制备合金材料的移动微结构开关工艺及其移动微结构开关制造技术

本发明专利技术涉及制备合金材料的移动微结构开关工艺及其移动微结构开关，基体的上表面上沉积有10nm至500nm的粘附层，粘附层上沉积有10nm至1000nm的种子层，种子层上设置有通过光刻胶光刻的掩膜，种子层上通过电镀设置有以两片为一组的固定部件，与种子层相对的固定部件的一端面上沉积有10nm至1000nm的保护层，固定部件中的一片的保护层上旋涂有0.5μm至5μm的牺牲层，牺牲层上沉积有10nm至1000nm的种子层，种子层上通过电镀设置有移动部件，使移动部件与固定部件的一片呈H型结构，移动部件沉积有10nm至1000nm的保护层。包括以下步骤：步骤A：固定部件的制作；步骤B：移动部件的制作本发明专利技术能适当的提高移动部件的金属硬度，增加作业次数，提高使用寿命。

Mobile micro structure switch technology for preparing alloy material and its mobile microstructure switch

The invention relates to a moving microstructural switch process and a mobile microstructural switch for preparing an alloy material. A 10nm to 500nm adhesion layer is deposited on the upper surface of the matrix, a seed layer of 10nm to 1000nm is deposited on the adhesion layer, a mask with photolithography by the photolithography is arranged on the seed layer, and two pieces are arranged on the seed layer by electroplating. A set of fixed components, deposited on one end of a fixed component relative to the seed layer with a 10nm to 1000nm protection layer, a layer of protection on one of the fixed parts is coated with a sacrificial layer of 0.5 to 5 m, and a seed layer of 10nm to 1000nm is deposited on the sacrificial layer, and a moving part is set on the seed layer by electroplating to make the moving part. One piece of the fixed part is H type, and the moving part is deposited with a protective layer from 10nm to 1000nm. The following steps are included: step A: making of a fixed part; step B: the invention of a moving part can appropriately improve the metal hardness of the moving parts, increase the number of working times, and improve the service life.

【技术实现步骤摘要】
制备合金材料的移动微结构开关工艺及其移动微结构开关
本专利技术涉及一种制备合金材料的移动微结构开关工艺，尤其涉及一种制备合金材料的移动微结构开关工艺及其移动微结构开关。
