一种电子器件制造技术

本实用新型专利技术提供了一种电子器件，所述电子器件可包括具有至少两个沟道层的HEMT。在实施方案中，下半导体层覆盖在下沟道层上，其中所述下半导体层具有为所述下半导体层的总金属含量的至少10％的铝含量。上半导体层覆盖在所述上沟道层上，其中与所述下半导体层相比，所述上半导体层具有更大的铝含量。在另一个实施方案中，电子器件可包括台阶式源电极和漏电极，使得可实现较低的接触电阻。在另外的实施方案中，不同沟道层之间的夹断电压或阈值电压之间的差值的绝对值大于1V，并且允许对于沟道层接通或切断电流而不影响另一个沟道层。

【技术实现步骤摘要】
一种电子器件
本公开涉及电子器件，并且更具体地讲，涉及包括具有至少两个沟道层的高电子迁移率晶体管的电子器件。
技术介绍
高电子迁移率晶体管(HEMT)可具有带有相对低电阻率的二维电子气体(2DEG)，并且这样的电阻率可受到AlGaN阻挡层内铝的量以及AlGaN阻挡层的量的影响。随着Al含量增加，电阻率变低。然而，当Al含量过高时，可产生更多的应变，从而增加晶圆破裂和反压电效应的风险。作为另外一种选择，已经提出了AlN间隔物，但是可能难以获得良好的欧姆接触。
技术实现思路
根据本技术的方面，提供了电子器件，该电子器件包括第一沟道层；覆盖在第一沟道层上的第一半导体层；覆盖在第一半导体层上的第二沟道层；覆盖在第二沟道层上的第二半导体层；覆盖在第一沟道层和第二沟道层的部分的上表面上并与之接触的源电极；以及覆盖在第一沟道层和第二沟道层的不同部分的上表面上并与之接触的漏电极。在实施方案中，第一沟道层为第一GaN沟道层；第一半导体层为第一AlbGa(1-b)N层，其中0.10≤b≤0.30；第二沟道层为第二GaN沟道层；并且第二半导体层为第二AldGa(1-d)N层，其中0.15≤d≤0.35。在另一个实本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子器件，包括：第一沟道层；覆盖在所述第一沟道层上的第一半导体层；覆盖在所述第一半导体层上的第二沟道层；覆盖在所述第二沟道层上的第二半导体层；覆盖在所述第一沟道层和所述第二沟道层的部分的上表面上并与所述上表面接触的源电极；以及覆盖在所述第一沟道层和所述第二沟道层的不同部分的所述上表面上并与所述上表面接触的漏电极。

【技术特征摘要】
2016.06.14 US 15/182,4051.一种电子器件，包括：第一沟道层；覆盖在所述第一沟道层上的第一半导体层；覆盖在所述第一半导体层上的第二沟道层；覆盖在所述第二沟道层上的第二半导体层；覆盖在所述第一沟道层和所述第二沟道层的部分的上表面上并与所述上表面接触的源电极；以及覆盖在所述第一沟道层和所述第二沟道层的不同部分的所述上表面上并与所述上表面接触的漏电极。2.根据权利要求1所述的电子器件，其中：所述第一沟道层为第一GaN沟道层；所述第一半导体层为第一AlbGa(1-b)N层，其中0.10≤b≤0.30；所述第二沟道层为第二GaN沟道层；并且所述第二半导体层为第二AldGa(1-d)N层，其中0.15≤d≤0.35。3.根据权利要求1所述的电子器件，还包括衬底和覆盖在所述衬底上的缓冲层，其中所述缓冲层设置在所述衬底和所述第一沟道层之间。4.根据权利要求3所述的电子器件，其中所述第一沟道层比所述第二沟道层厚，并且具有至多1000nm的厚度。5.根据权利要求1所述的电子器件，还包括：覆盖在所述第二半导体层上的钝化层；以及栅电极，其中所述钝化层的至少一部分设置在所述栅电极和所述第二沟道层之间，其中所述电子器件包括高压晶体管，所述高压晶体管包括所述第一沟道层和所述第二沟道层。6.根据权利要求5所述的电子器件，其中所述钝化层包括：覆盖在所述第二半导体层上的第一绝缘氮化物层；覆盖在所述第一绝缘氮化物层上的III-N层；以及覆盖在所述III-N层上的第二绝缘氮化物层。7.根据权利要求1至6中任一项所述的电子器件，其中：所述第一沟道层具有第一夹断电压；所述第二沟道层具有第二夹断电压；并且所述第一夹断电压和所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：P·莫恩斯，郭嘉，A·萨利，刘春利，
申请(专利权)人：半导体元件工业有限责任公司，
类型：新型
国别省市：美国,US