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本发明提供了一种新型3D自旋转移矩MRAM存储器的制备方法及存储器，所述制备方法包括在垂直方向构建自旋转移矩磁隧道结(STT‑MTJ)，具体构建方法包括以下步骤：提供氧化硅薄膜和磁性薄膜相互间隔的薄膜堆叠结构；在所述薄膜堆叠结构上纵向刻蚀，...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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