蚀刻液组合物以及蚀刻方法技术

技术编号:17961206 阅读:123 留言:0更新日期:2018-05-16 06:03
本发明专利技术的目的在于,提供一种蚀刻液组合物以及包括使用该蚀刻液的步骤的蚀刻方法,所述蚀刻液组合物能够对具有包含钛系层以及铜系层的层叠体的被蚀刻材料的钛系层以及铜系层一并进行蚀刻,即使连续使用,也能得到所期望的剖面形状的细线。为了达成上述目的,本发明专利技术提供一种蚀刻液组合物以及包括使用该蚀刻液组合物的步骤的蚀刻方法,所述蚀刻液组合物包含:(A)过氧化氢0.1~15质量%;(B)氟化物离子供给源0.01~1质量%;(C)以有机磺酸换算计,由下述通式(I)表示的有机磺酸化合物或其盐0.1~20质量%;(D)由唑系化合物以及结构中具有含有一个以上的氮原子且具有三个双键的六元杂环的化合物中选择的至少一种化合物0.01~5质量%以及(E)水。

Etchant composition and etching method

The purpose of the present invention is to provide an etching solution composition and an etching method including the steps of using the etchant, the etching composition capable of etching the titanium and copper layer with the etched material containing the titanium and copper layers, and even if continuous use can be obtained. A desired profile of a profile. To achieve the above purpose, the present invention provides an etching solution composition and an etching method including the steps of using the etchant composition comprising: (A) mass% of hydrogen peroxide 0.1 to 15; (B) fluoride ions supply source 0.01 to 1 mass%; (C) by the organic sulfonic acid conversion meter, the general formula (I) table is used. The organic sulfonic acid compound or its salt 0.1 to 20 mass%; (D) at least one compound of 0.01 to 5 mass% and (E) water selected by the azole compound and the compound containing more than one nitrogen atom with three double bonds in the six membered heterocyclic ring with three double bonds.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】蚀刻液组合物以及蚀刻方法
本专利技术涉及一种用于对位于基体上并包含至少一种钛系层以及至少一种铜系层的层叠体的钛系层和铜系层一并进行蚀刻的蚀刻液组合物、以及使用该蚀刻液组合物的蚀刻方法。
技术介绍
已知:对于以平板显示器等为代表的显示设备的布线材料而言,为了满足显示器的大型化以及高分辨率化之类的要求,而采用由铜构成的布线、以铜为主要成分的布线,并用地使用以钛、氮化钛等为代表的钛系金属来作为阻隔膜(barrierfilms)。已知涉及铜和钛系的多层覆膜的湿蚀刻的各种技术。例如,在专利文献1中,公开了一种蚀刻液,其包含过硫酸铵、有机酸、铵盐、含氟化合物、二醇系化合物以及唑系化合物,并能够对含钛以及铜的双层膜进行蚀刻。此外,在专利文献2中,公开了一种蚀刻液,其包含氟离子供给源、过氧化氢、硫酸盐、磷酸盐、唑系化合物以及溶剂。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特表2013-522901号公报专利文献2:日本特开2008-288575号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的问题对于用于布线等的细线的剖面形状,优选为细线下部的宽度比细线上部的宽度大的剖面形状。已知在为这样的剖面形状的情况下,难以发生细本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种蚀刻液组合物,其用于对位于基体上并包含至少一种钛系层以及至少一种铜系层的层叠体的钛系层和铜系层一并进行蚀刻,所述蚀刻液组合物包含:(A)过氧化氢0.1~15质量%;(B)氟化物离子供给源0.01~1质量%;(C)以有机磺酸换算计,由下述通式(I)表示的有机磺酸或其盐0.1~20质量%;(D)由唑系化合物以及结构中具有含有一个以上的氮原子且具有三个双键的六元杂环的化合物中选择的至少一种化合物0.01~5质量%;以及(E)水,

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.08.26 JP 2015-1669641.一种蚀刻液组合物,其用于对位于基体上并包含至少一种钛系层以及至少一种铜系层的层叠体的钛系层和铜系层一并进行蚀刻,所述蚀刻液组合物包含:(A)过氧化氢0.1~15质量%;(B)氟化物离子供给源0.01~1质量%;(C)以有机磺酸换算计,由下述通式(I)表示的有机磺酸或其盐0.1~20质量%;(D)由唑系化合物以及结构中具有含有一个以上的氮原子且具有三个双键的六元杂环的化合物中选择的至少一种化合物0.01~5质量%;以及(E)水,式中,R表示碳原子数1~4的烷基、碳原子数1~4的羟基烷基、碳原子数6~10的芳基、碳原子数6~10的羟基芳基。2.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物,其中,...

【专利技术属性】
技术研发人员:石崎隼郎大宫大辅
申请(专利权)人:株式会社ADEKA
类型:发明
国别省市:日本,JP

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