一种RF MEMS数字可变电容单元制造技术

本发明专利技术涉及一种RF MEMS数字可变电容单元，包括衬底，衬底上分布有RF电极、地结构和驱动电极，其中地结构和驱动电极分布在RF电极的两侧，地结构上连接有翘板式上极板，翘板式上极板连接有扭转梁，扭转梁的两侧分布有驱动电极；RF电极上附有用以隔离翘板式上极板与RF电极的介质层；在驱动过程中，翘板式上极板可与RF电极分别形成第一距离、第二距离和第三距离。由此，采用翘板式结构，电容值可控性强。可实现翘板式上极板与RF电极之间较大的距离变化，即可得到较大的变容比。若在第一距离电容状态与第三距离电容状态之间转换时，由于有驱动力和悬臂梁自身回复力的双重作用，响应速度更快。翘板式上极板的两端及支点处的扭转梁都固定于地结构。

RF MEMS digital variable capacitor unit

【技术实现步骤摘要】
一种RFMEMS数字可变电容单元
本专利技术涉及一种电容单元，尤其涉及一种RFMEMS数字可变电容单元。
技术介绍
从1G到5G的演进的最大特点是频率越来越高、频带越来越宽。在追求设备小型化的今天，传统射频前端器件越来越难以满足宽频带的需求，因此，射频前端对可调频器件的需求越来越强烈，可变电容正是可调频器件的“调节阀”有着举足轻重的作用。而RFMEMS可变电容以其高Q值、高变容比、高线性度、大功率容量、低功耗、低温度敏感性受到越来越多的关注。但是，目前业内研究的RFMEMS可变电容在可控性和可靠性方面难有较大突破。有鉴于上述的缺陷，本设计人，积极加以研究创新，以期创设一种RFMEMS数字可变电容单元，使其更具有产业上的利用价值。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本专利技术的目的是提供一种RFMEMS数字可变电容单元。本专利技术的一种RFMEMS数字可变电容单元，包括衬底，其中：所述衬底上分布有RF电极、地结构和驱动电极，所述地结构和驱动电极分布在RF电极的两侧，所述地结构上连接有翘板式上极板，所述翘板式上极本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种RF MEMS数字可变电容单元，包括衬底，其特征在于：所述衬底上分布有RF电极、地结构和驱动电极，所述地结构和驱动电极分布在RF电极的两侧，所述地结构上连接有翘板式上极板，所述翘板式上极板连接有扭转梁，所述扭转梁的两侧均分布有驱动电极，所述翘板式上极板可与RF电极分别形成第一距离、第二距离和第三距离，所述RF电极上附有用以隔离翘板式上极板与RF电极的介质层。/n

【技术特征摘要】
1.一种RFMEMS数字可变电容单元，包括衬底，其特征在于：所述衬底上分布有RF电极、地结构和驱动电极，所述地结构和驱动电极分布在RF电极的两侧，所述地结构上连接有翘板式上极板，所述翘板式上极板连接有扭转梁，所述扭转梁的两侧均分布有驱动电极，所述翘板式上极板可与RF电极分别形成第一距离、第二距离和第三距离，所述RF电极上附有用以隔离翘板式上极板与RF电极的介质层。


2.根据权利要求1所述的一种RFMEMS数字可变电容单元，其特征在于：所述衬底为高阻硅衬底；或是为玻璃衬底；或是为陶瓷衬底；或是为砷化镓衬底。


3.根据权利要求1所述的一种RFMEMS数字可变电容单元，其特征在于：所述驱动电极至少为四个，两两对称分布，接近RF电极的一对驱动电极为“C+”驱动电极，远离RF电极的一对驱动电极为“C-”驱动电极。


4.根据权利要求1所述的一种RFMEMS数字可变电容单元，其特征在于：所述驱动电极包括有金属基板，所述金属基板上...

【专利技术属性】
技术研发人员：王竞轩，刘泽文，肖倩，陈涛，
申请(专利权)人：苏州希美微纳系统有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32