芯片焊盘、半导体装置及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

在本申请说明书中公开的技术涉及能够对以下情况进行抑制的技术，即，在使用接合材料对半导体芯片进行接合时接合材料到达至半导体芯片的上下表面。与在本申请说明书中公开的技术相关的芯片焊盘具有：芯片焊盘基板70；基座状的第1凸部(4、4D)，其形成在芯片焊盘基板的上表面；堤状的第2凸部(71、71A、71B、71D)，其在芯片焊盘基板的上表面处，以在俯视观察时将第1凸部的至少一部分包围的方式形成；以及堤状的第3凸部(72、72A、72B、72D)，其在芯片焊盘基板的上表面处，以在俯视观察时将第2凸部的至少一部分包围的方式形成。

【技术实现步骤摘要】
芯片焊盘、半导体装置及半导体装置的制造方法
在本申请说明书中公开的技术涉及芯片焊盘、半导体装置及半导体装置的制造方法。
技术介绍
近年，针对集成电路(IC)或者大规模集成电路(large－scaleintegration，即，LSI)等，要求高集成化。特别地，以层叠性的提高为目的，要求半导体芯片的薄化。另外，在功率半导体的领域中，为了使能量损耗降低，也在推进半导体芯片的薄化。通常来说，将半导体芯片使用接合材料与引线框架的上表面处的芯片焊盘的上表面接合。或者，将半导体芯片使用接合材料与半导体基板的上表面处的芯片焊盘的上表面接合。专利文献1：日本特开2001－127233号公报如果通过薄化而使半导体芯片的厚度小于或等于例如200μm，则有时接合材料会爬升至半导体芯片的上表面，导致接合材料将半导体芯片的表面电极覆盖。另外，如果通过薄化而使半导体芯片的厚度小于或等于例如200μm，则有时接合材料会到达至半导体芯片的上下表面，由此接合材料将半导体芯片的上下表面间电气短路。
技术实现思路
在本申请说明书中公开的技术就是为了解决如以上所记载的问题而提出的，其涉及下述技术，即，在使用接合材料对半导体芯片本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种芯片焊盘，其具有：芯片焊盘基板；基座状的第1凸部，其形成在所述芯片焊盘基板的上表面；堤状的第2凸部，其在所述芯片焊盘基板的上表面处，以在俯视观察时将所述第1凸部的至少一部分包围的方式形成；以及堤状的第3凸部，其在所述芯片焊盘基板的上表面处，以在俯视观察时将所述第2凸部的至少一部分包围的方式形成。

【技术特征摘要】
2016.10.19 JP 2016-2048751.一种芯片焊盘，其具有：芯片焊盘基板；基座状的第1凸部，其形成在所述芯片焊盘基板的上表面；堤状的第2凸部，其在所述芯片焊盘基板的上表面处，以在俯视观察时将所述第1凸部的至少一部分包围的方式形成；以及堤状的第3凸部，其在所述芯片焊盘基板的上表面处，以在俯视观察时将所述第2凸部的至少一部分包围的方式形成。2.根据权利要求1所述的芯片焊盘，其中，所述第2凸部在其周向上分离地形成多个。3.根据权利要求1或2所述的芯片焊盘，其中，所述第3凸部在其周向上分离地形成多个。4.根据权利要求1至3中任一项所述的芯片焊盘，其中，所述第2凸部以在俯视观察时将所述第1凸部局部地包围的方式形成。5.根据权利要求1至4中任一项所述的芯片焊盘，其中，所述第3凸部以在俯视观察时将所述第2凸部局部地包围的方式形成。6.根据权利要求1至5中任一项所述的芯片焊盘，其中，所述第1凸部的侧面是随着从所述第1凸部的上表面向与所述第1凸部在外周侧相邻的所述芯片焊盘基板的上表面接近而向外侧进行扩展的倾斜形状。7.根据权利要求1至6中任一项所述的芯片焊盘，其中，所述第2凸部的侧面是随着从所述第2凸部的上表面向与所述第2凸部在外周侧相邻的所述芯片焊盘基板的上表面接近而向外侧进行扩展的倾斜形状。8.根据权利要求1至7中任一项所述的芯片焊盘，其中，所述第3凸部的侧面是随着从所述第3凸部的上表面向与所述第3凸部在外周侧相邻的所述芯片焊盘基板的上表面接近而向外侧进行扩展的倾斜形状。9.一种半导体装置，其具有：芯片焊盘；以及半导体芯片，其经由接合材料而配置在所述芯片焊盘的上表面，所述芯片焊盘具有：芯片焊盘基板；基座状的第1凸部，其形成在所述芯片焊盘基板的上表面中的配置所述半导体芯片的区域；堤状的第2凸部，其在所述芯片焊盘基板的上表面处，以在俯视观察时将所述第1凸部的至少一部分包围的...

【专利技术属性】
技术研发人员：作谷和彦，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP