温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本实用新型提供了一种电子器件，所述电子器件可包括具有至少两个沟道层的HEMT。在实施方案中，下半导体层覆盖在下沟道层上，其中所述下半导体层具有为所述下半导体层的总金属含量的至少10％的铝含量。上半导体层覆盖在所述上沟道层上，其中与所述下半导...
该专利属于半导体元件工业有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过半导体元件工业有限责任公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。