一种防止反应腔尾管阻塞的装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供一种防止反应腔尾管阻塞的装置，所述装置包括至少一根气体通入管道，所述气体通入管道安装在所述反应腔的尾管上，通过所述气体通入管道往所述尾管中通入具有一定温度的保护性气体。本实用新型专利技术通过在尾管中通入具有一定温度的保护性气体，加速反应气体的流动，从而可以减少和降低反应气体中副产物在反应腔尾管的沉积和结晶，进而减少对反应腔体尾管的清理频率，减少人力物力，增加设备的使用寿命。

A device to prevent the obstruction of the caudal tube of the reaction cavity

The utility model provides a device for preventing a caudal tube blocking in a reaction chamber. The device comprises at least one gas into the pipe, and the gas is installed on the tail pipe of the reaction chamber and through the gas through the pipe into the tail pipe to enter the protective gas with a certain temperature. The utility model can reduce and reduce the deposition and crystallization of the reaction gas in the caudal tube of the reaction chamber by passing in the protective gas with a certain temperature in the tail pipe, thus reducing and reducing the deposition and crystallization of the by-products in the reaction chamber, thus reducing the cleaning frequency of the tail tube of the reaction cavity, reducing the manpower and material force, and increasing the service life of the equipment.

【技术实现步骤摘要】
一种防止反应腔尾管阻塞的装置
本技术属于半导体生产设备领域，特别是涉及一种防止反应腔尾管阻塞的装置。
技术介绍
随着社会的发展，人们对半导体技术的依赖越来越强。航空，电子，通信等一系列与生活有关的物件都随着半导体技术发展而兴起，尤其对于半导体器件的制造企业而言，设备的先进性和环保型是衡量一个企业综合竞争力的标志。在不同的先进制程中，不仅需要先进的工艺作为支撑，而且更需要成熟稳定的设备处理作为基础。在一系列的工艺生产中我们经常会用到很多气体，例如SiH4、NH3、HCl、HF等，这些气体通常经过管路进入反应炉，这些气体在反应炉中反应并在晶圆上生长形成薄膜(film)，这些薄膜结构为即将进行的下一道工序做好准备。但是在反应炉中生长形成正常薄膜的同时，例如化学气相沉积工艺中，反应气体经高温解离产生反应，形成副产品。这类副产品的成份主要有氯化铵、氯化镓，其沉积在工艺腔室的内壁、真空管以及副产品收集器中，并且不断累积形成固状粉尘(power)。然而，固状粉尘的存在极易造成设备运转周期的利用，而且对产品的质量以及设备的使用寿命都会产生很大的影响。为了使得工艺反应腔体具有良好的环境状态，需要定期对工艺腔室以及其连接的真空管进行清理，以便去除内部沉积的副产品固状粉尘。在经过反应腔进行反应后，这些粉尘副产品在气体的带动下经过尾管，最后统一处理。但是，由于尾管的温度比反应腔的温度低，因此，这些粉尘很容易在经过尾管时在尾管里沉积下来，形成结晶体，甚至会导致尾管阻塞。现有技术中并没有合适的清理工具，操作人员通常使用螺丝刀等锐器并配合锤子敲打，来去除尾管中的固状粉尘结晶物，但是这种方法极易对设备造成类似于划痕的损伤，并且效率低下，需要耗费大量人力和时间，加重操作员的负担，同时由于这类固状粉尘具有毒性，飞扬的粉尘也对操作员的健康和封装室的环境造成污染。因此，提供一种防止反应腔尾管阻塞的装置实属必要。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本技术的目的在于提供一种防止反应腔尾管阻塞的装置，用于解决现有技术中反应腔尾管易被反应副产物阻塞的问题。为实现上述目的及其他相关目的，本技术提供一种防止反应腔尾管阻塞的装置，所述装置包括至少一根气体通入管道，所述气体通入管道安装在所述反应腔的尾管上，通过所述气体通入管道往所述尾管中通入具有一定温度的保护性气体。作为本技术防止反应腔尾管阻塞的装置的一种优化的结构，在所述尾管上安装有1～4根气体通入管道。作为本技术防止反应腔尾管阻塞的装置的一种优化的结构，所述保护性气体为惰性气体。作为本技术防止反应腔尾管阻塞的装置的一种优化的结构，所述保护性气体为氮气或者氩气。作为本技术防止反应腔尾管阻塞的装置的一种优化的结构，所述保护性气体的温度在50～80℃。作为本技术防止反应腔尾管阻塞的装置的一种优化的结构，所述保护性气体的流速大于从所述反应腔进入所述尾管中气体的流速。