一种低温多晶硅器件制作方法及多晶硅层平坦化方法技术

本发明专利技术提供了本发明专利技术的一种低温多晶硅器件多晶硅层平坦化方法，包括：步骤S1、将低温多晶硅器件晶化；步骤S2、在晶化后的低温多晶硅器件不平坦的多晶硅层表面通过涂布工艺形成一层平坦涂布层；步骤S3、对所述平坦涂布层进行固化；步骤S4、将固化后的平坦涂布层及多晶硅突起通过去除工艺进行去除，形成表面平坦的多晶硅层。通过上述方法，可以较好的将粗糙不平坦的多晶硅层表面平坦化，进而降低由于多晶硅层粗糙而引起的破膜、蚀刻不干净、尖端放电的问题，进而提高了低温多晶硅器件生产良率。

【技术实现步骤摘要】
一种低温多晶硅器件制作方法及多晶硅层平坦化方法
本专利技术涉及低温多晶硅器件制作
，特别涉及一种低温多晶硅器件制作方法及多晶硅层平坦化方法。
技术介绍
现有的低温多晶硅器件为结构和电性极其精密的器件，对每层膜的质量要求很高。现有的制程中先用气象沉积方法在SiO2层上沉积一层多晶硅层，然后对器件多晶硅层进行晶化。然而在对多晶硅层晶化过程中，相邻的两个晶粒在长大过程中相互挤压形成突起，晶粒越大或晶界相交在一起的个数越多突起越高，表面粗糙度越大，从而造成后续制程中的破膜，蚀刻不干净，尖端放电的问题，进而造成低温多晶硅器件产品生产良率下降的问题。
技术实现思路
本专利技术旨在至少在一定程度上解决上述技术问题之一或至少提供一种有用的商业选择。为此，本专利技术的一个目的在于提出一种低温多晶硅器件多晶硅层平坦化方法，旨在降低由于多晶硅层粗糙而引起的破膜、蚀刻不干净、尖端放电的问题。本专利技术的一种低温多晶硅器件多晶硅层平坦化方法，包括：步骤S1、将低温多晶硅器件晶化；步骤S2、在晶化后的低温多晶硅器件不平坦的多晶硅层表面通过涂布工艺形成一层平坦涂布层；步骤S3、对所述平坦涂布层进行固化；步骤S4本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低温多晶硅器件多晶硅层平坦化方法，其特征在于，包括：步骤S1、将低温多晶硅器件晶化；步骤S2、在晶化后的低温多晶硅器件不平坦的多晶硅层表面通过涂布工艺形成一层平坦涂布层；步骤S3、对所述平坦涂布层进行固化；步骤S4、将固化后的平坦涂布层及凸起的多晶硅通过去除工艺进行去除，形成表面平坦的多晶硅层。

【技术特征摘要】
1.一种低温多晶硅器件多晶硅层平坦化方法，其特征在于，包括：步骤S1、将低温多晶硅器件晶化；步骤S2、在晶化后的低温多晶硅器件不平坦的多晶硅层表面通过涂布工艺形成一层平坦涂布层；步骤S3、对所述平坦涂布层进行固化；步骤S4、将固化后的平坦涂布层及凸起的多晶硅通过去除工艺进行去除，形成表面平坦的多晶硅层。2.根据权利要求1所述的一种低温多晶硅器件多晶硅层平坦化方法，其特征在于，所述步骤S2中，涂布工艺为PI涂布工艺。3.根据权利要求2所述的一种低温多晶硅器件多晶硅层平坦化方法，其特征在于，所述步骤S2中，所述PI涂布后的有机层为溶胶状态。4.根据权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：张伟彬，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42