温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种新的干法刻蚀方法，包括：在半导体衬底上形成待刻蚀层；在待刻蚀层上形成掩蔽材料；对掩蔽材料和待刻蚀层进行干法刻蚀；对掩蔽层横向刻蚀(平行于衬底表面)与对待刻层纵向刻蚀(垂直与衬底表面)同时进行，通过精确控制上述两者速率比来获得...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。