作为本技术防止反应腔尾管阻塞的装置的一种优化的结构，所述气体通入管道均匀分布在所述尾管上。作为本技术防止反应腔尾管阻塞的装置的一种优化的结构，所述气体通入管道安装在所述尾管中间或者靠近所述反应腔的位置上。作为本技术防止反应腔尾管阻塞的装置的一种优化的结构，所述装置还包括温控系统，通过所述温控系统控制所述保护性气体的温度。作为本技术防止反应腔尾管阻塞的装置的一种优化的结构，所述尾管的尾端依次连接过滤装置和气体处理装置。如上所述，本技术的防止反应腔尾管阻塞的装置，包括：至少一根气体通入管道，所述气体通入管道安装在所述反应腔的尾管上，通过所述气体通入管道往所述尾管中通入具有一定温度的保护性气体。本技术通过在尾管中通入具有一定温度的保护性气体，加速反应气体的流动，从而可以减少和降低反应气体中副产物在反应腔尾管的沉积和结晶，进而减少对反应腔体尾管的清理频率，减少人力物力，增加设备的使用寿命。附图说明图1显示为本技术防止反应腔尾管阻塞的装置一种实施例示意图。图2显示为本技术防止反应腔尾管阻塞的装置另一实施例示意图。图3显示为本技术防止反应腔尾管阻塞的装置再一实施例示意图。图4显示为本技术防止反应腔尾管阻塞的装置的整体示意图。元件标号说明1反应腔2尾管3气体通入管道4保护性气体5晶圆6载物台7温控系统8过滤装置9气体处理装置具体实施方式以下由特定的具体实施例说明本技术的实施方式，熟悉此技术的人士可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本技术的其他优点及功效。请参阅附图。须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本技术可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本技术所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本技术所揭示的
技术实现思路
得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中间”及“一”等的用语，亦仅为便于叙述的明了，而非用以限定本技术可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更
技术实现思路
下，当亦视为本技术可实施的范畴。通常，半导体工艺反应腔内可根据不同的工艺设置不同的温度，反应气体进入反腔体内在一定的温度下就会进行反应在晶圆上生长形成薄膜，其中大部分气体会参与反应生成薄膜，但是也有一些残留气体会留在腔体或通过气泵和排气装置抽出腔体进行处理。由于反应腔体本身是具有温度的，所以气体在反应腔体内结晶的可能性小，但是由于残留气体通过尾管要经过一段常温空间，再加上气泵以及自身抽速的影响，残留气体中的粉尘很容易在这段距离产生结晶，造成堵塞。鉴于此，本技术提供一种防止反应腔尾管阻塞的装置，可以迅速将残余的尾气排出并处理掉。如图1～4所示，本技术提供一种防止反应腔尾管阻塞的装置，所述装置包括至少一根气体通入管道3，所述气体通入管道3安装在所述反应腔1的尾管2上，通过所述气体通入管道3往所述尾管2中通入具有一定温度的保护性气体4。所述气体通入管道3的数量根据所述尾管2的长度来确定，在此不限。所述气体通入管道3优选为1～4根，本实施例中，所述气体通入管道3的数量为1根，如图1和图2所示。在另一实施例中，所述气体通入管道3的数量为3根，如图3所示。对于所述保护性气体4，要求所述保护性气体4要具有一定的温度和流速。在一定的温度下，从反应腔1进入所述尾管2的残留尾气中所携带的粉末会不易附着在管壁上，另外，所述保护性气体4的流速需要大于从所述反应腔1进入所述尾管2中气体的流速，在大流速保护性气体4的带动下，残留气体以及粉末会以更快的速度被排出所述尾管2外，进一步降低附着于尾管2管壁上的概率。因此，作为示例，所述保护性气体4的温度在50～80℃之间。更优地，所述保护性气体4的温度在60～80℃之间。最优地，所述保护性气体4的温度在70～80℃之间。本实施例中，所述保护性气体4的温度为75℃。本技术的装置中，如图4所示，还包括一温控系统7，用以更好的控制所述保护性气体4的温度，使温度保持在稳定的范围内。另外，所述保护性气体4的类型不限，要求在高温下具有稳定的状态，不与进入所述尾管2的反应气体反应。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种防止反应腔尾管阻塞的装置，其特征在于，所述装置包括至少一根气体通入管道，所述气体通入管道安装在所述反应腔的尾管上，通过所述气体通入管道往所述尾管中通入具有一定温度的保护性气体，所述保护性气体的温度在50～80℃。

【技术特征摘要】
1.一种防止反应腔尾管阻塞的装置，其特征在于，所述装置包括至少一根气体通入管道，所述气体通入管道安装在所述反应腔的尾管上，通过所述气体通入管道往所述尾管中通入具有一定温度的保护性气体，所述保护性气体的温度在50～80℃。2.根据权利要求1所述的防止反应腔尾管阻塞的装置，其特征在于：在所述尾管上安装有1～4根气体通入管道。3.根据权利要求1所述的防止反应腔尾管阻塞的装置，其特征在于：所述保护性气体为惰性气体。4.根据权利要求1所述的防止反应腔尾管阻塞的装置，其特征在于：所述保护性气体为氮气或者氩气。5.根据权利要求1所述的防止反应腔尾管阻...

【专利技术属性】
技术研发人员：陆华，
申请(专利权)人：镓特半导体科技上海有限公司，
类型：新型
国别省市：上海,31