蚀刻液制造技术

本发明专利技术提供一种蚀刻液，包括：10至30重量％的磷酸，2至20重量％的硝酸，6至18重量％的氢氟酸，5至10重量％的盐酸，和水，其中所述的重量百分比基于所述蚀刻液的重量。所述蚀刻液可用于减薄量产过程中的基板，其在基板薄化之后对附着在基板表面的沉淀杂质进行溶解，有效去除基板表面杂质，提高产品合格率和良率，同时对基板厚度的控制提供了有效保证。

【技术实现步骤摘要】
蚀刻液
本专利技术涉及平板显示器的基板薄化及蚀刻，特别是涉及用于平板显示器的基板薄化过程中的蚀刻液。
技术介绍
平板显示器包括等液晶显示器(LCD)、触摸屏(TP)、离子体显示器(PDP)及有机电致发光器(OLED)。液晶显示装置由于提供基于卓越的分辨率的鲜明的影像、耗电少、可较薄地制作显示画面的特性，在平板显示装置中最受到关注。液晶显示装置使用于包括手机、笔记本型PC的移动用设备及电视。在平板显示器的制备工艺过程中，需要使用玻璃基板。由于玻璃基板生产工艺的限制，生产出的玻璃基板较厚。为了进一步减轻显示器件的重量，生产厂家越来越多的采用将玻璃基板进行减薄的方法，随之玻璃基板的蚀刻成为重要的问题。通常使用的减薄方法有两种，一种是物理方法，即使用抛光粉进行抛光研磨，这种方法减薄时间长，精度不好控制，产品良率低；另一种方法为使用蚀刻液的化学蚀刻法，这种方法减薄时间短，设备投入小，产品良率高，且减薄液的成分简单成本低，逐渐成为了玻璃基板减薄的主流技术方法。现有技术的蚀刻液对基板的蚀刻速率较快，蚀刻量不容易控制，不能很好的对基板厚度进行控制，有的无法有效溶解硅酸盐，有的会产生较强的电离作用，生成过多的氢氟酸，会导致蚀刻速率不易控制，有时蚀刻液会产生大量气泡，降低蚀刻速率。因此，需要提供一种蚀刻液及蚀刻玻璃基板的方法，其在基板薄化之后对附着在基板表面的沉淀杂质进行溶解，能有效去除基板表面杂质，可以提高产品合格率和良率，同时可以对基板厚度的控制提供有效保证。
技术实现思路
本专利技术的一个目的是提供蚀刻液及蚀刻玻璃基板的方法，其可以通过对基板表面的杂质进行溶解和蚀刻，达到去除基板表面杂质的技术效果，从而有效解决基板由于颗粒状附着而降低良率的问题。因此，在一个方面，本专利技术提供一种蚀刻液，所述蚀刻液包括：10至30重量％的磷酸，2至20重量％的硝酸，6至18重量％的氢氟酸，5至10重量％的盐酸，和水，其中所述的重量百分比基于所述蚀刻液的重量。在另一个方面，本专利技术提供一种用于蚀刻玻璃基板的方法，所述方法包括：使上面所述的蚀刻液与玻璃基板接触。具体实施方式本专利技术提供的蚀刻液可以包括10至30重量％的磷酸，2至20重量％的硝酸，6至18重量％的氢氟酸，5至10重量％的盐酸，和水，其中所述的重量百分比基于所述蚀刻液的重量。通过使用磷酸，可以利用磷酸的三步电离效应保持F离子活性；通过使用硝酸，提供硝酸根离子使硅酸盐保持溶解状态；通过使用氢氟酸，提供F离子使酸溶液整体具有减薄效果；并且通过使用盐酸，配合以上述的硝酸，使酸液含有王水性质，可以溶解硅酸盐。在一个优选的实施方案中，所述蚀刻液可以包括阴离子表面活性剂。在一个更优选的实施方案中，所述阴离子表面活性剂可以是选自由十二烷基硫酸钠、十二烷基苯磺酸钠和二辛基琥珀酸磺酸钠中的至少一种阴离子表面活性剂。在一个再更优选的实施方案中，所述阴离子表面活性剂可以是选自十二烷基苯磺酸钠和十二烷基硫酸钠中的至少一种。在一个更优选的实施方案中，所述的阴离子表面活性剂可以为所述蚀刻液总质量的2至10重量％。优选地，所述的阴离子表面活性剂可以为所述蚀刻液总质量的3至8重量％。在一个优选的实施方案中，所述蚀刻液可以包括10至20重量％的硝酸。在另一个优选的实施方案中，所述的蚀刻液由以下各项组成：10至30重量％的磷酸，10至20重量％的硝酸，6至18重量％的氢氟酸，5至10重量％的盐酸，2至10重量％的阴离子表面活性剂，和余量的水，其中所述的重量百分比基于所述蚀刻液的重量。氢氟酸含量超过18重量％时，基板的蚀刻速率较快，蚀刻量不容易控制，不能很好的对基板厚度进行控制。硝酸的含量小于2重量％时，无法有效溶解硅酸盐。磷酸浓度高于30重量％时，会产生较强的电离作用，生成过多的氢氟酸，会导致蚀刻速率不易控制。当阴离子表面活性剂的浓度小于2重量％时，其作用无法体现。当阴离子表面活性剂的浓度在大于10％时，蚀刻液会产生大量气泡，从而降低蚀刻速率。