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本发明提供了本发明的一种低温多晶硅器件多晶硅层平坦化方法，包括：步骤S1、将低温多晶硅器件晶化；步骤S2、在晶化后的低温多晶硅器件不平坦的多晶硅层表面通过涂布工艺形成一层平坦涂布层；步骤S3、对所述平坦涂布层进行固化；步骤S4、将固化后的平...
该专利属于武汉华星光电半导体显示技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉华星光电半导体显示技术有限公司授权不得商用。

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