一种纳米复合体晶体管存储器及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种纳米复合体晶体管存储器及其制备方法，所述纳米复合体晶体管存储器所述存储器包括一柔性基底、一栅电极、一栅绝缘层、一电荷存储层、一隧穿绝缘层、一半导体层以及一源漏电极。其中所述电荷存储层采用由两种或两种以上材料制备的纳米复合体制成，可以有效增加电荷存储密度，性能优于其中单一材料单独作为电荷存储层的性能。所述纳米复合体晶体管存储器的制备方法工艺简单，生产成本较低。

【技术实现步骤摘要】
一种纳米复合体晶体管存储器及其制备方法
本专利技术涉及柔性电子器件领域，更准确的说涉及一种纳米复合体晶体管存储器及其制备方法。
技术介绍
随着信息技术的不断发展，对与之相关的器件要求也不断提升。半导体电路及元器件是实现信息处理和存储的基础，而有机电路因其具有低成本、可弯曲、高透光性而具有广阔的应用前景。非易失性存储器是有机电子学的一个重要组成部分。有机场效应晶体管存储器作为有机集成电路的一个核心单元，由于其可以在单个晶体管中实现信息存储、非破坏性读取、易于和有机电路集成而引起了人们的广泛关注。由于其自身成本低、可大面积在柔性基底上制备等优点，在低成本射频识别、柔性传感器、柔性存储、大面积柔性显示等领域具有广阔的应用前景。浮栅型有机场效应晶体管存储器是通过改变浮栅电极中束缚电荷的数量调制晶体管的阈值电压，并在一定的读取电压下得到大小不同的源漏电流值而实现信息的存储与读出的。然而，对于连续的金属薄膜浮栅，如果隧穿介质层中存有任何一处漏电通道都会引起全部存储电荷的流失。为解决这一问题，人们采用分立式的电荷捕获层代替连续浮栅存储层。在这种纳米结构浮栅中由于各个电荷存储点之间相互绝缘，隧穿介质本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种纳米复合体晶体管存储器，其特征在于，包括：一柔性衬底；一栅电极，所述栅电极设置于所述柔性衬底的上表面，且所述栅电极与所述柔性衬底紧固连接；一栅绝缘层，所述栅绝缘层设置于所述栅电极上，且所述栅绝缘层与所述栅电极紧固连接；一纳米复合体电荷存储层,所述纳米复合体电荷存储层设置于所述栅绝缘层上，且所述纳米复合体电荷存储层与所述栅绝缘层紧固连接；一隧穿绝缘层，所述隧穿绝缘层设置于所述纳米复合体电荷存储层上，且所述隧穿绝缘层与所述纳米复合体电荷存储层紧固连接；一有机半导体层，所述有机半导体层设置于所述隧穿绝缘层上，且所述有机半导体层与所述隧穿绝缘层紧固连接；以及一源漏电极组，所述源漏电极组包括一源电极...

【技术特征摘要】
1.一种纳米复合体晶体管存储器，其特征在于，包括：一柔性衬底；一栅电极，所述栅电极设置于所述柔性衬底的上表面，且所述栅电极与所述柔性衬底紧固连接；一栅绝缘层，所述栅绝缘层设置于所述栅电极上，且所述栅绝缘层与所述栅电极紧固连接；一纳米复合体电荷存储层,所述纳米复合体电荷存储层设置于所述栅绝缘层上，且所述纳米复合体电荷存储层与所述栅绝缘层紧固连接；一隧穿绝缘层，所述隧穿绝缘层设置于所述纳米复合体电荷存储层上，且所述隧穿绝缘层与所述纳米复合体电荷存储层紧固连接；一有机半导体层，所述有机半导体层设置于所述隧穿绝缘层上，且所述有机半导体层与所述隧穿绝缘层紧固连接；以及一源漏电极组，所述源漏电极组包括一源电极和一漏电极，所述源电极和所述漏电极均设置于所述有机半导体层上，且所述源电极和所述漏电极均与所述有机半导体层紧固连接。2.如权利要求1所述的纳米复合体晶体管存储器，其特征在于，所述纳米复合体电荷存储层采用两种或两种以上材料制备的纳米复合体材料制成。3.如权利要求2所述的纳米复合体晶体管存储器，其特征在于，所述纳米复合体电荷存储层所采用的纳米复合体材料包括但不限于金属-碳纳米复合体材料、金属-金属纳米复合体材料、氧化物-碳纳米复合体材料以及氧化物-金属纳米复合体材料。4.如权利要求1所述的纳米复合体晶体管存储器，其特征在于，所述柔性衬底的材料可以选择PET、PI、或PEN等柔性衬底，还可以选择带有氧化硅层的重掺杂硅片。5.如权利要求1所述的纳米复合体晶体管存储器，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：王穗东，高旭，徐建龙，董彬，刘杰，张精宇，
申请(专利权)人：苏州大学，
类型：发明
国别省市：江苏,32