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本发明一种多芯片扇出型封装结构及其封装方法，属于半导体封装技术领域。其包括带有A芯片金属凸块的A芯片、布线层、A芯片包覆膜和带有B芯片金属凸块的B芯片、再布线层、B芯片包覆膜，B芯片设置于A芯片垂直上方区域，B芯片外侧区域设置穿孔，填充金属...
该专利属于江阴长电先进封装有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江阴长电先进封装有限公司授权不得商用。

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