【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】有机电子/光电子器件
技术介绍
基于有机半导体的电子/光电子器件(下文称作“有机器件”)由于在低温下在从溶液中沉积的有机半导体膜中不断增加地可实现的高导通电流和良好开关比和有机半导体的固有挠性的机械性质(这使得能以灵活的形状因子获得电子器件)而对于越来越多的用途越来越多地受到关注。但是,除高导通电流和高开关比外,对电子/光电子器件的另一越来越重要的要求是当器件暴露在各种气氛下和运行延长的时间时良好的随时间的性能稳定性。
技术实现思路
本申请的专利技术人已经发现,有机器件的性能稳定性(即应力和环境稳定性)可能相对较差,且本专利技术的目标是提供可用于改进有机器件的性能稳定性的技术。由此提供包括半导体层的电子或光电子器件,其中所述半导体层包含至少半导体有机材料、水物类和相对于所述半导体有机材料计至少0.1重量%的量的至少一种添加剂,所述添加剂至少部分抵消由水物类在半导体有机材料上造成的载荷子俘获效应。还由此提供包括半导体层的电子或光电子器件,其中所述半导体层包含至少半导体有机材料和相对于所述半导体有机材料计至少0.1重量%的量的至少一种添加剂,所述添加剂占据半导体有机材料内的至少 ...
【技术保护点】
包括半导体层的电子或光电子器件,其中所述半导体层至少包含半导体有机材料、水物类和相对于所述半导体有机材料计至少0.1重量%的量的至少一种添加剂,所述添加剂至少部分抵消由水物类在半导体有机材料上造成的载荷子俘获效应。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.06.29 GB 1511375.61.包括半导体层的电子或光电子器件,其中所述半导体层至少包含半导体有机材料、水物类和相对于所述半导体有机材料计至少0.1重量%的量的至少一种添加剂,所述添加剂至少部分抵消由水物类在半导体有机材料上造成的载荷子俘获效应。2.包括半导体层的电子或光电子器件,其中所述半导体层至少包含半导体有机材料和相对于所述半导体有机材料计至少0.1重量%的量的至少一种添加剂,所述添加剂占据半导体有机材料内的至少一些可被水分子占据的空隙并具有比水小的在半导体有机材料上的载荷子俘获效应。3.如权利要求1或权利要求2中所述的电子或光电子器件,其中所述器件是电子开关器件。4.根据权利要求3的器件,其中所述至少一种添加剂将电子开关器件的阈值电压变化降至在涉及在饱和状态下在大约2.5μΑ的漏极电流下运行电子开关器件25小时的应力试验中小于1V(优选小于0.7V)。5.根据权利要求1或2的器件,其中所述添加剂包含具有小于5纳米,更优选小于2纳米,再更优选小于1纳米的尺寸的分子。6.根据权利要求3的器件,其中所述电子开关器件是p型半导体器件,且所述添加剂包含具有比半导体有机材料的电离电势小至少0.1eV,更优选至少0.3eV,更优选至少0.5eV的电子亲和力的材料。7.根据权利要求1的器件,其中所述添加剂使阈值电压漂移不大于2V,更优选不大于1V,最优选不大于0.3V。8.根据权利要求7的器件,其中所述添加剂将有机半导体迁移率降低不大于20%,优选不大于5%,最优选不大于2%。9.根据权利要求7的器件,其中所述添加剂将晶体管截止电流提高不大于10x,优选不大于5x,最优选不大于1.2x。10.根据权利要求3的器件,其中所述电子开关器件是p型半导体器件,且所述添加剂包含具有比半导体有机材料的电离电势高了大于至少0.3eV,更优选大于至少0.5eV,再更优选大于至少1eV的电离电势的材料。11.根据权利要求1或权利要求2的器件,其中所述添加剂包含具有的分子量是半导体有机材料的数均分子量的小于5%,优选小于3%,最优选小于1%的分子材料。12.根据权利要求1或权利要求2的器件,其中所述添加剂在室温下在所述有机半导体材料中的溶解度高于水在所述有机半导体材料中的溶解度。13.根据权利要求1或权利要求2的器件,其中所述添加剂在水中具有至少0.1%的溶解度。14.根据权利要求1的器件,其中所述半导体层包含至少0.1重量%的量的残留水分子。15.根据前述权利要求任一项的器件,其中所述半导体层与所述器件的一个或多个其它层一起包封以防氧气侵入。16.根据前述权利要求任一项的器件,其中所述分子添加剂在室温下是液体并且是半导体有机材料的溶剂,其中所述半导体有机材料在所述液体分子添加剂中的溶解度为至少0.1重量%。17.根据权利要求16的器件,其中所述添加剂的沸点高于150℃,优选高于180℃,最优选高于200℃。18.根据权利要求1至15任一项的器件,其中所述分子添加剂在室温下是固体并在所述半导体有机材料中具有高于1重量%的固溶度。19.根据权利要求3的器件,其中所述分子添加剂的引入将电子开关器件在应力试验中的阈值电压漂移与在所述半导体有机材料中没有引入分子添加剂的参比器件相比降低50%,其中所述应力试验涉及在饱和状态下在大约(0.25...
【专利技术属性】
技术研发人员:H·西林豪斯,M·尼科尔卡,I·纳斯鲁拉,J·乔曼,
申请(专利权)人:弗莱克因艾伯勒有限公司,剑桥企业有限公司,
类型:发明
国别省市:英国,GB
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