一种免曝光显影的刻蚀遮蔽层的制备方法及制备系统技术方案

本发明专利技术提供一种免曝光显影的刻蚀遮蔽层的制备方法，用于在半导体工艺中制备刻蚀遮蔽层，其中，所述制备方法是在一待刻蚀层上静电喷射掩蔽材料以形成所述刻蚀遮蔽层。本发明专利技术所述的免曝光显影的刻蚀遮蔽层的制备方法及制备系统，利用高压静电喷涂技术在待刻蚀层上直接形成刻蚀遮蔽层，从而免去刻蚀工艺中的光刻步骤，既简化制程，又避免了刻蚀掩蔽材料的浪费。

Preparation and preparation system of an exposure screen for exposure free development

The invention provides a method for preparing an exposing and developing etching and shielding layer, which is used for preparing the etching and shielding layer in the semiconductor technology, wherein the preparation method is to spray the masking material on an etched layer to form the etching and shielding layer. The free exposure developing mask etching preparation method and system layer, using high-voltage electrostatic spraying technology formed directly etching shielding layer in the etching layer, thereby eliminating the lithography step etching process, which simplifies the process, but also avoid the masking material waste etching.

【技术实现步骤摘要】
一种免曝光显影的刻蚀遮蔽层的制备方法及制备系统
本专利技术涉及半导体工艺领域，特别涉及一种免曝光显影的刻蚀遮蔽层的制备方法及制备系统。
技术介绍
在半导体制造工艺、微电子IC制造工艺及微纳制造工艺中，光刻法是制备电路图案的核心制程，主要包括光阻涂布、曝光、显影、烘烤等步骤，存在流程复杂，效率较低，浪费材料等缺点。请参见图1，图1是刻蚀工艺的主要流程：(1)光刻步骤：在待刻蚀层10'上涂敷刻蚀掩蔽材料20'，利用掩模30'对所述掩蔽材料20'进行选择性曝光以形成具有图形化的刻蚀掩蔽层21'；(2)腐蚀步骤：利用所述刻蚀掩蔽层21'对所述待刻蚀层10'进行腐蚀步骤，使得所述刻蚀掩蔽层21'的图形被转印到所述待刻蚀层10'；最后，去除所述刻蚀掩蔽层21'以完成一次刻蚀工艺。然而，在半导体制程中通常需要进行多次刻蚀工艺，这导致了传统刻蚀工艺存在以下几点问题：(1)流程复杂耗时长：由于每一次刻蚀工艺均需要依次序进行掩蔽材料涂布、曝光、显影以获得刻蚀掩蔽层，使得整体制程过于复杂冗长；(2)资源浪费：由于大部分的刻蚀掩蔽材料20'均在光刻步骤中被去除而仅有少部分被留下形成刻蚀掩蔽层21'，使得掩蔽本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种免曝光显影的刻蚀遮蔽层的制备方法，用于在刻蚀工艺中制备刻蚀遮蔽层，其特征在于，所述制备方法是在一待刻蚀层上静电喷射掩蔽材料以形成所述刻蚀遮蔽层。

【技术特征摘要】
1.一种免曝光显影的刻蚀遮蔽层的制备方法，用于在刻蚀工艺中制备刻蚀遮蔽层，其特征在于，所述制备方法是在一待刻蚀层上静电喷射掩蔽材料以形成所述刻蚀遮蔽层。2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，利用一高压静电喷涂装置在所述待刻蚀层上静电喷射所述掩蔽材料，以形成所述刻蚀遮蔽层。3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在喷射所述掩蔽材料之前，在所述待刻蚀层上先形成一增黏层。4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述高压静电喷涂装置与一控制单元导电连接，所述控制单元储存一预设的图形并控制所述高压静电喷涂装置根据所述预设的图形在所述待刻蚀层上静电喷射掩蔽材料以形成所述刻蚀遮蔽层。5.一种免曝光显影的刻蚀遮蔽层的制备系统，用于在刻蚀工艺中制备刻蚀遮蔽层，其特征在于，所述制备系统包括一控制单元和一高压静电喷涂装置；其中，所述控制单元与所述高压静电喷涂装置导电连接，用于控制...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹易彪，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44