一种薄膜晶体管及显示装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种薄膜晶体管及显示装置，所述薄膜晶体管包括栅极、源极、漏极、有源层和热传输层；其中，热传输层设置于有源层的一侧。本实用新型专利技术中有源层的热量能够通过热传输层迅速传导到周围环境中，避免薄膜晶体管的自热效应影响到正常的工作状态。

【技术实现步骤摘要】
一种薄膜晶体管及显示装置
本技术涉及显示
，特别涉及一种薄膜晶体管及显示装置。
技术介绍
目前薄膜晶体管已广泛应用于液晶显示技术、有机电致发光显示技术以及集成电路等方面，例如作为有源阵列显示装置中像素单元的开关，或者所为阵列基板行驱动的基本单元，形成栅极驱动电路。通过薄膜晶体管制备的显示装置，工艺流程更简单，面板的集成度更高，因此，薄膜晶体管在平板显示技术中发挥重要的作用。本技术的专利技术人在长期的研发中发现，薄膜晶体管一般采用透明的玻璃作为基板，氮化硅或氧化硅材料作为栅绝缘层，有源层设置在基板或栅绝缘层上，由于玻璃、氮化硅和氧化硅的导热率较低，当流过有源层的电流较大时，产生的热量无法通过基板或栅绝缘层快速传导到周围环境中，容易引起薄膜晶体管的自热效应，使薄膜晶体管的工作参数，例如阈值电压、开态电流(Ion)、关态电流(Ioff)和亚阈值摆幅等发生改变，从而影响薄膜晶体管的正常工作状态。
技术实现思路
本技术提供一种薄膜晶体管及显示装置，以解决现有技术中薄膜晶体管的有源层热量无法发散，影响薄膜晶体管的正常工作状态的技术问题。为解决上述技术问题，本技术采用的一个技术方案是提供一种薄膜晶体管，包括：栅极、源极、漏极、有源层和热传输层；其中，所述热传输层设置于所述有源层的一侧。为解决上述技术问题，本技术采用的另一个技术方案是提供一种显示装置，包括如上述的薄膜晶体管。本技术通过在薄膜晶体管的有源层一侧设置热传输层，使得有源层的热量能够迅速传导到周围环境中，避免薄膜晶体管的自热效应影响到正常的工作状态。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图，其中：图1是本技术薄膜晶体管一实施例的结构示意图；图2是图1所示的薄膜晶体管在基板与有源层之间增加热传输层的一实施例的结构示意图；图3是图1所示的薄膜晶体管在有源层与栅绝缘层之间增加热传输层的一实施例的结构示意图；图4是图1所示的薄膜晶体管分别在基板与有源层之间、有源层与栅绝缘层之间增加热传输层的一实施例的结构示意图；图5是本技术薄膜晶体管另一实施例的结构示意图；图6是图5所示的薄膜晶体管在基板与有源层之间增加热传输层的一实施例的结构示意图；图7是图5所示的薄膜晶体管在有源层与栅绝缘层之间增加热传输层的一实施例的结构示意图；图8是图5所示的薄膜晶体管分别在基板与有源层之间、有源层与栅绝缘层之间增加热传输层的一实施例的结构示意图；图9是本技术薄膜晶体管又一实施例的结构示意图；图10是图9所示的薄膜晶体管在有源层远离栅绝缘层一侧增加热传输层的一实施例的结构示意图；图11是图9所示的薄膜晶体管在有源层与栅绝缘层之间增加热传输层的一实施例的结构示意图；图12是图9所示的薄膜晶体管分别在有源层远离栅绝缘层一侧、有源层与栅绝缘层之间增加热传输层的一实施例的结构示意图；图13是本技术薄膜晶体管再一实施例的结构示意图；图14是图13所示的薄膜晶体管在有源层远离栅绝缘层一侧增加热传输层的一实施例的结构示意图；图15是图13所示的薄膜晶体管在有源层与栅绝缘层之间增加热传输层的一实施例的结构示意图；图16是图13所示的薄膜晶体管分别在有源层远离栅绝缘层一侧、有源层与栅绝缘层之间增加热传输层的一实施例的结构示意图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，均属于本技术保护的范围。参见图1，本技术薄膜晶体管一实施例包括：基板101；有源层102，设置于基板101上；源极103和漏极104，设置于有源层102上；栅绝缘层105，设置于有源层102上，且与源极103、漏极104同层设置；其中，源极103和漏极104分别位于栅绝缘层105的两侧，且源极103和漏极104都不与栅绝缘层105接触。栅极106，设置于栅绝缘层105上。其中，栅极106的面积小于等于栅绝缘层105的面积。可选的，基板101和/或栅绝缘层105为导热材料以作为热传输层。