一种多芯片扇出型封装结构及其封装方法技术

本发明专利技术一种多芯片扇出型封装结构及其封装方法，属于半导体封装技术领域。其包括带有A芯片金属凸块的A芯片、布线层、A芯片包覆膜和带有B芯片金属凸块的B芯片、再布线层、B芯片包覆膜，B芯片设置于A芯片垂直上方区域，B芯片外侧区域设置穿孔，填充金属料，A芯片与B芯片通过包覆穿孔填充金属料、布线层、再布线层完成信号互联。所述再布线层上方设置钝化保护层和金属连接件，生成最终的封装体。本发明专利技术提高了产品的可靠性并降低了产品成本。

【技术实现步骤摘要】
一种多芯片扇出型封装结构及其封装方法
本专利技术涉及一种多芯片扇出型封装结构及其封装方法，属于半导体封装

技术介绍
随着电子技术的发展，半导体封装趋于向高密度、多功能、低功耗、小型化的方向发展，为了满足产品愈加复杂的系统功能，多芯片互联集成的封装技术得到了较快的发展。目前主流的多芯片封装方案有如下两种：1.采用SIP封装方案：a.将多个芯片103进行水平并排分布，芯片103通过凸块焊接至基板101（图1-1）；b.将多个芯片103进行垂直堆叠排布，底层芯片103通过凸块焊接至基板，其余芯片103通过打线工艺连接至基板101（图1-2）。通过基板101内部线路实现芯片103与芯片103之间的信号互联，对多个芯片103通过填充料102进行底部填充并通过塑封料104对其进行塑封保护，将此模块整体最终焊接到印刷电路板，来实现产品的互联集成。该方案中需要通过多层的布线转接来实现芯片之间的互联，且基板金属层与介电层厚度较厚，通常存在信号传输延迟的问题；且由于增加了基板来实现芯片间的互联集成，封装成本相对较高。2.采用扇出型互联方案，将多芯片201进行水平并排分布，并使用包覆材料202将本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多芯片扇出型封装结构，其特征在于，其包括正面设置若干个A芯片金属凸块的A芯片、A芯片包覆膜和带有若干个B芯片金属凸块的B芯片、B芯片包覆膜，所述B芯片设置在A芯片的垂直上方区域，所述A芯片有若干个，所述B芯片有若干个；所述A芯片金属凸块一侧设置布线层，所述布线层水平延展并选择性不连续，A芯片通过A芯片金属凸块与布线层连接；所述A芯片包覆膜将A芯片及其A芯片金属凸块、布线层包覆保护，布线层的上表面与A芯片包覆膜的上表面齐平；所述布线层的上表面与A芯片包覆膜的上表面覆盖包覆膜，所述B芯片下方设置装片膜，B芯片通过装片膜完成与包覆膜的固定连接；所述B芯片包覆膜包覆B芯片及其B芯片金属凸块，露出B...

【技术特征摘要】
1.一种多芯片扇出型封装结构，其特征在于，其包括正面设置若干个A芯片金属凸块的A芯片、A芯片包覆膜和带有若干个B芯片金属凸块的B芯片、B芯片包覆膜，所述B芯片设置在A芯片的垂直上方区域，所述A芯片有若干个，所述B芯片有若干个；所述A芯片金属凸块一侧设置布线层，所述布线层水平延展并选择性不连续，A芯片通过A芯片金属凸块与布线层连接；所述A芯片包覆膜将A芯片及其A芯片金属凸块、布线层包覆保护，布线层的上表面与A芯片包覆膜的上表面齐平；所述布线层的上表面与A芯片包覆膜的上表面覆盖包覆膜，所述B芯片下方设置装片膜，B芯片通过装片膜完成与包覆膜的固定连接；所述B芯片包覆膜包覆B芯片及其B芯片金属凸块，露出B芯片金属凸块的顶部；所述B芯片的外侧区域设置包覆穿孔，包覆穿孔的底部直达布线层的上表面，包覆穿孔内填充金属焊料，所述B芯片金属凸块顶部与包覆穿孔填充的金属焊料顶部齐平，所述B芯片包覆膜、B芯片金属凸块与包覆穿孔填充的金属焊料上方设置再布线层，所述再布线层水平延展并选择性不连续，所述A芯片与B芯片通过包覆穿孔内填充的金属焊料、布线层、再布线层完成信号互联；所述再布线层上方设置钝化保护层和金属连接件。2.根据权利要求1所述的多芯片扇出型封装结构，其特征在于，所述A芯片金属凸块材料为Sn或CuSn或CuNiSn或CuNiSnAg。3.根据权利要求1所述的多芯片扇出型封装结构，其特征在于，所述B芯片金属凸块的材料为Cu或CuSn或CuNiSn或CuNiSnAg。4.根据权利要求1所述的多芯片扇出型封装结构，其特征在于，所述B芯片金属凸块的厚度为5～100um。5.根据权利要求1所述的多芯片扇出型封装结构，其特征在于，所述B芯片的厚度为50～200um。6.根据权利要求1所述的多芯片扇出型封装结构，其特征在于，所述包覆穿孔填充的金属焊料的材料为Sn或CuSn或CuSnAg。7.根据权利要求1所述的多芯片扇出型封装结构，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：张爱兵，陈栋，孙超，张黎，陈锦辉，赖志明，
申请(专利权)人：江阴长电先进封装有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32