膜型半导体封装及其制造方法技术

本发明专利技术公开了膜型半导体封装以及制造膜型半导体封装的方法。该膜型半导体封装包括布置在膜基板上的金属引线部分、包括焊垫的半导体芯片以及将金属引线部分连接到半导体芯片的焊垫的凸块。凸块包括：金属柱，布置在焊垫上并且包括第一金属；以及焊接部分，布置在金属柱的整个表面上，接合到金属引线部分并且包括第一金属和不同于第一金属的第二金属。

【技术实现步骤摘要】
膜型半导体封装及其制造方法
专利技术构思涉及膜型半导体封装及其制造方法，和/或涉及利用膜基板的膜型半导体封装及其制造方法。
技术介绍
膜型半导体封装，例如，膜上芯片(COF)半导体封装，通常通过接合布置在半导体芯片的焊垫上的凸块与布置在膜基板上的金属引线部分而制造。随着电子器件的小型化、纤薄、轻重量和高性能的趋势，通常存在于膜型半导体封装中的凸块已经变得越来越精细。因此，当制造膜型半导体封装时，当应用于凸块与金属引线部分之间时，可靠的接合工艺会是有利的。此外，当凸块和金属引线部分被彼此接合时，在凸块被接合到金属引线部分时膜基板的弯曲可以被减小。
技术实现思路
专利技术构思涉及能够减小膜基板的弯曲并且更可靠地将凸块和金属引线部分彼此接合的膜型半导体封装。专利技术构思涉及制造膜型半导体封装的方法。根据专利技术构思的一示例实施方式，膜型半导体封装包括布置在膜基板上的金属引线部分、包括焊垫的半导体芯片、以及连接金属引线部分与半导体芯片的焊垫的凸块。凸块可以包括：金属柱，布置在焊垫上并且包括第一金属；以及焊接部分，在金属柱的整个表面上，接合到金属引线部分并且包括第一金属和不同于第一金属的第二金属。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种膜型半导体封装，包括：在膜基板上的金属引线部分；包括焊垫的半导体芯片；以及将所述金属引线部分连接到所述半导体芯片的所述焊垫的凸块，所述凸块包括：在所述焊垫上并且包括第一金属的金属柱；以及焊接部分，在所述金属柱的整个表面上，接合到所述金属引线部分，并且包括所述第一金属和不同于所述第一金属的第二金属。

【技术特征摘要】
2016.09.29 KR 10-2016-01255901.一种膜型半导体封装，包括：在膜基板上的金属引线部分；包括焊垫的半导体芯片；以及将所述金属引线部分连接到所述半导体芯片的所述焊垫的凸块，所述凸块包括：在所述焊垫上并且包括第一金属的金属柱；以及焊接部分，在所述金属柱的整个表面上，接合到所述金属引线部分，并且包括所述第一金属和不同于所述第一金属的第二金属。2.如权利要求1所述的膜型半导体封装，其中所述金属引线部分包括金属引线和保护所述金属引线的表面的引线保护层。3.如权利要求2所述的膜型半导体封装，其中：所述金属引线包括铜层，并且所述引线保护层包括锡层。4.如权利要求1所述的膜型半导体封装，其中所述金属柱包括金层或者铜层。5.如权利要求1所述的膜型半导体封装，其中所述焊接部分包括金-锡共晶合金层。6.如权利要求5所述的膜型半导体封装，其中所述金-锡共晶合金层中的锡原子的含量等于或大于25at％并且等于或小于45at％。7.如权利要求1所述的膜型半导体封装，其中所述焊接部分围绕所述金属引线部分的底表面和相反的侧表面。8.如权利要求1所述的膜型半导体封装，还包括：在所述金属柱上的扩散防止层，所述扩散防止层包括不同于所述第一金属和所述第二金属的第三金属。9.如权利要求8所述的膜型半导体封装，其中所述扩散防止层包括镍层。10.一种膜型半导体封装，包括：金属引线部分，从在膜基板的一个侧部分处的外部引线接合部分延伸到内部引线接合部分；包括焊垫的半导体芯片；以及将所述内部引线接合部分的所述金属引线部分连接到所述半导体芯片的所述焊垫的凸块，所述凸块包括：在所述焊垫上并且包括第一金属的金属柱；以及焊接部分，在所述金属柱的整个表面上，接合到所述金属引线部分，并且包括所述第一金属和不同于所述第一金属的第二金属。11.如权利要求10所述的膜型半导体封装，其中所述外部引线接合部分包括接合到图像显示面板或者印刷电路板的连接部分。12.如权利要求10所述的膜型半导体封装，其中：所述金属引线部分包括金属引线和保护所述金属引线的表面的引线保护层，所述金属引线包括铜层，并且所述引线保护层包括锡层。13.如权利要求10所述的膜型半导体封装，其中：所述金属柱包括金层或者铜层，并...

【专利技术属性】
技术研发人员：金正雨，金云培，卢宝仁，G成，朴智镛，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR