有机薄膜晶体管元件及其制作方法技术

一种有机薄膜晶体管元件及其制造方法，有机薄膜晶体管元件包括：基材、漏极、源极、阻障层、有机半导体层、栅介电层以与栅极。源极位于基材上，具有第一立壁。漏极位于基材上，具有面对第一立壁并且彼此隔离的第二立壁。阻障层位于第一立壁和第二立壁之间，且阻障层的顶面宽度，实质等于第一立壁和第二立壁间的距离。有机半导体层，覆盖于源极、漏极和阻障层上。栅介电层位于有机半导体层上。栅极位于栅介电层上，且藉由栅介电层与有机半导体层电性隔离。

【技术实现步骤摘要】
有机薄膜晶体管元件及其制作方法
本专利技术是有关于一种薄膜晶体管元件及其制作方法。特别是有关于一种有机薄膜晶体管元件及其制作方法。
技术介绍
薄膜晶体管元件目前已被广泛地运用于液晶显示器领域中，随着显示器朝向更轻、更薄、可挠曲的目标发展，以有机材料作为场效晶体管的通道层的有机薄膜晶体管(OrganicThinFilmTransistor，OTFT)，因具有低工艺温度(<200℃)、低成本以及适用于可挠式基板(例如，塑料基板)等特性，已逐渐受到重视。一般而言，有机薄膜晶体管主要可以分为上接触式(top-contact，TC)结构以及下接触式(bottom-contact，BC)结构两种。典型的上接触式结构的形成方法，是先进行有机半导体(OrganicSemiconductor，OSC)层的沉积，之后才进行源极/漏极的沉积与图案化工艺。相反的，下接触式结构的形成方法则是，先进行源极/漏极的沉积与图案化工艺，之后再于源极/漏极上沉积有机半导体层。由于，构成有机半导体层的有机半导体材料相当敏感，容易在源极/漏极的沉积与图案化工艺中受到损害，导致元件失效。因此，为了维持工艺和良率本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机薄膜晶体管元件，其特征在于，包括：一基材；一源极，位于该基材上，具有一第一立壁；一漏极，位于该基材上，具有一第二立壁面对该第一立壁，并且彼此隔离；一阻障层，位于该第一立壁和该第二立壁之间，且该阻障层具有一顶面宽度，实质等于该第一立壁和该第二立壁间的一距离；一有机半导体层，覆盖于该源极、该漏极和该阻障层上；一栅介电层，位于该有机半导体层上；以及一栅极，位于该栅介电层上，且藉由该栅介电层与该有机半导体层电性隔离。

【技术特征摘要】
2017.09.15 TW 1061316921.一种有机薄膜晶体管元件，其特征在于，包括：一基材；一源极，位于该基材上，具有一第一立壁；一漏极，位于该基材上，具有一第二立壁面对该第一立壁，并且彼此隔离；一阻障层，位于该第一立壁和该第二立壁之间，且该阻障层具有一顶面宽度，实质等于该第一立壁和该第二立壁间的一距离；一有机半导体层，覆盖于该源极、该漏极和该阻障层上；一栅介电层，位于该有机半导体层上；以及一栅极，位于该栅介电层上，且藉由该栅介电层与该有机半导体层电性隔离。2.如权利要求1所述的有机薄膜晶体管元件，其特征在于，该源极、该漏极和该阻障层分别具有一顶面，且三者实质共平面。3.如权利要求1所述的有机薄膜晶体管元件，其特征在于，该有机半导体层具有一厚度，且该阻障层与该源极和该漏极至少一者的一顶面断差实质小于该厚度。4.如权利要求3所述的有机薄膜晶体管元件，其特征在于，该阻障层具有高于该源极和该漏极的一顶面。5.如权利要求3所述的有机薄膜晶体管元件，其特征在于，该阻障层具有低于该源极和该漏极的一顶面。6...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴淑芬，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71