In the manufacturing method of semiconductors, in the manufacturing method of semiconductors, the dielectric layer is formed on the semiconductor substrate, the interlayer medium layer is formed, and the medium layer between the layers is etched to form the lead hole, and the depositing septum on the semiconductor substrate after the lead hole is formed. The separation layer is formed from the medium, the metal layer is deposited on the isolation layer and the metal layer is formed; the isolation layer and the metal layer are etched to form a unique two layer metal lead structure composed of the isolation layer and the metal layer, which fundamentally avoids the problem of the dissolving between the metal layer elements and the semiconductor lining elements. Semiconductor products yield and reliability, reduce production costs and improve the market competitiveness of semiconductor manufacturing products.
【技术实现步骤摘要】
半导体金属引线的制造方法和半导体金属引线
本专利技术涉及半导体制造
,尤其涉及一种半导体金属引线的制造方法和半导体金属引线。
技术介绍
随着半导体器件的技术发展,人们对半导体器件的性能要求越来越高。在半导体器件的生产过程中,无论是集成电路产品还是分立器件产品,必然会用到金属引线的生产工艺。目前在半导体制造过程中通常使用的金属引线都是金属铝,然而金属引线的铝衬底与半导体的硅衬底之间易发生铝硅互溶的问题,造成半导体器件的良率降低。
技术实现思路
本专利技术提供一种半导体金属引线的制造方法和半导体金属引线,通过在半导体的金属层下方增加一层隔离层,形成独特的两层金属引线结构,以从根本上避免例如铝硅互溶问题,从而提高产品的生产良率和可靠性,降低生产成本,提高半导体制造的产品的市场竞争力。本专利技术提供一种半导体金属引线的制造方法,包括:在半导体衬底上进行绝缘介质生长,形成层间介质层;对所述层间介质层进行刻蚀,形成引线孔;在形成所述引线孔后的半导体衬底上沉积隔离介质,形成隔离层;在所述隔离层上沉积金属介质,形成金属层;对所述隔离层和所述金属层进行刻蚀,形成金属引线。可选的,所述在形成所述引线孔后的半导体衬底上沉积隔离介质,形成隔离层,包括:采用化学气相沉积工艺在形成所述引线孔后的半导体衬底上沉积高掺杂多晶硅,形成高掺杂低电阻的多晶硅层。可选的,所述在形成所述引线孔后的半导体衬底上沉积隔离介质,形成隔离层,包括:在形成所述引线孔后的半导体衬底上沉积多晶硅,在所沉积的多晶硅内注入或扩散掺杂介质,形成高掺杂低电阻的多晶硅层。可选的,所述高掺杂低电阻的多晶硅层中所包含的掺杂 ...
【技术保护点】
一种半导体金属引线的制造方法,其特征在于,包括:在半导体衬底上进行绝缘介质生长,形成层间介质层;对所述层间介质层进行刻蚀,形成引线孔;在形成所述引线孔后的半导体衬底上沉积隔离介质,形成隔离层;在所述隔离层上沉积金属介质,形成金属层;对所述隔离层和所述金属层进行刻蚀,形成金属引线。
【技术特征摘要】
1.一种半导体金属引线的制造方法,其特征在于,包括:在半导体衬底上进行绝缘介质生长,形成层间介质层;对所述层间介质层进行刻蚀,形成引线孔;在形成所述引线孔后的半导体衬底上沉积隔离介质,形成隔离层;在所述隔离层上沉积金属介质,形成金属层;对所述隔离层和所述金属层进行刻蚀,形成金属引线。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述在形成所述引线孔后的半导体衬底上沉积隔离介质,形成隔离层,包括:采用化学气相沉积工艺在形成所述引线孔后的半导体衬底上沉积高掺杂多晶硅,形成高掺杂低电阻的多晶硅层。3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述在形成所述引线孔后的半导体衬底上沉积隔离介质,形成隔离层,包括:在形成所述引线孔后的半导体衬底上沉积多晶硅,在所沉积的多晶硅内注入或扩散掺杂介质,形成高掺杂低电阻的多晶硅层。4.根据权利要求2或3所述的方法,其特征在于,所述高掺杂低电阻的多晶硅层中所包含的掺杂介质包...
【专利技术属性】
技术研发人员:贺冠中,
申请(专利权)人:北大方正集团有限公司,深圳方正微电子有限公司,
类型:发明
国别省市:北京,11
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