The invention discloses a method for making a thick dielectric layer of multilayer package substrate, which comprises the following steps: 1) using dielectric material glue one or more times by spin coating or spraying method for coating and baking in the non photosensitive ceramic circuit board to make the most of the solvent and even partially cured 2) with embossing and embossing further baking; imprint template using transparent glass substrate, sputtering a layer of chrome metal layer on the surface of the embossing template; imprint template using SU 8 glue column stamping head, SU 8 gel column height is higher than the thickness of the dielectric layer of the coated 20 mu m to 60 mu m, release 3) and completely cured; 4) plasma etching; 5) to fabricate the thin film circuit on the dielectric layer; 6) repeat step 1~5 above the rest of the film making circuit. The method does not require expensive photosensitive medium materials, nor does it need to make an extra etching mask, which reduces the work step compared with the existing technology and the overall process is concise.
【技术实现步骤摘要】
一种厚介质层薄膜多层封装基板制作方法
本专利技术涉及一种厚介质层薄膜多层封装基板制作方法。
技术介绍
随着智能终端、武器装备等向信息化、多功能化发展,有限的空间内需要集成的电子功能模块越来越多,由此发展了MCM(MultiChipModel)多芯片模块、SIP(SystemInPackage)系统级封装等高密度封装方法。这些高密封装方法均以高密度封装基板做支撑,如共烧陶瓷封装基板、薄膜多层封装基板、共烧陶瓷-薄膜多层混合封装基板等等。薄膜多层封装基板导线精密,布线密度高,信号延迟小,高频性能凸出,常以PI(聚酰亚胺)、BCB(苯并环丁烯)、LCP(液晶聚合物)等作为介质材料,以溅射/蒸发/电镀结合光刻形成金属导线,以介质层上互连孔实现层间互连。制作出高质量的层间互连孔是薄膜多层封装基板的技术难点之一。目前,制作薄膜多层封装基板主要有两种方法:一是采用非光敏PI/BCB/LCP做介质层材料,介质固化后用等离子体刻蚀或激光打孔辅以等离子体去灰的方法制作层间互连孔。等离子刻蚀方法需要额外制作刻蚀掩膜,且刻蚀速度慢,特别是对于需要数十微米至数百微米厚的介质层时,效率很低,且容易出现钻蚀现象,进而影响互连孔质量。激光打孔辅以等离子体去灰的方法处理薄介质层时简便有效,但处理厚的介质层时,孔壁容易形成难以去除的结痂,影响后续孔壁金属化的附着力。而且对BCB介质材料来说,由于其吸收峰波长在270nm左右,350nm波长以上吸收极弱,因此不适合用市场上常用的可见、红外激光设备打孔。另外一种制作薄膜多层封装基板的方法是采用光敏的PI/BCB/LCP做介质层材料,这种介质材料可 ...
【技术保护点】
一种厚介质层薄膜多层封装基板制作方法,包括以下步骤:1)在陶瓷电路板上采用一次或多次用旋涂或喷涂的方法涂覆非光敏的介质材料胶液并烘烤以使大部分溶剂挥发甚至部分固化;2)用压印模板压印并进一步烘烤;压印模板采用透明的玻璃做基板,模板的压印面上溅射一层铬金金属层;压印模板上采用SU‑8胶柱做压印头,SU‑8胶柱的高度高出所涂覆的介质层厚度20μm~60μm,3)脱模并彻底固化;4)等离子体整体刻蚀;5)制作介质层上底层薄膜电路;6)重复上述步骤1~5制作其余各层薄膜电路。
【技术特征摘要】
1.一种厚介质层薄膜多层封装基板制作方法,包括以下步骤:1)在陶瓷电路板上采用一次或多次用旋涂或喷涂的方法涂覆非光敏的介质材料胶液并烘烤以使大部分溶剂挥发甚至部分固化;2)用压印模板压印并进一步烘烤;压印模板采用透明的玻璃做基板,模板的压印面上溅射一层铬金金属层;压印模板上采用SU-8胶柱做压印头,SU-8胶柱的高度高出所涂覆的介质层厚度20μm~60μm,3)脱模并彻底固化;4)等离子体整体刻蚀;5)制作介质层上底层薄膜电路;6)重复上述步骤1~5制作其余各层薄膜电路。2.根据权利要求1所述的厚介质层薄膜多层封装基板制作方法,其特征在于:所述的陶瓷电路板为氧化铝薄膜电路板、氧化铍薄膜电路板、氮化铝薄膜电路板、或平整的多层共烧陶瓷电路板,陶瓷电路板上制作有对准标记。3.根据权利要求2所述的厚介质层薄膜多层封装基板制作方法,其特征在于:所述的模板的铬金层上开有透明窗口,模板上在透明窗口中间制作有对准标记。...
【专利技术属性】
技术研发人员:王列松,薛新忠,高永全,朱小明,陈洋,
申请(专利权)人:苏州华博电子科技有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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