线截取的绝缘材料的所述部分的横截面具有阶梯剖面；设置在绝缘材料的所述部分的基部表面处的焊料焊盘；以及设置在绝缘材料的所述部分的台阶表面处的焊料焊盘。2.根据权利要求1所述的封装衬底，其中，导电通路在所述相应的焊料焊盘与金属层之间延伸。3.根据权利要求2所述的封装衬底，其中，所述导电通路包括柱形物、电镀通孔或过孔。4.根据权利要求1所述的封装衬底，其中，所述轴线是第一轴线，绝缘材料的所述部分被设置在所述封装衬底的第三侧面处，绝缘材料的所述部分的基部表面延伸到所述封装衬底的第四侧面，并且所述第四侧面沿着垂直于所述第一轴线的第二轴线与所述第三侧面相对。5.根据权利要求1所述的封装衬底，其中，绝缘材料的所述部分具有基部表面、顶部台阶表面和多个中间台阶表面，并且其中，所述多个中间台阶表面的深度是相等的。6.根据权利要求1至5中的任一项所述的封装衬底，其中，没有金属层被设置在绝缘材料的所述部分的顶部台阶表面与包括绝缘材料的所述部分的基部表面的平面之间。7.根据权利要求6所述的封装衬底，其中，所述基部表面包括金属层。8.根据权利要求1至5中的任一项所述的封装衬底，其中，所述封装衬底具有互易对称性。9.一种集成电路(IC)组件，其包括：衬底，所述衬底包括：所述衬底的第一侧面，所述衬底的第二侧面，其中，所述第二侧面沿着轴线与所述第一侧面相对，从所述第一侧面延伸到所述第二侧面的绝缘材料的一部分，其中，垂直于所述轴线截取的绝缘材料的所述部分的横截面具有阶梯剖面并且至少包括基部表面和台阶表面；第一管芯，所述第一管芯通过设置在所述第一管芯与所述基部表面之间的导电通路电耦合到所述基部表面；以及第二管芯，所述第二管芯通过设置在所述第二管芯与所述台阶表面之间的导电通路电耦合到所述台阶表面。10.根据权利要求9所述的IC组件，其中，所述第二管芯在所述第一管芯上方延伸，使得所述第一管芯被至少部分地设置在所述第二管芯与所述基部表面之间。11.根据权利要求10所述的IC组件，其中，所述台阶表面是第一台阶表面，绝缘材料的所述部分包括第二台阶表面，并且所述IC组件包括第三管芯，所述第三管芯通过设置在所述第三管芯与所述第二台阶表面之间的导电通路电耦合到所述第二台阶表面。12.根据权利要求11所述的IC组件，其中，所述第三管芯在所述第二管芯上方延伸，使得所述第二管芯被至少部分地设置在所述第三管芯与所述第一台阶表面之间。13.根据权利要求9所述的IC组件，进一步包括：第三管芯，所述第三管芯经由引线接合电耦合到所述衬底并且被定位为使得所述第二管芯被设置在所述第三管芯与所述衬底之间。14.根据权利要求13所述的IC组件，其中，所述第三管芯经由引线接合电耦合到所述衬底的顶部台阶表面。15.根据权利要求13所述的IC组件，其中，所述IC组件进一步包括第四管芯，所述第四管芯经由引线接合电耦合到所述第三管芯，并且被定位为使得所述第三管芯被设置在所述第四管芯与所述衬底之间。16.根据权利要求9所述的IC组件，其中：所述衬底是第一衬底；所述IC组件进一步包括电耦合到所述第一衬底的第二衬底，其中，所述第二衬底包括：所述第二衬底的第一侧面，所述第二衬底的第二侧面，其中，所述第二衬底的所述第二侧面沿着所述轴线与所述第二衬底的所述第一侧面相对，从所述第二衬底的所述第一侧面延伸到所述第二衬底的所述第二侧面的绝缘材料的第二部分，其中，垂直于所述轴线截取的绝缘材料的所述第二部分的横截面具有阶梯剖面并且至少包括第二基部表面和第二台阶表面；第三管芯，所述第三管芯通过设置在所述第三管芯与所述第二基部表面之间的导电通路电耦合到所述第二基部表面；以及第四管芯，所述第四管芯通过设置在所述第四管芯与所述第二台阶表面之间的导电通路电耦合到所述第二台阶表面。17.根据权利要求16所述的IC组件，其中，所述第二衬底电耦合到所述第一衬底的顶部台阶表面。18.根据权利要求9至12中的任一项所述的IC组件，其中，将所述第一管芯耦合...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭茂，TC洛伊滕，MTT赖，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：美国,US