薄膜晶体管及其制备方法、电子设备技术

本发明专利技术涉及薄膜晶体管及其制备方法、电子设备，该薄膜晶体管包括衬底及设置在衬底上的有源层，所述有源层由至少两层类石墨烯二维半导体材料制作而成。根据本发明专利技术的实施例的薄膜晶体管具有较高的电子迁移率，该TFT具有良好的电学性能。

Thin film transistors and their preparation methods and electronic devices

The invention relates to a thin film transistor, a preparation method and an electronic device. The thin film transistor comprises a substrate and an active layer arranged on the substrate, and the active layer is made of at least two layers of graphene like two-dimensional semiconductor materials. The thin film transistors, according to the embodiment of the present invention, have high electron mobility, and the TFT has good electrical properties.

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管及其制备方法、电子设备
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及薄膜晶体管及其制备方法、电子设备。
技术介绍
薄膜晶体管作为一种功率半导体器件具有广泛应用，例如，可被应用在电视、平面显示器及投影设备等电子产品中，薄膜晶体管的电子迁移率是衡量其性能的重要指标，薄膜晶体管主要包括非晶硅薄膜晶体管、有机薄膜晶体管、低温多晶硅薄膜晶体管等，其中有机薄膜晶体管和低温多晶硅薄膜晶体管是在传统的非晶硅薄膜晶体管基础上进行改进，其具有更大的电子迁移速，因此，对于薄膜晶体管来说如何提高电子迁移是需要解决的问题。
技术实现思路
本专利技术提供薄膜晶体管及其制备方法、电子设备，以解决相关技术中的不足。根据本专利技术实施例的第一方面，提供一种薄膜晶体管，包括：有源层，所述有源层由至少两层类石墨烯二维半导体材料制作而成。可选的，薄膜晶体管还包括衬底、栅极、栅绝缘层、源极和漏极；所述栅极、所述栅绝缘层、所述源极、所述有源层和所述漏极依次层叠设置在所述衬底上。可选的，薄膜晶体管还包括衬底、栅极、栅绝缘层、源极和漏极；所述漏极、所述有源层、所述源极、所述栅绝缘层和所述栅极依次层叠设置在所述衬底上。可选的，薄膜晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：有源层，所述有源层由至少两层类石墨烯二维半导体材料制作而成。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：有源层，所述有源层由至少两层类石墨烯二维半导体材料制作而成。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括衬底、栅极、栅绝缘层、源极和漏极；所述栅极、所述栅绝缘层、所述源极、所述有源层和所述漏极依次层叠设置在所述衬底上。3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括衬底、栅极、栅绝缘层、源极和漏极；所述漏极、所述有源层、所述源极、所述栅绝缘层和所述栅极依次层叠设置在所述衬底上。4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括衬底、栅极、栅绝缘层、源极和漏极；所述栅极、所述栅绝缘层和所述有源层依次设置在所述衬底上；所述源极和所述漏极位于同一层，且间隔设置在所述有源层上。5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括栅极、栅绝缘层、源极和漏极；所述有源层、所述栅绝缘层和所述栅极依次设置在所述衬底上；所述源极和所述漏极位于同一层，且间隔设置于所述有源层和所述栅绝缘层之间。6.根据权利要求1-5任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述类石墨烯二维半导体材料为类石墨烯二维二硫化钼或类石墨烯二维二硫化钨。7...

【专利技术属性】
技术研发人员：李广耀，袁广才，王东方，汪军，王庆贺，刘宁，
申请(专利权)人：合肥鑫晟光电科技有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34