非易失性存储器器件及其操作方法技术

公开了一种非易失性存储器器件的操作方法，该操作方法包括：将不同数据存储在连接到字线的第一和第二参考单元中，检查所述不同数据是否被异常存储在第一和第二参考单元中，以及当确定所述不同数据被异常存储在第一和第二参考单元中时，交换第一和第二参考单元。

Nonvolatile memory devices and their operating methods

An operation method of a nonvolatile memory device is disclosed. The operation method includes: storing different data in a first and second reference units connected to a word line, checking whether the different data is abnormally stored in the first and second reference units, and when it is determined that the different data are abnormally stored in the first. In the second reference unit, the first and second reference units are exchanged.

【技术实现步骤摘要】
非易失性存储器器件及其操作方法相关申请的交叉引用本申请要求2016年11月1日在韩国知识产权局递交的韩国专利申请No.10-2016-0144664的优先权，其全部内容合并在此作为参考。
示例性实施例涉及一种非易失性存储器器件及其操作方法，更具体地，涉及包括磁存储器元件的非易失性存储器器件及其操作方法。
技术介绍
在高速和/或低功率电子设备中，对其中包括的半导体存储器器件的高速度和低工作电压的需求正在增加。为了满足这种需求，建议将磁存储器元件作为半导体存储器元件。由于磁存储器元件具有高速操作和/或非易失性特性，所以将磁存储器元件作为下一代半导体存储器元件已成为焦点。通常，磁存储器元件可以包括磁隧道结(MTJ)。MTJ可以包括两种磁材料和介于它们之间的绝缘层。MTJ的电阻值可以随着这两种磁材料的磁化方向而变化。例如，当这两种磁材料的磁化方向彼此相反或反向平行时，MJT可以具有大的电阻值，并且当这两种磁材料的磁化方向彼此平行时MJT可以具有低电阻值。能够通过使用电阻值之间的差来写入数据或读取数据。
技术实现思路
一些示例性实施例提供具有改进的可靠性的非易失性存储器器件及其操作方法。此外，一些本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种非易失性存储器器件的操作方法，所述方法包括：执行将第一数据存储在第一参考单元中并且将与第一数据相反的第二数据存储在第二参考单元中的第一存储，所述第一参考单元连接到字线并且所述第二参考单元连接到所述字线；在执行了所述第一存储之后确定第一数据和第二数据是否被异常存储在第一参考单元和第二参考单元中；以及当确定第一数据和第二数据被异常存储在第一参考单元和第二参考单元中时，执行将第二数据存储在第一参考单元中并且将第一数据存储在第二参考单元中的第二存储。

【技术特征摘要】
2016.11.01 KR 10-2016-01446641.一种非易失性存储器器件的操作方法，所述方法包括：执行将第一数据存储在第一参考单元中并且将与第一数据相反的第二数据存储在第二参考单元中的第一存储，所述第一参考单元连接到字线并且所述第二参考单元连接到所述字线；在执行了所述第一存储之后确定第一数据和第二数据是否被异常存储在第一参考单元和第二参考单元中；以及当确定第一数据和第二数据被异常存储在第一参考单元和第二参考单元中时，执行将第二数据存储在第一参考单元中并且将第一数据存储在第二参考单元中的第二存储。2.根据权利要求1所述的方法，其中第一参考单元和第二参考单元中的每一个是磁随机存取存储器MRAM单元。3.根据权利要求2所述的方法，其中所述MRAM单元包括磁隧道结元件，所述磁隧道结元件连接到n沟道金属氧化物半导体NMOS晶体管或使得NMOS晶体管和p沟道金属氧化物半导体PMOS晶体管彼此连接的传输门。4.根据权利要求1所述的方法，其中确定第一数据和第二数据是否被异常存储在第一参考单元和第二参考单元中包括：将连接到第一参考单元的第一参考位线的电压与连接到第二参考单元的第二参考位线的电压进行比较。5.根据权利要求1所述的方法，其中，执行将第一数据存储在第一参考单元中并且将与第一数据相反的第二数据存储在第二参考单元中的第一存储包括：响应于写使能信号，将第一数据存储在第一参考单元中并且将第二数据存储在第二参考单元中。6.根据权利要求1所述的方法，还包括：将数据存储在与所述字线连接的存储器单元中；以及对所述存储器单元执行正常读操作。7.根据权利要求6所述的方法，其中执行所述正常读操作包括：将连接到第一参考单元的第一参考位线和连接到第二参考单元的第二参考位线相连；以及将所连接的第一参考位线和第二参考位线的电压与连接到所述存储器单元的位线的电压进行比较。8.一种包括存储器单元阵列的非易失性存储器器件的操作方法，所述方法包括：将不同数据存储在连接到字线的存储器单元阵列的第一参考单元和第二参考单元中；检查所述不同数据是否被异常存储在第一参考单元和第二参考单元中；以及当确定所述不同数据被异常存储在第一参考单元和第二参考单元中时，交换第一参考单元和第二参考单元。9.根据权利要求8所述的方法，其中第一参考单元和第二参考单元中的每一个是磁随机存取存储器MRAM单元。10.根据权利要求9所述的方法，其中存储不同数据包括：分别在第一参考单元中存储数据“1”和在第二参考单元中存储数据“0”，以及其中交换第一参考单元和第二参考单元包括：分别在第一参考单元中存储数据“0”和在第二参考单元中存储数据“1”。11.根据权利要求8所述的方法，还包括：对所述存储器单元阵列的存储器单元执行正常读操作，其中用于参...

【专利技术属性】
技术研发人员：表锡洙，郑铉泽，宋泰中，徐辅永，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR