扇出信号线区的结构及显示面板制造技术

本发明专利技术提供一种扇出信号线区的结构及显示面板，扇出信号线区包含金属层；绝缘层，形成于所述金属层；以及浮接金属层，形成于所述绝缘层上。多个扇出信号线区是设置于显示面板的周围。本发明专利技术可减少作为信号线的金属层被刮伤或损坏的情形。

【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种扇出信号线区的结构，特别是涉及一种显示面板的扇出信号线区结构。
技术介绍
通常，平板显示器的显示面板包括一显示区域和一外围区域，显示区域为主要显示影像的部份，外围区域具有驱动集成电路(Integrated Circuit, IC)压合区域(BondingArea)和扇出区(Fanout Area),驱动IC压合区域系用以供驱动IC来接合于面板上,扇出区设有复数条导线，并呈扇形分布，用以连接显示区域内的线路与外围区域的驱动电路。一般，在显示面板的制程中，多个显示区域与多个外围区域是先形成于一大型玻璃基板上，接着，再切割此大型玻璃基板，以形成多个显示面板。然而，在此玻璃基板的切割 过程中，扇出区的导线容易被玻璃碎屑所刮伤，而造成短路或断路。再者，由于扇出区的导线是暴露于显示区域的周围，因而扇出区的导线亦容易被不明的异物所刮伤或损伤。因此，扇出区的导线的损伤会大幅地影响显示面板的质量及良率。故，有必要提供一种扇出信号线及显示面板，以解决习知技术所存在的问题。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提供一种扇出信号线区的结构，所述扇出信号线区的结构包含金属层；绝缘层，形成于所述金属层上；以及浮接金属层，形成于所述绝缘层上；其中，所述金属层为多条扇出信号线。本专利技术的另一目的在于提供一种显示面板，所述显示面板包括主动区；多条信号线，配置于所述主动区上；以及多条扇出信号线区，设置于所述主动区的周围，用以连接所述信号线，其中每一所述扇出信号线包括金属层；绝缘层，形成于所述金属层；以及浮接金属层，形成于所述绝缘层上。在本专利技术的一实施例中，所述扇出信号线区结构还包括保护层，其形成于所述浮接金属层上。在本专利技术的一实施例中，所述扇出信号线区结构还包括透明导电层，其形成于所述保护层上。在本专利技术的一实施例中，所述浮接金属层的材料为Al、Mo、Cr、Ta、Ti、Ag、Cu、Nb、Nd、氮化金属或上述任意组合的合金。在本专利技术的一实施例中，所述浮接金属层是被分隔为多段单元。在本专利技术的一实施例中，所述浮接金属层的所述多段单元之间的间隔为大于或等于 I μ m。在本专利技术的一实施例中，所述浮接金属层的每一所述多段单元的线长为大于或等于 10 μ m。本专利技术的扇出信号线区的结构及显示面板可形成浮接金属层于金属层的上方，以保护金属层，因而可减少作为信号线的金属层被刮伤或损坏的情形，进而可改善显示面板的制程良率及质量。为让本专利技术的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作 详细说明如下附图说明图I显示依照本专利技术的第一实施例的显示面板的示意图。图2显示依照本专利技术的第一实施例的扇出信号线区的部分剖面示意图。图3显示依照本专利技术的第二实施例的扇出信号线区的部分剖面示意图。具体实施例方式请参照图1，其显示依照本专利技术的第一实施例的显示面板的示意图。本实施例的扇出信号线区的结构可例如应用于一显示面板100，以延伸或扩散电性路径，此显示面板100可应用于各种不同的显示器上,例如液晶显示器(Liquid Crystal Display, LCD)、有机电致发光显示器(Organic Electro Luminescence Display,OEL)、有机发光二极管显示器(Organic Light Emission Diode Display, 0LED)、发光二极管显不器(Light EmissionDiode Display, LED)、等离子显不面板(Plasma Display Panel, PDP)、场放射显不器(Field Emission Display)、纳米炭管显示器或电子墨水(E_ink)显示器等。在一实施例中，当显示面板100例如为液晶显示面板时，显示面板100可组合背光模块(未绘示)，以形成液晶显示装置。如图I所示,本实施例的显示面板100包括主动区110、多个接合区域(bondingarea) 120、多条信号线130及扇出(Fan-out)信号线区140。显示面板100的基板可为透明基板，例如石英基板、玻璃基板或可挠性基板。