所以，阴离子表面活性剂的浓度需要在2重量％至10重量％之间，更优选地在3重量％至8重量％之间。本专利技术的蚀刻液可以用于蚀刻玻璃基板。可以使上面所述的蚀刻液与玻璃基板接触。所述接触可以为将所述玻璃基板浸渍在所述蚀刻液中，在基板尺寸≤500mm×600mm的情况下，接触时间为300秒至1500秒，并且接触温度为30℃至38℃。在基板尺寸＞500mm×600mm的情况下，接触时间为300秒至1500秒，并且接触温度为33℃至42℃。玻璃基板可以包括TFT玻璃基板，以及液晶显示(LCD)(具体包括扭曲向列型(TN)、超扭曲向列型(STN)和彩色超扭曲向列型(CSTN))、触摸屏(TP)、等离子体(PDP)及有机电致发光(OLED)显示用玻璃基板，目前应用在LCD行业中的玻璃基板均可应用与此种刻蚀液中。本专利技术提供的玻璃基板蚀刻液不是完全意义上的基板减薄用液，而是在基板厚度接近减薄目标厚度时，对基板表面处理使用的蚀刻液。能够在确保基板厚度达标的前提下，使基板的表面光泽程度达到可控的最佳效果。因此，本专利技术提供了一种蚀刻液及蚀刻玻璃基板的方法，其在基板薄化之后对附着在基板表面的沉淀杂质进行溶解，能有效去除基板表面杂质，可以提高产品合格率和良率，同时可以对基板厚度的控制提供有效保证。本专利技术提供的蚀刻液及蚀刻玻璃基板的方法，可以通过对基板表面的杂质进行溶解和蚀刻，达到去除基板表面杂质的技术效果，从而有效解决基板由于颗粒状附着而降低良率的问题。实施例：在以下实施例中，如果没有具体表明，所述的份以及比例都按重量计。玻璃基板：宽度为550mm、长度为650mm，厚度为1.0mm的液晶盒基板，购自康宁减薄目标厚度：0.60mm蚀刻温度：35±3℃蚀刻时间：600秒蚀刻过程：将玻璃基板氢氟酸溶液中减薄，在基板蚀刻厚度达到0.65mm时，将其从氢氟酸溶液中取出并且投入下列实施例或对比例的蚀刻液中。均一性评价：在玻璃基板的表面上均匀地取30个点，测量其厚度(Ti，i＝1至30)及平均值(Ta)，均一性通过如下得到的：由每个点的厚度Ti与平均值Ta，得到比值，计算该比值在减去1之后的绝对值，由10个绝对值之和除以10生乘以100，得到以百分数表示基板厚度的均一性。减薄后的最终厚度为0.60±0.02mm时，评价为达标减薄后的最终厚度大于0.62mm，评价为难以控制减薄后的最终厚度小于0.58mm时，评价为蚀刻速度快且难以控制均一性为小于或等于5％，评价为较好均一性为大于5％且小于或等于8％时，评价为一般均一性为大于8％时，评价为差实施例1：由磷酸、硝酸、氢氟酸、盐酸、十二烷基硫酸钠和水配制100重量份的本专利技术蚀刻液1，其含有：30重量份的磷酸，20重量份的硝酸，10重量份的氢氟酸，5重量份的盐酸，10重量份的十二烷基硫酸钠，和余量的水。将本专利技术蚀刻液1用于上述蚀刻过程并且评价其减薄后的最终厚度，并且评价其均一性，结果见表1。实施例2：由磷酸、硝酸、氢氟酸、盐酸、十二烷基硫酸钠和水配制100重量份的本专利技术蚀刻液2，其含有：25重量份的磷酸，15重量份的硝酸，8重量份的氢氟酸，8重量份的盐酸，8重量份的十二烷基硫酸钠，和余量的水。将本专利技术蚀刻液2用于上述蚀刻过程并且评价其减薄后的最终厚度，并且评价其均一性，结果见表本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种蚀刻液，所述蚀刻液包括：10至30重量％的磷酸，2至20重量％的硝酸，6至18重量％的氢氟酸，5至10重量％的盐酸，和水，其中所述的重量百分比基于所述蚀刻液的重量。

【技术特征摘要】
1.一种蚀刻液，所述蚀刻液包括：10至30重量％的磷酸，2至20重量％的硝酸，6至18重量％的氢氟酸，5至10重量％的盐酸，3至8重量％的阴离子表面活性剂，和水，其中所述的重量百分比基于所述蚀刻液的重量，并且所述阴离子表面活性剂是十二烷基苯磺酸钠。2.根据权利要求1所述的蚀刻液，其中所述蚀刻液包括10至20重量％的硝酸。3.根据权利要求1所述的蚀刻液，所述的蚀刻液由以下各项组成：10至30重量％的磷酸，10至20重量％的硝酸，6至18重量％的氢氟酸，5至10重量％的盐酸，3至8重量％的阴离子表面活性剂，...

【专利技术属性】
技术研发人员：谷丰，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11