一种新型3D自旋转移矩MRAM存储器的制备方法及存储器技术

本发明专利技术提供了一种新型3D自旋转移矩MRAM存储器的制备方法及存储器，所述制备方法包括在垂直方向构建自旋转移矩磁隧道结(STT‑MTJ)，具体构建方法包括以下步骤：提供氧化硅薄膜和磁性薄膜相互间隔的薄膜堆叠结构；在所述薄膜堆叠结构上纵向刻蚀，形成贯穿薄膜堆叠结构的窄沟道；在所述窄沟道中填充氧化铝介电层；回刻所述氧化铝，以去除除窄沟道外其余部分的氧化铝薄膜；形成电极，具体为在薄膜堆叠结构的外面形成电极；回刻所述电极，具体为除去薄膜堆叠结构上部的电极而保留侧面的电极。所述方法将旋转移矩磁隧道结能够在垂直方向进行构件，从而可以显著提高单元存储密度，可以使3D MRAM能够替代3D NAND。

Preparation and memory of a new type of 3D spin transfer moment MRAM memory

The invention provides a novel 3D spin transfer torque MRAM memory and the preparation method of memory, the preparation method includes the construction of spin transfer torque in the direction perpendicular to the magnetic tunnel junction (STT MTJ), the specific construction method includes the following steps: providing a thin film stack structure of silicon oxide films and magnetic films separated in; the film structure for longitudinal etching, formed through the narrow channel thin film stack structure; alumina filled dielectric layer in the narrow channel; etching the alumina, to remove the remaining part of the narrow ditch outside the alumina film; forming electrode for specific electrode formed on the outside of film structures; back to the moment of the electrode, the specific electrode film structure for removing the upper part of the reserved side electrode. The method will shift rotation moment of magnetic tunnel junction can component in the vertical direction, which can significantly improve the unit storage density, can make 3D MRAM can replace 3D NAND.

【技术实现步骤摘要】
一种新型3D自旋转移矩MRAM存储器的制备方法及存储器
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种3DMRAM存储器的制备方法及存储器。
技术介绍
随着平面型闪存存储器的发展，半导体的生产工艺取得了巨大的进步。但是最近几年，平面型闪存的发展遇到了各种挑战：物理极限，现有显影技术极限以及存储电子密度极限等。在此背景下，为解决平面闪存遇到的困难以及最求更低的单位存储单元的生产成本，各种不同的三维(3D)闪存存储器结构应运而生，在非易失(nonvolatile)存储
，3DNOR(3D或非)闪存和3DNAND(3D与非)闪存是最普遍的存储器形式。同时，其他类型的非易失存储器也发展迅速，例如磁性随机存储器(MagneticRandomAccessMemory,MRAM)，相变存储器(PhasechangeRandomAccessMemory，PcRAM)，目前，在3DNAND的发展过程中，随着堆叠层数的增加，读写速度受限于沟道层的电阻率，沟道层较高的电阻率也要求更高的操作电压，这也将消耗更多的电能。MRAM通常按照如图1所示的方式进行构造，磁隧道结(MTJ)1连接在位线(bitline本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种新型3D自旋转移矩MRAM存储器的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括在垂直方向构建自旋转移矩磁隧道结(STT‑MTJ)，具体构建方法包括以下步骤：提供氧化硅薄膜和磁性薄膜相互间隔的薄膜堆叠结构；在所述薄膜堆叠结构上纵向刻蚀，形成贯穿薄膜堆叠结构的窄沟道；在所述窄沟道中填充氧化铝(AlOx)介电层；回刻所述氧化铝(AlOx)，以去除除窄沟道外其余部分的氧化铝(AlOx)薄膜；形成电极，具体为在薄膜堆叠结构的外面形成电极；回刻所述电极，具体为除去薄膜堆叠结构上部的电极而保留侧面的电极。

【技术特征摘要】
1.一种新型3D自旋转移矩MRAM存储器的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括在垂直方向构建自旋转移矩磁隧道结(STT-MTJ)，具体构建方法包括以下步骤：提供氧化硅薄膜和磁性薄膜相互间隔的薄膜堆叠结构；在所述薄膜堆叠结构上纵向刻蚀，形成贯穿薄膜堆叠结构的窄沟道；在所述窄沟道中填充氧化铝(AlOx)介电层；回刻所述氧化铝(AlOx)，以去除除...

【专利技术属性】
技术研发人员：方振，徐二江，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42