这些信号线130可为扫描线或数据线，作为扫描线或数据线的所述些信号线130彼此平行地配置于主动区110上，且所述些扫描线与数据线相互交错地形成此主动区110，用以显示影像，其中主动区110具有多个像素(未绘示)和多个薄膜晶体管(未绘示)。接合区域120是形成于此主动区110的至少一侧(亦即显示面板100的周围区域)，每一接合区域120可具有多个接合垫(未绘示)，用以接合驱动集成电路(Driver IC)，例如数据驱动集成电路和闸极驱动集成电路。如图I所示，本实施例的信号线130例如为多条扫描线或若干条数据线，其平行地配置显示面板100上，并相互交错地形成主动区110。请参照图I和图2，图2显示依照本专利技术的第一实施例的扇出信号线的部分剖面示意图。本实施例的扇出信号线区140的信号线是呈扇形(Fan Configuration)排列，并位于接合区域120和信号线130之间，用以连接于接合区域120的接合垫与信号线130之间，因而可电性连接接合区域120所接合的驱动集成电路及信号线130，而可提供驱动电路的信号至信号线130 (如扫描线与数据线)。在本实施例中，扇出信号线区140的全部或部分绕线方式可例如为直线、弓线、锯齿线或其任意组合。如图2所示，本实施例的扇出信号线区140可包括金属层141、绝缘层142、浮接金属层143、保护层144及透明导电层145。金属层141是形成于显不面板100的基板(玻璃基板或可挠性基板)上，并连接于接合区域120的接合垫与信号线130之间，用以作为多条扇出信号线来传送信号。金属层141的材料例如为Al、Ag、Cu、Mo、Cr、W、Ta、Ti、氮化金属(如氮化钥)或上述任意组合的合金，亦可为具有耐热金属薄膜和低电阻率薄膜的多层结构，例如氮化钥薄膜和铝薄膜的双层结构。绝缘层142是形成于金属层141上，绝缘层142是以绝缘材料所形成，其材料例如为氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)，并例如是以等离子辅助化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD)方式来沉积形成。浮接金属层143是形成于绝缘层142上，且浮接于接合区域120和信号线130之间，亦即浮接金属层143并未连接或接触于接合区域120及信号线130。此浮接金属层143可用以保护金属层141，以减少金属层141被刮伤或损坏的情形。此浮接金属层143的材料例 如包含以下任一 Al、Mo、Cr、Ta、Ti、Ag、Cu、Nb、Nd、氮化金属(如氮化钥)或上述任意组合的合金。保护层144例如是以电衆辅助化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical VaporDeposition,PECVD)方式来形成,其材料例如为氮化娃(SiNx)或氧化娃(SiOx)。透明导电层145是形成于保护层144上，其材料例如为ΙΤ0、ΙΖ0、ΑΖ0、GZ0、TCO或ZnO。值得注意的是，上述浮接金属层143可同时整合于主动区110内的薄膜晶体管的制程中，例如，当形成薄膜晶体管的源极(source)及汲极(drain)时，可同时形成(图案化)浮接金属本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种扇出信号线区的结构，其特征在于：所述扇出信号线区的结构包含：金属层；绝缘层，形成于所述金属层上；以及浮接金属层，形成于所述绝缘层上；其中，所述金属层为多条扇出信号线。

【技术特征摘要】
1.一种扇出信号线区的结构，其特征在于所述扇出信号线区的结构包含 金属层； 绝缘层，形成于所述金属层上；以及 浮接金属层，形成于所述绝缘层上； 其中，所述金属层为多条扇出信号线。2.根据权利要求I所述的扇出信号线区结构，其特征在于还包括保护层，其形成于所述浮接金属层上。3.根据权利要求2所述的扇出信号线区结构，其特征在于还包括透明导电层，其形成于所述保护层上。4.根据权利要求I所述的扇出信号线区结构，其特征在于所述浮接金属层的材料为Al、Mo、Cr、Ta、Ti、Ag、Cu、Nb、Nd、氮化金属或上述任意组合的合金。5.根据权利要求I所述的扇出信号线区结构，其特征在于所述浮接金属层是被分隔为多段单兀。6.根据权利要求5所述的扇出信号线区结构，其特征在于所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄振瑞，陈永福，
申请(专利权)人：瀚宇彩晶股份有限公司，
类型：发明
国别省市：