用于制造第一电极/有源层/第二电极的叠层的方法技术

本发明专利技术涉及一种用于制造第一电极/有源层/第二电极的叠层的方法，该叠层旨在用于电子器件，尤其是有机光电探测器或有机太阳能电池，所述工艺包括以下步骤：(a)将第一导电材料层(2)沉积在衬底的正面，以形成第一电极；(b)沉积有机半导体薄层形式的有源层(3)，所述层包括不连续区域。所述方法的特征在于，其还包括以下步骤：(d)将薄的树脂层(4)沉积在叠层的与衬底相对的一面，该衬底至少为部分透明的；(e)经由所述衬底的背面(10)来绝缘树脂层(4)；(f)对树脂层进行显影；(g)沉积第二导电材料层(5)，以形成第二导电电极。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于制造第一电极/有源层/第二电极的叠层的方法
本专利技术涉及通常用于电子器件中的导体/薄有机层/导体的叠层。例如，这些器件可以为电流整流二极管、太阳能电池、光电探测器单元、电容器、激光二极管、传感器装置、存储器、晶体管或甚至发光二极管。特别地，这些器件是在柔性塑料衬底上的有机电子器件。更特别地，本专利技术应用于使用在有机太阳能电池或有机光电探测器中的二极管叠层的领域。
技术介绍
在已知的现有技术的器件中，可以观察到漏电流(Courantdefuiteélectrique)出现在应使两个导电电极电绝缘的薄有机层，该层也称为有源层。这些漏电流一方面取决于该有源层的固有性能(尤其是其导电性)、电气陷阱的存在、HOMO-LUMO能级相对于电极功函数的位置或层的形态，另一方面取决于外部参数，例如寄生漏电流。这些寄生电流不受控制。本质上，这些寄生电流源自拓扑缺陷(即孔)，或形态缺陷(即较大自由体积的区域)。这些缺陷是在有源层的形成过程中产生的。因此，有源层中孔的存在可能会导致两个导电电极局部短路。此外，不同形态的区域更容易导致电击穿。有源层中的这些缺陷可能是由于形成层所用的材料造成的，这些材料本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于制造第一电极/有源层/第二电极的叠层的工艺，该叠层旨在用于电子器件，尤其是有机光电探测器或有机太阳能电池，所述工艺包括以下步骤：(a)将第一导电层(2)沉积在衬底的正面，以形成第一电极；以及(b)沉积有源层(3)，其采取薄的有机半导体层的形式，该层包括不连续区域；其特征在于，该工艺还包括以下步骤：(d)将抗蚀剂层(4,7)沉积在叠层的与衬底相对的一侧，该衬底至少为部分透明的；(e)经由所述衬底的背面(10)对抗蚀剂层(4,7)进行曝光；(f)对抗蚀剂层进行显影；(g)沉积第二导电层(5)以形成第二导电电极。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.06.16 FR 15554801.一种用于制造第一电极/有源层/第二电极的叠层的工艺，该叠层旨在用于电子器件，尤其是有机光电探测器或有机太阳能电池，所述工艺包括以下步骤：(a)将第一导电层(2)沉积在衬底的正面，以形成第一电极；以及(b)沉积有源层(3)，其采取薄的有机半导体层的形式，该层包括不连续区域；其特征在于，该工艺还包括以下步骤：(d)将抗蚀剂层(4,7)沉积在叠层的与衬底相对的一侧，该衬底至少为部分透明的；(e)经由所述衬底的背面(10)对抗蚀剂层(4,7)进行曝光；(f)对抗蚀剂层进行显影；(g)沉积第二导电层(5)以形成第二导电电极。2.根据权利要求1所述的工艺，其中，抗蚀剂(4)为负性的，并且步骤(f)导致在不连续区域(30)中形成抗蚀剂垫(40)。3.根据权利要求2所述的工艺，其中，在步骤(b)和步骤(d)之间沉积缓冲层(6)。4.根据权利要求1所述的工艺，其中，抗蚀剂(7)是正性的，步骤(f)导致在抗蚀剂层(7)中、在与不连续区域(30)对齐的位置处形成孔(70)，并且步骤(g)在步骤(b)和步骤...

【专利技术属性】
技术研发人员：JM·韦里亚克，S·夏洛，
申请(专利权)人：原子能和能源替代品委员会，ISORG公司，曲克赛尔股份有限公司，
类型：发明
国别省市：法国,FR