用于制造金属‑陶瓷衬底的方法以及金属‑陶瓷衬底技术

本发明专利技术涉及一种用于制造金属‑陶瓷衬底(1，11，12)的方法，其中，至少一个金属层(3)附连到陶瓷层(2)的至少一个表面侧，金属层(3)通过至少一个沟槽形居间空间(4)被结构化为多个彼此分离的金属化区域(5，6)，以形成导电路径和/或连接表面和/或接触表面，其中，至少所述居间空间(4)被填充电绝缘填充材料(7)。在居间空间(4)中金属化区域(5，6)的面对且邻接陶瓷层(2)的所述表面侧的第一边缘(8)以及在居间空间(4)中金属化区域(5，6)的背离陶瓷层(2)的所述表面侧的至少一个第二边缘(9)覆盖有填充材料(7)。此外，本发明专利技术涉及一种相关的金属‑陶瓷衬底(1，11，12)。

【技术实现步骤摘要】
用于制造金属-陶瓷衬底的方法以及金属-陶瓷衬底
本专利技术涉及一种用于制造金属-陶瓷衬底的方法以及一种相关的金属-陶瓷衬底。
技术介绍
这种金属-陶瓷衬底优选用于半导体功率模块领域。此时，陶瓷板或陶瓷层、例如氧化铝陶瓷在其表面侧中的至少一个上、例如顶侧和/或底侧上设有金属化结构，其中，例如通过蚀刻工艺产生的电路结构、例如导电路径、接触表面和/或连接表面被引入至少一个金属化侧。例如，具有金属化结构的这种陶瓷衬底例如用作电子功率模块的电路载体，其中，它们确保热和机械连接以及电绝缘。金属化结构在陶瓷衬底上的施加可以例如使用如DE2319854A中描述的方法进行。在该工艺中，金属部件、例如铜板或铜箔在表面侧设有由金属和反应气体、特别是氧气的化合物制成的涂层。这种涂层与相邻的薄金属层形成共晶物，共晶物的熔化温度低于金属的熔化温度。然后，将金属部件放置在陶瓷衬底上，并与陶瓷一起加热到高于共晶物的熔点但低于金属的熔化温度的温度。从而，实质上，只有共晶中间层熔化。冷却后，金属部件和陶瓷衬底此时彼此接合。当使用铜或铜合金作为金属时，这种方法也称为DCB结合或DCB工艺(DCB：DirectCopper本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于制造金属‑陶瓷衬底(1，11，12)的方法，其中，至少一个金属层(3)附连到陶瓷层(2)的至少一个表面侧，金属层(3)通过至少一个沟槽形居间空间(4)被结构化为多个彼此分离的金属化区域(5，6)，以形成导电路径和/或连接表面和/或接触表面，其中，至少所述居间空间(4)被填充电绝缘填充材料(7)，其特征在于在居间空间(4)中金属化区域(5，6)的面对且邻接陶瓷层(2)的所述表面侧的第一边缘(8)以及在居间空间(4)中金属化区域(5，6)的背离陶瓷层(2)的所述表面侧的至少一个第二边缘(9)覆盖有填充材料(7)。

【技术特征摘要】
2016.09.30 EP 16191691.11.一种用于制造金属-陶瓷衬底(1，11，12)的方法，其中，至少一个金属层(3)附连到陶瓷层(2)的至少一个表面侧，金属层(3)通过至少一个沟槽形居间空间(4)被结构化为多个彼此分离的金属化区域(5，6)，以形成导电路径和/或连接表面和/或接触表面，其中，至少所述居间空间(4)被填充电绝缘填充材料(7)，其特征在于在居间空间(4)中金属化区域(5，6)的面对且邻接陶瓷层(2)的所述表面侧的第一边缘(8)以及在居间空间(4)中金属化区域(5，6)的背离陶瓷层(2)的所述表面侧的至少一个第二边缘(9)覆盖有填充材料(7)。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于在任何电气或电子器件安装到金属层(3)上之前，填充材料(7)被填充到至少居间空间(4)中。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于在至少一个电气或电子器件安装到金属层(3)上之后，填充材料(7)被填充到至少居间空间(4)中。4.根据前述权利要求中任一所述的方法，其特征在于用填充材料(7)填充至少居间空间(4)包括：将填充材料(7)以粉末或粘性材料的形式引入至少居间空间(4)中，随后热处理或化学处理粉末或粘性材料，以硬化填料材料(7)。5.根据前述权利要求中任一所述的方法，其特征在于粉末或粘性材料通过振动而被压实到至少居间空间(4)中。6.根据前述权利要求中任一所述的方法，其特征在于金属-陶瓷衬底(1，11，12)的存在沟槽形居间空间(4)的至少一个表面侧基本上完全被填充材料(7)覆盖。7.根据前述权利要求中任一所述的方法，其特征在于在用填充材料(7)填充至少居间空间(4)之前，至少一个电连接器(13)连接到为了相关的金属化区域(5，6)的目的而提供的连接表面，使得连接器(...

【专利技术属性】
技术研发人员：A·罗特，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE