用于光电器件的有机分子制造技术

本发明专利技术涉及一种特别用于光电器件中的有机分子。根据本发明专利技术，有机分子具有式I的结构：

【技术实现步骤摘要】
用于光电器件的有机分子本专利技术涉及有机发光分子及其在有机发光二极管(OLED)和其他光电器件中的用途。描述本专利技术的目的在于提供适用于光电器件的分子。该目的通过本专利技术实现，本专利技术提供了一类新的有机分子。根据本专利技术，所述有机分子为纯有机分子，即与已知用于光电器件的金属配合物相比，它们不含任何金属离子。然而，本专利技术的有机分子包含类金属，特别是B、Si、Sn、Se和/或Ge。根据本专利技术，所述有机分子在蓝色、天蓝色或绿色光谱范围内表现出发射最大值。特别地，所述有机分子在420nm至520nm之间、优选440nm至495nm之间、更优选450nm至470nm之间表现出最大发射。特别地，根据本专利技术的有机分子的光致发光量子产率为50％或更高。在光电器件例如有机发光二极管(OLED)中使用根据本专利技术的分子会导致器件更高的效率或更高的色纯度——以发射的半峰全宽(FWHM)表示。相应的OLED具有比具有已知发射体材料和相当颜色的OLED更高的稳定性。根据本专利技术的有机发光分子包含式I的结构或由式I的结构组成，其中m为1至2的整数(即，为1或2)；n为0至4的整数(即，为0、1、2、3或4)；o为0至2的整数(即，为0、1或2)；(m+n+o)为1至5的整数(即，为1、2、3、4或5)；X选自氢、CN和CF3；ArEWG在每次出现时独立于彼此地选自式IIa至式IIo：其中#标记式1中所示键合ArEWG与苯环的单键的结合位置。Ra和Rb独立于彼此地选自氢；氘；C1-C5-烷基；C2-C8-烯基；C2-C8-炔基；和C6-C18-芳基，其任选被一个或多个取代基Rm所取代。Rc在每次出现时独立于彼此地选自氢；氘；N(Rm)2；ORm；Si(Rm)3；B(ORm)2；OSO2Rm；CF3；CN；F；Br；I；C1-C40-烷基，其任选被一个或多个取代基Rm所取代并且其中一个或多个不相邻的CH2-基团任选被RmC＝CRm、C≡C、Si(Rm)2、Ge(Rm)2、Sn(Rm)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRm、P(＝O)(Rm)、SO、SO2、NRm、O、S或CONRm所取代；C1-C40-烷氧基，其任选被一个或多个取代基Rm所取代并且其中一个或多个不相邻的CH2-基团任选被RmC＝CRm、C≡C、Si(Rm)2、Ge(Rm)2、Sn(Rm)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRm、P(＝O)(Rm)、SO、SO2、NRm、O、S或CONRm所取代；C1-C40-硫代烷氧基，其任选被一个或多个取代基Rm所取代并且其中一个或多个不相邻的CH2-基团任选被RmC＝CRm、C≡C、Si(Rm)2、Ge(Rm)2、Sn(Rm)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRm、P(＝O)(Rm)、SO、SO2、NRm、O、S或CONRm所取代；C2-C40-烯基，其任选被一个或多个取代基Rm所取代并且其中一个或多个不相邻的CH2-基团任选被RmC＝CRm、C≡C、Si(Rm)2、Ge(Rm)2、Sn(Rm)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRm、P(＝O)(Rm)、SO、SO2、NRm、O、S或CONRm所取代；C2-C40-炔基，其任选被一个或多个取代基Rm所取代并且其中一个或多个不相邻的CH2-基团任选被RmC＝CRm、C≡C、Si(Rm)2、Ge(Rm)2、Sn(Rm)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRm、P(＝O)(Rm)、SO、SO2、NRm、O、S或CONRm所取代；C6-C60-芳基，其任选被一个或多个取代基Rm所取代；和C3-C57-杂芳基，其任选被一个或多个取代基Rm所取代。R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9和R10独立于彼此地选自：氢；氘；N(Rm)2；ORm；SRm；Si(Rm)3；B(ORm)2；OSO2Rm；CF3；CN；卤素；C1-C40-烷基，其任选被一个或多个取代基Rm所取代；并且其中一个或多个不相邻的CH2-基团任选被RmC＝CRm、C≡C、Si(Rm)2、Ge(Rm)2、Sn(Rm)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRm、P(＝O)(Rm)、SO、SO2、NRm、O、S或CONRm所取代；C1-C40-烷氧基，其任选被一个或多个取代基Rm所取代；并且其中一个或多个不相邻的CH2-基团任选被RmC＝CRm、C≡C、Si(Rm)2、Ge(Rm)2、Sn(Rm)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRm、P(＝O)(Rm)、SO、SO2、NRm、O、S或CONRm所取代；C1-C40-硫代烷氧基，其任选被一个或多个取代基Rm所取代；并且其中一个或多个不相邻的CH2-基团任选被RmC＝CRm、C≡C、Si(Rm)2、Ge(Rm)2、Sn(Rm)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRm、P(＝O)(Rm)、SO、SO2、NRm、O、S或CONRm所取代；C2-C40-烯基，其任选被一个或多个取代基Rm所取代；并且其中一个或多个不相邻的CH2-基团任选被RmC＝CRm、C≡C、Si(Rm)2、Ge(Rm)2、Sn(Rm)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRm、P(＝O)(Rm)、SO、SO2、NRm、O、S或CONRm所取代；C2-C40-炔基，其任选被一个或多个取代基Rm所取代；并且其中一个或多个不相邻的CH2-基团任选被RmC＝CRm、C≡C、Si(Rm)2、Ge(Rm)2、Sn(Rm)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRm、P(＝O)(Rm)、SO、SO2、NRm、O、S或CONRm所取代；C6-C60-芳基，其任选被一个或多个取代基Rm所取代；和C3-C57-杂芳基，其任选被一个或多个取代基Rm所取代。任选地，R4为与RX的直接键以形成单环或多环、脂族、芳族和/或苯并稠合环体系，并且任选地，RX与R4形成单环或多环、脂族、芳族和/或苯并稠合环体系。任选地，R7为与RY的直接键以形成单环或多环、脂族、芳族和/或苯并稠合环体系；并且任选地，RY与R7形成单环或多环、脂族、芳族和/或苯并稠合环体系。R11和R12独立于彼此地选自：氢；氘；C1-C5-烷基；C2-C8-烯基；C2-C8-炔基；C6-C18-芳基，其任选被一个或多个选自C1-C5-烷基和C6-C18-芳基的取代基所取代；和C3-C12-杂芳基，其任选被一个或多个选自C1-C5-烷基和C6-C18-芳基的取代基所取代。R13选自：氢；氘；C1-C5-烷基；C2-C8-烯基；C2-C8-炔基；和C6-C18-芳基本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种有机分子，所述有机分子包含式I的结构：/n

