用于有机光电器件的有机分子制造技术

本发明专利技术涉及具有式I的结构的有机分子，其中，X＝CN或CF3；D＝具有式I‑1结构的化学单元：其中，#＝根据式I‑1的单元与根据式I的结构中的中心苯环的附着点；A和B＝彼此独立地选自由CRR1、CR、NR、N组成的组，其中在A和B之间存在单键或双键以及在B和Z之间存在单键或双键；Z＝直接的键或二价有机桥基，所述二价有机桥基为取代或未取代的C1‑C9‑亚烷基、C2‑C8‑亚烯基、C2‑C8‑亚炔基或亚芳基或其组合，‑CRR1、‑C＝CRR1、‑C＝NR、‑NR‑、‑O‑、‑SiRR1‑、‑S‑、‑S(O)‑、‑S(O)2‑，O‑间隔的取代或未取代的C1‑C9‑亚烷基、C2‑C8‑亚烯基、C2‑C8‑亚炔基或亚芳基、苯基单元或取代的苯基单元。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于有机光电器件的有机分子
本专利技术涉及纯有机分子及其在有机发光二极管(OLED)和其它有机光电器件中的用途。
技术介绍
有机光电器件的特征是将电能转换成光子(有机发光二极管，OLED或发光电化学电池，LEEC)或发生相反过程(有机光伏，OPV)。此处重要的是，这些过程尽可能高效地运行。因此，对于OLED的部分，理想地使用具有最大光致发光量子产率的材料是必要的。通过使用显示出热活化延迟荧光(TADF)的有效材料可以改进OLED材料的有限效率，因为与纯荧光材料相比，可以利用高达100％的激子，而不是在OLED中形成的25％的激子。形成的三重态激子在这种情况下也可以转换成单重态激子，即随后可发出光子的状态。这种热再生的前提条件是最低激发单重态能级(S1)和三重态能级(T1)之间的低能量距离。这可以例如通过使用铜(I)配合物(在这方面参见例如：H.Yersin,U.Monkowius,T.Fischer,T.Hofbeck,WO2010/149748A1)实现，或者通过纯的有机材料的方法(在这方面参见例如：Q.Zhang等人,J.Am.Chem.Soc.2012,134,14706,WO本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机分子，其包括式I的结构，

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.07.03 EP 15175358.9;2015.12.17 EP 15200813.2;1.一种有机分子，其包括式I的结构，其中X＝CN或CF3；D＝包括式I-1结构的化学单元：其中#＝式I-1的单元与式I的结构的中心苯环的附着点；A和B＝彼此独立地选自由CRR1、CR、NR、N组成的组，在A和B之间存在单键或双键以及在B和Z之间存在单键或双键；Z＝直接的键或二价有机桥基，所述二价有机桥基为取代或未取代的C1-C9-亚烷基、C2-C8-亚烯基、C2-C8-亚炔基或亚芳基或其组合，-CRR1、-C＝CRR1、-C＝NR、-NR-、-O-、-SiRR1-、-S-、-S(O)-、-S(O)2-，O-间隔的取代或未取代的C1-C9-亚烷基、C2-C8-亚烯基、C2-C8-亚炔基或亚芳基、苯基单元或取代的苯基单元；其中每个R和R1在每次出现时相同或不同地为H、氘、叠氮化物(N3-)、F、Cl、Br、I、N(R2)2、CN、CF3、NO2、OH、COOH、COOR2、CO(NR2)2、Si(R2)3、B(OR2)2、C(＝O)R2、P(＝O)(R2)2、S(＝O)R2、S(＝O)2R2、OSO2R2、具有1至40个C原子的直链烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团，或具有2至40个C原子的直链烯基或炔基基团，或具有3至40个C原子的支链或环状烷基、烯基、炔基、烷氧基或硫代烷氧基基团，在各情况下所述基团可以被一个或多个基团R2取代，一个或多个不相邻的CH2基团可以被R2C＝CR2、C≡C、Si(R2)2、Ge(R2)2、Sn(R2)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR2、P(＝O)(R2)、SO、SO2、NR2、O、S或CONR2代替，并且一个或多个H原子可以被氘、F、Cl、Br、I、CN、CF3或NO2代替，或者是具有5至60个芳族环原子的芳族或杂芳族环体系，所述环体系可以在各情况下被一个或多个基团R2取代，或者是具有5至60个芳族环原子的芳氧基或杂芳氧基基团，所述基团可以被一个或多个基团R2取代，或者是具有10至40个芳族环原子的二芳基氨基、二杂芳基氨基或芳基杂芳基氨基基团，所述基团可以被一个或多个基团R2取代，或者是这些体系的组合，或是可交联单元QE，所述可交联单元QE可以在存在或不存在光引发剂的情况下通过酸催化、热或UV交联方法或者通过微波辐射交联；这些取代基R和R1中的两个或更多个可以彼此形成单环或多环、脂族、芳族和/或苯并稠合的环体系；R2，在每次出现时相同或不同地为H、氘、F、Cl、Br、I、N(R3)2、CN、CF3、NO2、OH、COOH、COOR3、CO(NR3)2、Si(R3)3、B(OR3)2、C(＝O)R3、P(＝O)(R3)2、S(＝O)R3、S(＝O)2R3、OSO2R3，具有1至40个C原子的直链烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团，或具有2至40个C原子的直链烯基或炔基基团，或具有3至40个C原子的支链或环状烷基、烯基、炔基、烷氧基或硫代烷氧基基团，在各情况下所述基团可以被一个或多个基团R3取代，一个或多个不相邻的CH2基团可以被R3C＝CR3、C≡C、Si(R3)2、Ge(R3)2、Sn(R3)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR3、P(＝O)(R3)、SO、SO2、NR3、O、S或CONR3代替，并且一个或多个H原子可以被氘、F、Cl、Br、I、CN、CF3或NO2代替，或者是具有5至60个芳族环原子的芳族或杂芳族环体系，所述环体系可以在各情况下被一个或多个基团R3取代，或者是具有5至60个芳族环原子的芳氧基或杂芳氧基基团，所述基团可以被一个或多个基团R3取代，或者是具有10至40个芳族环原子的二芳基氨基、二杂芳基氨基或芳基杂芳基氨基基团，所述基团可以被一个或多个基团R3取代，或者是这些体系的组合；这些取代基R2中的两个或更多个可以彼此形成单环或多环、脂族、芳族和/或苯并稠合的环体系；R3，在每次出现时相同或不同地为H，氘，F，CF3或者具有1至20个C原子的脂族、芳族和/或杂芳族烃基，其中一个或多个H原子也可以被F或CF3代替；两个或更多个取代基R3可以彼此形成单环或多环、脂族环体系；R'＝选自由以下组成的组：H，N(R4)2，OR4，具有1至40个C原子的直链烷基或烷氧...

【专利技术属性】
技术研发人员：M·丹茨，D·辛克，
申请(专利权)人：西诺拉股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE