一种用于干法刻蚀硅槽的方法技术
A method for dry etching of silicon groove
A method for dry etching of silicon grooves. It involves the field of semiconductor manufacturing technology. A method of simple operation, clear and orderly process, no need for two cleaning and no \Silicon grass\ produced in the process of dry etching of silicon groove was proposed. The operation is performed according to the following steps: 1), cloth photoresist: according to the position of the preset pattern on the photoresist cloth; 2), the preparation of the mask layer by Ar, CHF3, CF4 on silicon oxide etching a plurality of grooves, forming a mask layer; 3), etching of silicon slot: by Cl2, SF6, Ar in the role of high frequency electric field on silicon physical etching is completed. The invention has the characteristics of simple operation, clear and orderly process step, no two cleaning, high quality of product and good quality of the product.
【技术实现步骤摘要】
一种用于干法刻蚀硅槽的方法
本专利技术涉及半导体制造
技术介绍
硅作为半导体芯片的主要组成部分，其在加工时通常采用NF3、HBR、HE、O2进行干法刻蚀，在刻蚀过程中通过形成溴化聚合物使得刻蚀后的硅槽的侧壁具有一定的倾角。然而，正因为溴化聚合物在产生过程中将不断堆积在硅槽的侧壁上，因此，过多的累积将导致离子将大量聚合物重新溅射在硅的表面上，从而形成大量的“硅草”，造成器件失效，给废品率带来了极大的额外增加。此外，在硅槽的刻蚀过程中，含硅的溴化聚合物将大量附着在加工设备的内壁上，从而使得操作人员需在加工完后对加工设备进行二次清洁，给加工周期以及加工成本均带来了极大的影响。
技术实现思路
本专利技术针对以上问题，提出了一种操作简单、加工步骤清晰有序、无需二次清洁且加工后无“硅草”产生的用于干法刻蚀硅槽的方法。本专利技术的技术方案为：按以下步骤进行操作：1）、布放光刻胶：按预设图案的位置布放光刻胶；2）、制备掩膜层：通过Ar、CHF3、CF4在氧化硅上刻蚀出若干沟槽，形成掩膜层；3）、刻蚀硅槽：通过Cl2、SF6、Ar在高频电场的作用下对硅进行物理性刻蚀；完毕。步...
【技术保护点】
一种用于干法刻蚀硅槽的方法，其特征在于，按以下步骤进行操作：1）、布放光刻胶：按预设图案的位置布放光刻胶；2）、制备掩膜层：通过Ar、CHF3、CF4在氧化硅上刻蚀出若干沟槽，形成掩膜层；3）、刻蚀硅槽：通过Cl2、SF6、Ar在高频电场的作用下对硅进行物理性刻蚀；完毕。
【技术特征摘要】
1.一种用于干法刻蚀硅槽的方法，其特征在于，按以下步骤进行操作：1）、布放光刻胶：按预设图案的位置布放光刻胶；2）、制备掩膜层：通过Ar、CHF3、CF4在氧化硅上刻蚀出若干沟槽，形成掩膜层；3）、刻蚀硅槽：通过Cl2、SF6、Ar在高频电场的作用下对硅进行物...
【专利技术属性】
技术研发人员：付智辉，蒋方圆，丁佳，曹俊，王毅，
申请(专利权)人：扬州扬杰电子科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32
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