【技术特征摘要】
20190711 EP 19185839.81.一种有机分子，所述有机分子包含式I的结构：



其中
m为1至2的整数；
n为0至4的整数；
o为0至2的整数；
m+n+o的和为1至5的整数；
X选自氢、CN和CF3；
ArEWG在每次出现时独立于彼此地选自式IIa至IIo：






其中#标记式1中所示键合ArEWG到苯环的单键的结合位置；
Ra和Rb独立于彼此地选自
氢；氘；
C1-C5-烷基；
C2-C8-烯基；
C2-C8-炔基；和
C6-C18-芳基，
其任选被一个或多个取代基Rm所取代；
Rc在每次出现时独立于彼此地选自
氢；氘；N(Rm)2；ORm；Si(Rm)3；B(ORm)2；OSO2Rm；CF3；CN；F；Br；I；
C1-C40-烷基，
其任选被一个或多个取代基Rm所取代并且其中一个或多个不相邻的CH2-基团任选被RmC＝CRm、C≡C、Si(Rm)2、Ge(Rm)2、Sn(Rm)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRm、P(＝O)(Rm)、SO、SO2、NRm、O、S或CONRm所取代；
C1-C40-烷氧基，
其任选被一个或多个取代基Rm所取代并且其中一个或多个不相邻的CH2-基团任选被RmC＝CRm、C≡C、Si(Rm)2、Ge(Rm)2、Sn(Rm)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRm、P(＝O)(Rm)、SO、SO2、NRm、O、S或CONRm所取代；
C1-C40-硫代烷氧基，
其任选被一个或多个取代基Rm所取代并且其中一个或多个不相邻的CH2-基团任选被RmC＝CRm、C≡C、Si(Rm)2、Ge(Rm)2、Sn(Rm)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRm、P(＝O)(Rm)、SO、SO2、NRm、O、S或CONRm所取代；
C2-C40-烯基，
其任选被一个或多个取代基Rm所取代并且其中一个或多个不相邻的CH2-基团任选被RmC＝CRm、C≡C、Si(Rm)2、Ge(Rm)2、Sn(Rm)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRm、P(＝O)(Rm)、SO、SO2、NRm、O、S或CONRm所取代；
C2-C40-炔基，
其任选被一个或多个取代基Rm所取代并且其中一个或多个不相邻的CH2-基团任选被RmC＝CRm、C≡C、Si(Rm)2、Ge(Rm)2、Sn(Rm)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRm、P(＝O)(Rm)、SO、SO2、NRm、O、S或CONRm所取代；
C6-C60-芳基，
其任选被一个或多个取代基Rm所取代；和
C3-C57-杂芳基，
其任选被一个或多个取代基Rm所取代；
R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9和R10独立于彼此地选自：
氢；氘；N(Rm)2；ORm；SRm；Si(Rm)3；B(ORm)2；OSO2Rm；CF3；CN；卤素；
C1-C40-烷基，
其任选被一个或多个取代基Rm所取代；并且
其中一个或多个不相邻的CH2-基团任选被RmC＝CRm、C≡C、Si(Rm)2、Ge(Rm)2、Sn(Rm)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRm、P(＝O)(Rm)、SO、SO2、NRm、O、S或CONRm所取代；
C1-C40-烷氧基，
其任选被一个或多个取代基Rm所取代；并且
其中一个或多个不相邻的CH2-基团任选被RmC＝CRm、C≡C、Si(Rm)2、Ge(Rm)2、Sn(Rm)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRm、P(＝O)(Rm)、SO、SO2、NRm、O、S或CONRm所取代；
C1-C40-硫代烷氧基，
其任选被一个或多个取代基Rm所取代；并且
其中一个或多个不相邻的CH2-基团任选被RmC＝CRm、C≡C、Si(Rm)2、Ge(Rm)2、Sn(Rm)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRm、P(＝O)(Rm)、SO、SO2、NRm、O、S或CONRm所取代；
C2-C40-烯基，
其任选被一个或多个取代基Rm所取代；并且
其中一个或多个不相邻的CH2-基团任选被RmC＝CRm、C≡C、Si(Rm)2、Ge(Rm)2、Sn(Rm)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRm、P(＝O)(Rm)、SO、SO2、NRm、O、S或CONRm所取代；
C2-C40-炔基，
其任选被一个或多个取代基Rm所取代；并且
其中一个或多个不相邻的CH2-基团任选被RmC＝CRm、C≡C、Si(Rm)2、Ge(Rm)2、Sn(Rm)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRm、P(＝O)(Rm)、SO、SO2、NRm、O、S或CONRm所取代；
C6-C60-芳基，
其任选被一个或多个取代基Rm所取代；和
C3-C57-杂芳基，
其任选被一个或多个取代基Rm所取代；
任选地，R4为与RX的直接键以形成单环或多环、脂族、芳族和/或苯并稠合环体系，并且任选地，RX与R4形成单环或多环、脂族、芳族和/或苯并稠合环体系；
任选地，R7为与RY的直接键以形成单环或多环、脂族、芳族和/或苯并稠合环体系；并且任选地，RY与R7形成单环或多环、脂族、芳族和/或苯并稠合环体系；
R11和R12独立于彼此地选自：氢；氘；
C1-C5-烷基；
C2-C8-烯基；
C2-C8-炔基；
C6-C18-芳基，
其任选被一个或多个选自C1-C5-烷基和C6-C18-芳基的取代基所取代；和
C3-C12-杂芳基，
其任选被一个或多个选自C1-C5-烷基和C6-C18-芳基的取代基所取代；
R13选自：氢；氘；
C1-C5-烷基；

【专利技术属性】
技术研发人员：S·杜克，
申请(专利权)人：西诺拉股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE