一种MRAM芯片制造技术
A MRAM chip
The present invention provides an MRAM chip, which comprises an array composed of MRAM storage units. Each array uses a vertical layout of a bit line and a source line. Bits in each word are stored in different arrays, and each array stores one bit. The bit line is perpendicular to the source line. Each bit in each word is stored in a plurality of arrays. Because one array writes only one bit at a time, no high voltage or negative voltage is needed. The array design is simple and the energy consumption is reduced. The problem of insufficient power supply in the source line is solved. All bits of the same line in the array are read out. An amplifier, an array only needs a read-out amplifier, reduces the cost of MRAM chip. In the use of ECC error correction, there is no adjacent position in the same word, which reduces the probability of continuous error. It ensures that ECC can correct the error correctly and improve the reliability of the MRAM chip.
【技术实现步骤摘要】
一种MRAM芯片
本专利技术属于半导体芯片领域，具体涉及一种MRAM芯片。
技术介绍
关于MRAM：本专利技术的背景是MRAM技术的成熟。MRAM是一种新的内存和存储技术，可以像SRAM/DRAM一样快速随机读写，还可以像Flash闪存一样在断电后永久保留数据。它的经济性想当地好，单位容量占用的硅片面积比SRAM有很大的优势，比在此类芯片中经常使用的NORFlash也有优势，比嵌入式NORFlash的优势更大。它的性能也相当好，读写时延接近最好的SRAM，功耗则在各种内存和存储技术最好。而且MRAM不像DRAM以及Flash那样与标准CMOS半导体工艺不兼容。MRAM可以和逻辑电路集成到一个芯片中。MRAM的原理：MRAM的原理，是基于一个叫做磁性隧道结(MagneticTunnelJunction，MTJ)的结构。它是由两层铁磁性材料夹着一层非常薄的非铁磁绝缘材料组成的。如图：下面的一层铁磁材料是具有固定磁化方向的参考层，上面的铁磁材料是可变磁化方向的记忆层，它的磁化方向可以和固定磁化层同向或反向。由于量子物理的效应，电流可以穿过中间的隧道势垒层，但是MTJ的电...
【技术保护点】
一种MRAM芯片，包括多个由MRAM存储单元组成的阵列，其特征在于，每个阵列采用位线和源极线垂直的布局，每个字中的比特分别存储在不同的阵列中，每一个阵列存储一个比特。
【技术特征摘要】
1.一种MRAM芯片，包括多个由MRAM存储单元组成的阵列，其特征在于，每个阵列采用位线和源极线垂直的布局，每个字中的比特分别存储在不同的阵列中，每一个阵列存储一个比特。2.如权利要求1所述的MRAM芯片，其特征在于，每个阵列包括一个读出放大器，阵列中同一行的所有位线共享所述读出放大器。3.如权利要求1所述的MRAM芯片，其特征在于，阵列中相邻的两行共享一根源极线。4.如权利要求1所述的MRAM芯片，其特征在于，每个字包括ECC...
【专利技术属性】
技术研发人员：戴瑾，俞华樑，叶力，郭一民，陈峻，
申请(专利权)人：上海磁宇信息科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31
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