用于实现超薄晶片级封装（WLP）的封装体的低成本、低轮廓的焊料凸点工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种用于实现超薄晶片级封装（WLP）的封装体的低成本、低轮廓的焊料凸点工艺。具体而言，本文说明了用于浸焊工艺的技术，其提供了低轮廓、低成本的焊料凸点形成工艺，可以实施它以促进封装厚度缩放（例如减小总体封装厚度）。例如，本文公开的浸焊工艺可以实现超薄晶片级封装（WLP）、超薄晶片级方形扁平无引脚（WQFN）封装等。

Low cost and low profile solder bump technology for ultra thin wafer level package (WLP) package

The invention discloses a low cost and low profile solder bump process for realizing the package of ultra-thin wafer level package (WLP). Specifically, this article illustrates the technology used for the welding process, which provides a low profile, low cost solder bump forming process that can be implemented to promote the scaling of the package thickness (for example, reducing the overall package thickness). For example, the immersion welding process disclosed in this paper can achieve ultra thin wafer level packaging (WLP), ultra-thin wafer level square flat leadless (WQFN) packaging, etc.

【技术实现步骤摘要】
用于实现超薄晶片级封装（WLP）的封装体的低成本、低轮廓的焊料凸点工艺
技术介绍
在半导体封装中，诸如电镀或植球之类的方法用于形成晶片级的板接合的焊料凸点。这两种方法/工艺涉及：a)设计掩模或模板；及b)使用光掩模（phototool）或对准工具来：将掩模或模板适当地对准凸点下金属层（metallization）（UBM）；在UBM上沉积或放置焊球；及回流以形成凸点。
技术实现思路
说明了用于浸焊工艺的技术，该工艺提供了低轮廓（low-profile）、低成本的焊料凸点形成工艺，可以实施它以实现超薄晶片级封装（WLP）、超薄晶片级方形扁平无引脚（WQFN）封装等。提供这个
技术实现思路
部分以简化的形式引入概念的选择，在以下的具体实施方式部分中会对它们进行进一步的说明。这个
技术实现思路
部分并非旨在确定所要求的主题的关键特征或基本特征，也不是旨在用于帮助确定所要求保护的主题的范围。附图说明参考附图来描述具体实施方式。说明书和附图中不同实例中使用相同的附图标记可以指示相似或相同的项目。图1是根据本公开内容的示例性实施例的系统的示图，可以实现其以执行焊料凸点形成工艺。图2是根据本公开内容的进一步的示例性本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种工艺，包括：将多个半导体晶片放置在容器上方，所述多个半导体晶片被设置在保持器内，所述保持器被配置为以垂直取向配置的方式保持所述多个半导体晶片，所述容器包含液体焊料，其中助焊剂被设置在所述容器上方，所述多个半导体晶片中的每一个还包括硅；在将所述多个半导体晶片转移经过所述助焊剂之前，将所述多个半导体晶片中的各个半导体晶片预加热到低于所述液体焊料的熔点20‑30摄氏度的温度，以使得当所述多个半导体晶片中的所述各个半导体晶片被转移到焊料浴中时所述多个半导体晶片中的所述各个半导体晶片的破裂最小；将所述多个半导体晶片转移经过所述助焊剂，以将所述助焊剂施加到所述多个半导体晶片中的各个半导体晶片的凸点下金...

【技术特征摘要】
2012.12.18 US 13/718,1301.一种工艺，包括：将多个半导体晶片放置在容器上方，所述多个半导体晶片被设置在保持器内，所述保持器被配置为以垂直取向配置的方式保持所述多个半导体晶片，所述容器包含液体焊料，其中助焊剂被设置在所述容器上方，所述多个半导体晶片中的每一个还包括硅；在将所述多个半导体晶片转移经过所述助焊剂之前，将所述多个半导体晶片中的各个半导体晶片预加热到低于所述液体焊料的熔点20-30摄氏度的温度，以使得当所述多个半导体晶片中的所述各个半导体晶片被转移到焊料浴中时所述多个半导体晶片中的所述各个半导体晶片的破裂最小；将所述多个半导体晶片转移经过所述助焊剂，以将所述助焊剂施加到所述多个半导体晶片中的各个半导体晶片的凸点下金属层；将所述多个半导体晶片放置到所述容器中，以便以液体焊料涂覆所述凸点下金属层；以及将所述多个半导体晶片从所述容器中移除，以允许涂覆在所述凸点下金属层上的所述液体焊料固化并在所述多个半导体晶片的所述凸点下金属层上形成焊料凸点。2.根据权利要求1所述的工艺，进一步包括：在将所述多个半导体晶片从所述容器中移除后，将所述助焊剂从所述多个半导体晶片去除。3.根据权利要求1所述的工艺，其中，所述凸点下金属层是光限定的，并且由以下材料之一形成：铜、镍、金和无电镀镍浸金。4.根据权利要求1所述的工艺，其中，所述助焊剂被配置用于抑制在所述多个半导体晶片中的所述各个半导体晶片的表面上的氧化，所述助焊剂是以下助焊剂之一：水溶性助焊剂、免清洗助焊剂和松香助焊剂。5.根据权利要求1所述的工艺，其中，所述焊料凸点的高度范围为从1微米到100微米。6.根据权利要求1所述的工艺，其中，所述焊料凸点的高度范围为从1微米到50微米。7.根据权利要求6所述的工艺，其中，在所述焊料浴中的所述液体焊料处于至少230摄氏度的温度下。8.根据权利要求1所述的工艺，进一步包括：...

【专利技术属性】
技术研发人员：K·坦比杜赖，V·汉德卡尔，T·周，
申请(专利权)人：马克西姆综合产品公司，
类型：发明
国别省市：美国,US