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本发明公开了一种纳米复合体晶体管存储器及其制备方法，所述纳米复合体晶体管存储器所述存储器包括一柔性基底、一栅电极、一栅绝缘层、一电荷存储层、一隧穿绝缘层、一半导体层以及一源漏电极。其中所述电荷存储层采用由两种或两种以上材料制备的纳米复合体制...
该专利属于苏州大学所有，仅供学习研究参考，未经过苏州大学授权不得商用。

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