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本实用新型公开了一种半导体元件，用以在不降低器件开关频率和导通压降的情况下，提高高压肖特基二极管的抗浪涌能力。所述半导体元件为沟槽结构；所述沟槽结构的每个沟槽对应一元胞区；所述元胞区具有掺杂P型扩散区。...
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