低应力介质复合膜制造技术

本实用新型专利技术涉及一种低应力介质复合膜，包括有单晶硅衬底，单晶硅衬底上分布有SiO2热氧化薄膜层，SiO2热氧化薄膜层上分布有SiO2薄膜层，SiO2薄膜层上分布有SiN

【技术实现步骤摘要】
低应力介质复合膜


[0001]本技术涉及一种复合膜，尤其涉及一种低应力介质复合膜。

技术介绍

[0002]随着MEMS技术的高速发展，氮化硅和氧化硅薄膜作为物理化学性质优异的半导体薄膜，在MEMS中常被用作支撑层、绝缘层和表面钝化层使用。如，微热板气体传感器芯片和热电堆红外传感器芯片需使用氮化硅薄膜作为支撑层结构；RF MEMS接触式开关常使用氮化硅或氧化硅作为上下极板的绝缘层；大部分MEMS器件都需要在功能层上沉积氮化硅和氧化硅复合层钝化层保护器件结构。目前，氮化硅和氧化硅沉积方法通常包括等离子CVD，低压CVD和反应溅射法等，常规的方法都会使薄膜产生过大的拉应力或压应力，引起开裂、褶皱或脱落。应力问题直接影响薄膜支撑、绝缘或钝化的效果，甚至导致整个MEMS器件可靠性差和机械失效。
[0003]薄膜应力问题在薄膜基础理论和应用中日益受到关注，通过对应力机制的阐释，建立薄膜生长与微观结构的关系，大量实验控制薄膜应力影响。但是，工程上通过调节氮化硅薄膜和氧化硅薄膜的制备工艺，制得零应力的薄膜十分困难
[0004]有鉴于上述的缺陷，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.低应力介质复合膜，包括有单晶硅衬底，其特征在于：所述单晶硅衬底上分布有SiO2热氧化薄膜层，所述SiO2热氧化薄膜层上分布有SiO2薄膜层，所述SiO2薄膜层上分布有SiN
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薄膜层。2.根据权利要求1所述的低应力介质复合膜，其特征在于：所述单晶硅衬底的厚度为1000至3000nm，所述SiO2热氧化薄膜层的厚度为600至1200nm，所述SiO2薄膜层的厚度为200至600nm，所述SiN
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【专利技术属性】
技术研发人员：周望，刘柏含，刘泽文，陈涛，
申请(专利权)人：苏州希美微纳系统有限公司，
类型：新型
国别省市：