当基板101为热传输层时，热传输层位于有源层102远离栅绝缘层105的一侧，栅绝缘层105可以为导热率一般的材料，例如氮化硅或者氧化硅等。当栅绝缘层105为热传输层时，热传输层位于有源层102与栅极106之间，基板101可以为导热率一般的材料，例如玻璃或塑料等。可选的，热传输层可以为绝缘性好且导热率好的材料，例如金刚石、类金刚石、高阻碳化硅、氧化铍陶瓷、氮化硼或氮化铝等。参见图2，是图1所示的薄膜晶体管在基板与有源层之间增加热传输层的一实施例，包括依次设置的基板101、热传输层1071、有源层102、源极103和漏极104、栅绝缘层105、栅极106。其中，栅绝缘层105与源极103、漏极104同层设置，且源极103和漏极104分别位于栅绝缘层105的两侧，源极103和漏极104都不与栅绝缘层105接触。可选的，热传输层1071的面积与有源层102的面积相等，以最大程度接触有源层102，帮助有源层102散热。参见图3，是图1所示的薄膜晶体管在有源层与栅绝缘层之间增加热传输层的一实施例，包括依次设置的基板101、有源层102、源极103和漏极104、热传输层1072、栅绝缘层105、栅极106。其中，热传输层1072与源极103、漏极104同层设置，且源极103和漏极104分别位于热传输层1072的两侧，源极103和漏极104都不与热传输层1072接触。可选的，热传输层1072的面积大于等于栅绝缘层105的面积，以最大程度接触有源层102，帮助有源层102散热。在其他实施例中，源极103和漏极104也可以设置于热传输层1072上，且热传输层1072对应源极103和漏极104的区域为导电材料，使得源极103和漏极104与有源层102电性连接。参见图4，是图1所示的薄膜晶体管分别在基板与有源层之间、有源层与栅绝缘层之间增加热传输层的一实施例，包括依次设置的基板101、第一热传输层1073、有源层102、源极103和漏极104、第二热传输层1074、栅绝缘层105、栅极106。其中，第二热传输层1074与源极103、漏极104同层设置，且源极103和漏极104分别位于第二热传输层1074的两侧，源极103和漏极104都不与第二热传输层1074接触。可选的，第一热传输层1073的面积与有源层102的面积相等，第二热传输层1074的面积大于等于栅绝缘层105的面积，以使得第一热传输层1073和第二热传输层1074最大程度接触有源层102，帮助有源层102散热。本技术通过在薄膜晶体管的有源层一侧设置热传输层，使得有源层的热量能够迅速传导到周围环境中，避免薄膜晶体管的自热效应影响到正常的工作状态。参见图5，本技术薄膜晶体管另一实施例包括：基板201；源极202和漏极203，设置于基板2本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：栅极、源极、漏极、有源层和热传输层；其中，所述热传输层设置于所述有源层的至少一侧。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：栅极、源极、漏极、有源层和热传输层；其中，所述热传输层设置于所述有源层的至少一侧。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括：基板，所述有源层设置于所述基板上；栅绝缘层，设置于所述有源层上；所述源极和漏极设置于所述有源层上且与所述栅绝缘层同层设置，或所述源极和漏极设置于所述基板上且被所述有源层部分覆盖；所述栅极设置于所述栅绝缘层上。3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层设有凹面，所述栅绝缘层设置于所述凹面上且所述栅绝缘层与所述栅极的接触面与所述有源层的边缘顶面对齐。4.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述基板和/或所述栅绝缘层为导热材料以作为所述热传输层。5.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述热传输层设置于所述基板与所述有源...

【专利技术属性】
技术研发人员：王晓，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44