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本实用新型涉及一种低应力介质复合膜，包括有单晶硅衬底，单晶硅衬底上分布有SiO2热氧化薄膜层，SiO2热氧化薄膜层上分布有SiO2薄膜层，SiO2薄膜层上分布有SiN
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该专利属于苏州希美微纳系统有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州希美微纳系统有限公司授权不得商用。

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