技术介绍
微机电系统(MEMS)是上世纪八九十年代随着半导体工艺发展而兴起的研究领域，基于表面微加工工艺，将微电子技术与机械工程融合在一起，制作出兼具电气及机械功能的微型器件。由于MEMS工艺与半导体技术具有一定的兼容性，可将微型传感器与芯片集成在一起，有望在单块芯片实现信息的采集、处理、传输及执行，因此MEMS技术一直是热门的研究领域。信息技术的飞速发展，尤其是移动互联网及物联网时代的来临，移动终端不断地朝着小型化、多功能、低功耗及低成本的方向发展。而现代通信系统射频前端中存在着大量的分立器件，例如射频开关、开关电容、可变电容及电感等，为了满足移动终端小型化低功耗低成本的发展需求，射频前端中的这些分立元件应朝着片上集成的方向发展。正是在这一背景下，射频微机电系统(RFMEMS)应运而生并蓬勃发展。RFMEMS是指基于MEMS技术制作的具有射频功能的微型器件，包括射频开关、开关电容、可变电容、电感及可调谐天线等。开关是RFMEMS系统中最重要最基本的元器件，通过机械结构的吸附和分离，来控制电信号导通和断开，在衰减器、移相器、滤波器、阻抗匹配网络中具有重要的应用，是卫星通信、相控阵雷达、可重构射频前端、基站天线及自动测量仪器中不可或缺的组成部分。进一步结合现有技术来看：1、在开关元器件中，开关的可动部分为开关元器件的核心部件，目前主要是以Au作为开关的可动部件的材料，随着工作次数的增加，可动部件的Au会呈现出疲态，同时，随着工作次数的增加，在可动部分与固定部分接触的部位会逐渐变为熔融状态，导致开关的失效。有鉴于上述的缺陷，本设计人，积极加以研究创新，以期创设一种新型结构的制备合金材料的移动微结构开关工艺及其移动微结构开关，使其更具有产业上的利用价值。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本专利技术的目的是提供一种制备合金材料的移动微结构开关工艺及其移动微结构开关。为实现上述目的，本专利技术采用如下技术方案：一种制备合金材料的移动微结构开关工艺，包括以下步骤：步骤A：固定部件的制作；步骤a1：选择能作为固定部件导电的基体；步骤a2：在基体上热蒸发或沉积一层10nm至500nm的粘附层；步骤a3：在粘附层上沉积一层10nm至1000nm的种子层；步骤a4：在种子层上用光刻胶光刻出电镀固定部件的图形掩膜；步骤a5：通过电镀工艺将固定部件电镀在种子层上；步骤a6：去除图形掩模的光刻胶；步骤a7：在固定部件上沉积一层10nm至1000nm的保护层；步骤a8：去除多余的粘附层和种子层；步骤B：移动部件的制作；步骤b1：在固定部件上旋涂一层0.5μm至5μm的牺牲层；步骤b2：在牺牲层上沉积一层10至1000nm的种子层；步骤b3：在种子层上用光刻胶光刻出电镀移动部件的图形掩膜；步骤b4：通过电镀工艺将移动部件电镀在种子层上；步骤b5：去除图形掩模的光刻胶；步骤b6：在移动部件的表面上沉积一层10nm至1000nm的保护层；步骤b7：蚀刻多余的保护层、种子层；步骤b8：采用干法蚀刻方式刻蚀牺牲层。进一步地，所述的一种制备合金材料的移动微结构开关工艺，其中，步骤A：固定部件的制作；步骤a1：选择硅片作为固定部件导电的基体；步骤a2：在基体上热蒸发或沉积一层10nm的Ti的粘附层；步骤a3：在粘附层上沉积一层10nm的Au的种子层；步骤a4：在种子层上用光刻胶光刻出电镀固定部件的图形掩膜；步骤a5：通过电镀工艺将固定部件电镀在种子层上；步骤a6：去除图形掩模的光刻胶；步骤a7：在固定部件上沉积一层10nm的Au的保护层；步骤a8：去除多余的粘附层和种子层；步骤B：移动部件的制作；步骤b1：在固定部件上旋涂一层0.5μm的聚酰亚胺的牺牲层；步骤b2：在牺牲层上沉积一层10nm的Au的种子层；步骤b3：在种子层上用光刻胶光刻出电镀移动部件的图形掩膜；步骤b4：通过电镀工艺将移动部件电镀在种子层上；步骤b5：去除图形掩模的光刻胶；步骤b6：在移动部件的表面上沉积一层10nm的Au的保护层；步骤b7：蚀刻多余的保护层、种子层；步骤b8：采用干法蚀刻方式刻蚀牺牲层。