半导体元件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种半导体元件，用以在不降低器件开关频率和导通压降的情况下，提高高压肖特基二极管的抗浪涌能力。所述半导体元件为沟槽结构；所述沟槽结构的每个沟槽对应一元胞区；所述元胞区具有掺杂P型扩散区。

【技术实现步骤摘要】
半导体元件
本技术涉及电子器件领域，特别是涉及一种具有高浪涌能力的半导体元件。
技术介绍
肖特基二极管是一种以电子为载流子的单极载流子器件，因其具有较低的导通压降和较快的开关频率广泛应用于开关电源和其他要求高速功率开关设备中。目前市场上应用比较广泛的是TMBS(沟槽栅肖特基二极管)。在高压应用领域，由于肖特基二极管是单极载流子器件，器件的体硅电阻率很大，器件导通压降很大，特别是在大电流浪涌条件下，器件很容易因功耗过大而烧毁。相比于快恢复二极管，肖特基二极管具有较低的抗浪涌能力。
技术实现思路
为了克服上述缺陷，本技术要解决的技术问题是提供一种半导体元件，用以在不降低器件开关频率和导通压降的情况下，提高高压肖特基二极管的抗浪涌能力。为解决上述技术问题，本技术提供一种半导体元件，所述半导体元件为沟槽结构；所述沟槽结构的每个沟槽对应一元胞区；所述元胞区具有掺杂P型扩散区。可选地，所述掺杂P型扩散区由掺杂P型区的离子源扩散形成；所述掺杂P型区由注入所述半导体元件的离子源注入形成的。可选地，所述离子源包括BF3和BCl3。可选地，所述掺杂P型区的离子源掺杂浓度大于所述掺杂P型扩散区的离子源掺杂浓度本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体元件，其特征在于，所述半导体元件为沟槽结构，所述半导体元件包括外延层、栅氧化层、多晶硅层和金属层；所述沟槽结构的每个沟槽对应一元胞区；所述元胞区具有掺杂P型扩散区；所述元胞区设置在所述外延层上；所述栅氧化层生长在每个沟槽内；所述多晶硅层淀积在所述栅氧化层上；所述金属层溅射在所述外延层上。

【技术特征摘要】
1.一种半导体元件，其特征在于，所述半导体元件为沟槽结构，所述半导体元件包括外延层、栅氧化层、多晶硅层和金属层；所述沟槽结构的每个沟槽对应一元胞区；所述元胞区具有掺杂P型扩散区；所述元胞区设置在所述外延层上；所述栅氧化层生长在每个沟槽内；所述多晶硅层淀积在所述栅氧化层上；所述金属层溅射在所述外延层上。2.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，所述掺杂P型扩散区由掺杂P型区的离子源扩散形成；所述掺杂P型区由注入所述半导体元件的离子源注入形成的。3.如权利要求2所述的半导体元件，其特征在于，所述离子...

【专利技术属性】
技术研发人员：单亚东，谢刚，张伟，胡丹，
申请(专利权)人：广微集成技术深圳有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44