用于制造钛钨层中的特定终端角的方法技术

在描述的示例中，一种形成钛钨层中的终端角的方法包括提供钛钨层(702)以及将光致抗蚀刻材料施加到钛钨层(704)。光致抗蚀刻材料在散焦条件下经暴露生成抗蚀刻掩膜(706)。暴露的光致抗蚀刻材料的边缘对应于倾斜终端。使用蚀刻材料蚀刻钛钨层。蚀刻材料至少部分地蚀刻在散焦条件下被暴露的光致抗蚀刻材料。蚀刻导致钛钨层中的倾斜终端(708)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于制造钛钨层中的特定终端角的方法
技术介绍
集成电路中的一些组件具有由若干层制造的组件，这些若干层包括钼(Mo)、钛钨(TiW)和氮化铝(AlN)。一个这种器件是体声波(BAW)器件，其具有由钼、钛钨和氮化铝的层制造的堆叠。氮化铝形成声学谐振器，其中钼层用作声学谐振器上的电触点或电极。钛钨层和氧化物形成在声学谐振器的每个侧面上以形成布拉格镜。
技术实现思路
在描述的示例中，一种形成钛钨层中的终端角(terminationangle)的方法包括提供钛钨层以及将光刻胶/光致抗蚀刻(photoresist)材料施加到钛钨层。光致抗蚀刻材料在散焦(defocus)条件下经暴露生成抗蚀刻掩膜(resistmask)。暴露的光致抗蚀刻材料的边缘对应于倾斜终端。使用蚀刻材料蚀刻钛钨层。蚀刻材料至少部分地蚀刻在散焦条件下被暴露的光致抗蚀刻材料。蚀刻导致钛钨层中的倾斜终端。附图说明图1是基于氮化铝压电的体声波器件的侧向剖视图。图2是图1的钼终端的扩展视图。图3是图1的另一个钼终端的扩展视图。图4是处于制造工艺中的器件的侧视图。图5是在应用光刻步骤并且去除光致抗蚀刻层的残余部分之后的图4的器件的侧视图。图6是蚀本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种形成半导体中的钛钨层中的终端角的方法，所述方法包括：提供钛钨层；将光致抗蚀刻材料施加到所述钛钨层；在散焦条件下暴露所述光致抗蚀刻材料，以生成具有边缘部分的抗蚀刻掩膜；以及至少在所述抗蚀刻掩膜的所述边缘部分处蚀刻所述钛钨层，以产生所述钛钨层的倾斜终端。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.04.30 US 14/700,9371.一种形成半导体中的钛钨层中的终端角的方法，所述方法包括：提供钛钨层；将光致抗蚀刻材料施加到所述钛钨层；在散焦条件下暴露所述光致抗蚀刻材料，以生成具有边缘部分的抗蚀刻掩膜；以及至少在所述抗蚀刻掩膜的所述边缘部分处蚀刻所述钛钨层，以产生所述钛钨层的倾斜终端。2.根据权利要求1所述的方法，其中提供钛钨层包括在氧化物层上形成钛钨层。3.根据权利要求1所述的方法，进一步包括在所述钛钨层上形成氧化物层，其中所述氧化物层覆盖所述终端角。4.根据权利要求1所述的方法，其中所述终端角小于三十二度。5.根据权利要求1所述的方法，其中所述终端角在二十八度和三十二度之间。6.根据权利要求1所述的方法，其中所述蚀刻包括使所述钛钨层和所述光致抗蚀刻材料暴露于包括三氯化硼和六氟化硫的气体。7.根据权利要求6所述的方法，其中三氯化硼和六氟化硫的比率在1.25:1和1.80:1之间。8.根据权利要求1所述的方法，其中三氯化硼和六氟化硫的比率近似1.60:1。9.根据权利要求1所述的方法，其中所述散焦在+/-15um和+/-25um之间。10.根据权利要求1所述的方法，其中所述散焦近似+17um或近似-17um。11.根据权利要求1所述的方法，其中所述蚀刻包括施加在150瓦特和200瓦特之间的低变换耦合等离子。12.根据权利要求1所述的方法，其中所述蚀刻包括施加在近似175瓦特的低变换耦合等离子。13.根据权利要求1所述的方法，其中所述蚀刻包括施加-125峰值伏特和-185峰值伏特...

【专利技术属性】
技术研发人员：N·江，M·布莱希科，N·S·德拉斯，B·E·古德林，
申请(专利权)人：德克萨斯仪器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国,US