再更进一步地，所述的一种制备合金材料的移动微结构开关工艺，其中，步骤A：固定部件的制作；步骤a1：选择玻璃作为固定部件导电的基体；步骤a2：在基体上热蒸发或沉积一层500nm的Ti的粘附层；步骤a3：在粘附层上沉积一层1000nm的Au的种子层；步骤a4：在种子层上用光刻胶光刻出电镀固定部件的图形掩膜；步骤a5：通过电镀工艺将固定部件电镀在种子层上；步骤a6：去除图形掩模的光刻胶；步骤a7：在固定部件上沉积一层1000nm的Au的保护层；步骤a8：去除多余的粘附层和种子层；步骤B：移动部件的制作；步骤b1：在固定部件上旋涂一层5μm的聚酰亚胺的牺牲层；步骤b2：在牺牲层上沉积一层1000nm的Au的种子层；步骤b3：在种子层上用光刻胶光刻出电镀移动部件的图形掩膜；步骤b4：通过电镀工艺将移动部件电镀在种子层上；步骤b5：去除图形掩模的光刻胶；步骤b6：在移动部件的表面上沉积一层1000nm的Au的保护层；步骤b7：蚀刻多余的保护层、种子层；步骤b8：采用干法蚀刻方式刻蚀牺牲层。再更进一步地，所述的一种制备合金材料的移动微结构开关工艺，其中，步骤A：固定部件的制作；步骤a1：选择GaN作为固定部件导电的基体；步骤a2：在基体上热蒸发或沉积一层20nm的Ti的粘附层；步骤a3：在粘附层上沉积一层500nm的Au的种子层；步骤a4：在种子层上用光刻胶光刻出电镀固定部件的图形掩膜；步骤a5：通过电镀工艺将固定部件电镀在种子层上；步骤a6：去除图形掩模的光刻胶；步骤a7：在固定部件上沉积一层500nm的Au的保护层；步骤a8：去除多余的粘附层和种子层；步骤B：移动部件的制作；步骤b1：在固定部件上旋涂一层4μm的聚酰亚胺的牺牲层；步骤b2：在牺牲层上沉积一层500nm的Au的种子层；步骤b3：在种子层上用光刻胶光刻出电镀移动部件的图形掩膜；步骤b4：通过电镀工艺将移动部件电镀在种子层上；步骤b5：去除图形掩模的光刻胶；步骤b6：在移动部件的表面上沉积一层500nm的Au的保护层；步骤b7：蚀刻多余的保护层、种子层；步骤b8：采用干法蚀刻方式刻蚀牺牲层。再更进一步地，所述的一种制备合金材料的移动微结构开关工艺，其中，步骤A：固定部件的制作；步骤a1：选择玻璃能作为固定部件导电的基体；步骤a2：在基体上热蒸发或沉积一层30nm的Ti的粘附层；步骤a3：在粘附层上沉积一层200nm的Au的种子层；步骤a4：在种子层上用光刻胶光刻出电镀固定部件的图形掩膜；步骤a5：通过电镀工艺将固定部件电镀在种子层上；步骤a6：去除图形掩模的光刻胶；步骤a7：在固定部件上沉积一层200nm的Au的保护层；步骤a8：去除多余的粘附层和种子层；步骤B：移动部件的制作；步骤b1：在固定部件上旋涂一层2μm的聚酰亚胺的牺牲层；步骤b2：在牺牲层上沉积一层200nm的Au的种子层；步骤b3：在种子层上用光刻胶光刻出电镀移动部件的图形掩膜；步骤b4：通本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制备合金材料的移动微结构开关工艺，其特征在于，包括以下步骤：步骤A：固定部件的制作；步骤a1：选择能作为固定部件导电的基体；步骤a2：在基体上热蒸发或沉积一层10nm至500nm的粘附层；步骤a3：在粘附层上沉积一层10nm至1000nm的种子层；步骤a4：在种子层上用光刻胶光刻出电镀固定部件的图形掩膜；步骤a5：通过电镀工艺将固定部件电镀在种子层上；步骤a6：去除图形掩模的光刻胶；步骤a7：在固定部件上沉积一层10nm至1000nm的保护层；步骤a8：去除多余的粘附层和种子层；步骤B：移动部件的制作；步骤b1：在固定部件上旋涂一层0.5μm至5μm的牺牲层；步骤b2：在牺牲层上沉积一层10至1000nm的种子层；步骤b3：在种子层上用光刻胶光刻出电镀移动部件的图形掩膜；步骤b4：通过电镀工艺将移动部件电镀在种子层上；步骤b5：去除图形掩模的光刻胶；步骤b6：在移动部件的表面上沉积一层10nm至1000nm的保护层；步骤b7：蚀刻多余的保护层、种子层；步骤b8：采用干法蚀刻方式刻蚀牺牲层。

【技术特征摘要】
