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本发明的半导体金属引线的制造方法和半导体金属引线，其在半导体的制造方法中，通过在半导体衬底上进行绝缘介质生长，形成层间介质层；并对该层间介质层进行刻蚀，形成引线孔；在形成引线孔后的半导体衬底上沉积隔离介质，形成隔离层；在隔离层上沉积金属介质...该专利属于北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司授权不得商用。