一种非晶氧化物薄膜晶体管制造技术
【技术实现步骤摘要】
一种非晶氧化物薄膜晶体管
本技术属于显示器件
，具体涉及一种非晶氧化物薄膜晶体管。
技术介绍
近年来，非晶氧化物薄膜晶体管(TFT)在以有源矩阵驱动液晶显示(AMLCD)、有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)和电子纸(E-paper)为代表的信息显示中起重要作用。非晶氧化物TFT具有较高的迁移率，低制备温度，高均匀性等优点可满足当前显示技术朝大尺寸、高分辨率和柔性等方向发展的要求。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种非晶氧化物薄膜晶体管。本技术目的通过以下技术方案实现：一种非晶氧化物薄膜晶体管，由依次层叠的玻璃基板、Al:Nd薄膜栅极、AlOx:Nd栅极绝缘层、氧化物半导体(STO)薄膜有源层和源/漏电极构成，其中源/漏电极与有源层位于同一层，源/漏电极分布在有源层两端。进一步地，所述Al:Nd薄膜的厚度为100～300nm；所述AlOx:Nd栅极绝缘层的厚度为200～400nm。进一步地，所述Al:Nd的掺杂浓度为1～5at％。进一步地，所述氧化物半导体薄膜厚度为5～30nm。进一步地，所述的氧化物半导体薄膜的材料为STO-5(SiO2:SnO2＝5:95wt％)。本技术的非晶氧化物薄膜晶体管可通过如下方法制备：(1)在玻璃基板上直流磁控溅射Al:Nd薄膜作为栅极，然后在Al:Nd薄膜栅极表面氧化生长AlOx:Nd栅极绝缘层；(2)采用射频磁控溅射在栅绝缘层上沉积氧化物半导体(STO)薄膜，作为TFT的有源层，氧化物半导体薄膜厚度为5～30nm；(3)利用光刻技术在STO薄膜上直流磁控溅射制备源/漏电极；(4)将步骤(3)所得器件在能量密度为20～1...
【技术保护点】
一种非晶氧化物薄膜晶体管，其特征在于：由依次层叠的玻璃基板、Al:Nd薄膜栅极、AlOx:Nd栅极绝缘层、氧化物半导体薄膜有源层和源/漏电极构成，其中源/漏电极与有源层位于同一层，源/漏电极分布在有源层两端。
【技术特征摘要】
1.一种非晶氧化物薄膜晶体管，其特征在于：由依次层叠的玻璃基板、Al:Nd薄膜栅极、AlOx:Nd栅极绝缘层、氧化物半导体薄膜有源层和源/漏电极构成，其中源/漏电极与有源层位于同一层，源/漏电极分布在有源层两端。2.根据权利要求1所述的一种非晶氧化物薄膜晶体管，其特征在于：所述Al:Nd薄膜的厚度为100～300nm；所述AlOx:Nd栅极...
【专利技术属性】
技术研发人员：宁洪龙，刘贤哲，姚日晖，李晓庆，张啸尘，徐苗，王磊，彭俊彪，王晓峰，张紫辰，
申请(专利权)人：华南理工大学，
类型：新型
国别省市：广东,44
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