1.一种制备合金材料的移动微结构开关工艺，其特征在于，包括以下步骤：步骤A：固定部件的制作；步骤a1：选择能作为固定部件导电的基体；步骤a2：在基体上热蒸发或沉积一层10nm至500nm的粘附层；步骤a3：在粘附层上沉积一层10nm至1000nm的种子层；步骤a4：在种子层上用光刻胶光刻出电镀固定部件的图形掩膜；步骤a5：通过电镀工艺将固定部件电镀在种子层上；步骤a6：去除图形掩模的光刻胶；步骤a7：在固定部件上沉积一层10nm至1000nm的保护层；步骤a8：去除多余的粘附层和种子层；步骤B：移动部件的制作；步骤b1：在固定部件上旋涂一层0.5μm至5μm的牺牲层；步骤b2：在牺牲层上沉积一层10至1000nm的种子层；步骤b3：在种子层上用光刻胶光刻出电镀移动部件的图形掩膜；步骤b4：通过电镀工艺将移动部件电镀在种子层上；步骤b5：去除图形掩模的光刻胶；步骤b6：在移动部件的表面上沉积一层10nm至1000nm的保护层；步骤b7：蚀刻多余的保护层、种子层；步骤b8：采用干法蚀刻方式刻蚀牺牲层。2.根据权利要求1所述的一种制备合金材料的移动微结构开关工艺，其特征在于：步骤A：固定部件的制作；步骤a1：选择硅片作为固定部件导电的基体；步骤a2：在基体上热蒸发或沉积一层10nm的粘附层；步骤a3：在粘附层上沉积一层10nm的种子层；步骤a4：在种子层上用光刻胶光刻出电镀固定部件的图形掩膜；步骤a5：通过电镀工艺将固定部件电镀在种子层上；步骤a6：去除图形掩模的光刻胶；步骤a7：在固定部件上沉积一层10nm的保护层；步骤a8：去除多余的粘附层和种子层；步骤B：移动部件的制作；步骤b1：在固定部件上旋涂一层0.5μm的聚酰亚胺的牺牲层；步骤b2：在牺牲层上沉积一层10nm的种子层；步骤b3：在种子层上用光刻胶光刻出电镀移动部件的图形掩膜；步骤b4：通过电镀工艺将移动部件电镀在种子层上；步骤b5：去除图形掩模的光刻胶；步骤b6：在移动部件的表面上沉积一层10nm的保护层；步骤b7：蚀刻多余的保护层、种子层；步骤b8：采用干法蚀刻方式刻蚀牺牲层。3.根据权利要求1所述的一种制备合金材料的移动微结构开关工艺，其特征在于：步骤A：固定部件的制作；步骤a1：选择玻璃作为固定部件导电的基体；步骤a2：在基体上热蒸发或沉积一层500nm的粘附层；步骤a3：在粘附层上沉积一层1000nm的种子层；步骤a4：在种子层上用光刻胶光刻出电镀固定部件的图形掩膜；步骤a5：通过电镀工艺将固定部件电镀在种子层上；步骤a6：去除图形掩模的光刻胶；步骤a7：在固定部件上沉积一层1000nm的保护层；步骤a8：去除多余的粘附层和种子层；步骤B：移动部件的制作；步骤b1：在固定部件上旋涂一层5μm的聚酰亚胺的牺牲层；步骤b2：在牺牲层上沉积一层1000nm的种子层；步骤b3：在种子层上用光刻胶光刻出电镀移动部件的图形掩膜；步骤b4：通过电镀工艺将移动部件电镀在种子层上；步骤b5：去除图形掩模的光刻胶；步骤b6：在移动部件的表面上沉积一层1000nm的保护层；步骤b7：蚀刻多余的保护层、种子层；步骤b8：采用干法蚀刻方式刻蚀牺牲层。4.根据权利要求1所述的一种制备合金材料的移动微结构开关工艺，其特征在于：步骤A：固定部件的制作；步骤a1：选择GaN作为固定部件导电的基体；步骤a2：在基体上热蒸发或沉积一层20nm的粘附层；步骤a3：在粘附层上沉积一层500nm的种子层；步骤a4：在种子层上用光刻胶光刻出电镀固定部件的图形掩膜；步骤a5：通过电镀工艺将固定部件电镀在种子层上；步骤a6：去除图形掩模的光刻胶；步骤a7：在固定部件上沉积一层500nm的保护层；步骤a8：去除多余的粘附层和种子层；步骤B：移动部件的制作；步骤b1：在固定部件上旋涂一层4μm的聚酰亚胺的牺牲层；步骤b2：在牺牲层上沉积一层500nm的种子层；步骤b3：在种子层...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘泽文，李琳松，杨中宝，印青，
申请(专利权)人：苏州希美微纳系统有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32