一种刻蚀方法技术
A method of etching
The present invention discloses a new dry etching method, an etching layer includes: to be formed on a semiconductor substrate; forming a masking material in the etching layer; dry etching of the masking material and etching layer; a masking layer of lateral etching (parallel to the substrate surface) and treated (vertical and longitudinal moment layer etching substrate the surface) at the same time, through precise control of the ratio of etching rate corresponding tilt angle (the angle between the slope and the slope of the substrate surface). The method can flexibly adjust the slope angle of etching slope in a wide range (0 ~ 90 degrees), especially in the application area of small etching slope angle (<, 20 degrees), which has advantages over conventional etching methods.
【技术实现步骤摘要】
一种刻蚀方法
本专利技术涉及半导体集成电路新型器件制造领域，更具体地说，涉及一种刻蚀方法。
技术介绍
众所周知，薄膜生长是半导体制造中常用的工艺，起伏表面生长薄膜生长台阶覆盖率的提高是薄膜生长工艺的挑战，缓坡有利于提高在有台阶起伏的表面生长的覆盖率。尤其是物理气相沉积(PVD)工艺台阶覆盖能力更是比化学气相沉积(CVD)更低，但是PVD工艺相对CVD工艺有其自身优势：PVD工艺采取物理溅射的方式，原则上生长的薄膜具有和溅射靶材纯度一致的特性，而CVD工艺由于涉及到化学反应，生长出的薄膜不同程度上存在着未完全充分的反应物或者非目标生成的副产物。在某些对材质纯度及性能要求较高的领域，薄膜生长需要PVD的方式，因此，为提高薄膜的覆盖率，台阶处加工成缓坡面十分必要。如图1A所示在半导体衬底100上有金属层200，金属层200上用物理气相沉积(PVD)方法形成有介质层300。因为PVD台阶覆盖率低的特性，无法在侧壁上形成厚度一致的介质覆盖，尤其金属层200相对较厚时，边缘甚至会出现完全覆盖不上的问题，则会影响器件的性能。而如果将台阶加工成缓坡，如图1B所示，则可以让薄膜在台...
【技术保护点】
一种刻蚀方法，包括：在半导体衬底上形成待刻蚀层；在待刻蚀层上形成掩蔽材料；对掩蔽材料和待刻蚀层同时进行干法刻蚀；待刻蚀层的端面倾斜角需求角度为θ，调节掩蔽材料的横向刻蚀速率(ERB)与待刻蚀层的纵向刻蚀速率(ERA)的比值；根据ctanθ＝ERB/ERA调节刻蚀完成后得到的端面倾斜角θ；其中θ为刻蚀完成后待刻蚀层的端面与半导体衬底平面之间的夹角。
【技术特征摘要】
1.一种刻蚀方法，包括：在半导体衬底上形成待刻蚀层；在待刻蚀层上形成掩蔽材料；对掩蔽材料和待刻蚀层同时进行干法刻蚀；待刻蚀层的端面倾斜角需求角度为θ，调节掩蔽材料的横向刻蚀速率(ERB)与待刻蚀层的纵向刻蚀速率(ERA)的比值；根据ctanθ＝ERB/ERA调节刻蚀完成后得到的端面倾斜角θ；其中θ为刻蚀完成后待刻蚀层的端面与半导体衬底平面之间的夹角。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述掩蔽材料为100nm-100μm的光刻胶。3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述待刻蚀层为半导体层。4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述待刻蚀层为金属层。5.根据权利要求4所述的方法，其中，刻蚀气体包括：SF6、CF4和O2。6.根据权利要求5所述的方法，其中，SF6和CF4用于刻蚀所述金属层，其中O2用于刻蚀所述掩蔽材料。7.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：李俊杰，李俊峰，杨清华，刘金彪，贺晓彬，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：北京,11
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