光掩膜版的清洗方法及去胶方法技术

本发明专利技术提供一种光掩膜版的清洗方法及去胶方法，所述光掩膜版的清洗方法至少包括以下步骤：1）使用硫酸及双氧水的混合液对所述光掩膜版进行清洗；2）使用氨水、双氧水及去离子水的混合溶液对所述光掩膜版进行清洗；3）使用超声波对所述光掩膜版进行清洗；4）使用热去离子水对所述光掩膜版进行清洗。本发明专利技术的光掩膜版的清洗方法可以实现对光掩膜版进行有效地清洗，能够去除所述光掩膜版表面残留的光刻胶，保证所述光掩膜版表面的清洁度，从而放宽了对去胶步骤中清洁度的要求，可以在去胶过程中避免氨水的使用。

The cleaning method of photomask plate and the method of degumming

The present invention provides a method for cleaning mask and resist removing method, method of cleaning mask said at least comprises the following steps: 1) using mixture of sulfuric acid and hydrogen peroxide on the mask cleaning; 2) using a mixed solution of ammonia, hydrogen peroxide and deionized water to the mask for cleaning; 3) the use of ultrasonic on the mask cleaning; 4) of the mask were cleaned using hot deionized water. The cleaning method of the invention mask can achieve effective cleaning of the mask, can the photomask photoresist film version of the surface residue removal, ensure the mask surface cleanliness, thereby relaxing the cleanliness requirements to glue step, can avoid ammonia in the use of glue in the process.

【技术实现步骤摘要】
光掩膜版的清洗方法及去胶方法
本专利技术属于半导体制备
，特别是涉及一种光掩膜版的清洗方法及去胶方法。
技术介绍
众所周知，在半导体生产制造过程中，对于化学品的使用十分广泛并且十分依赖，从而使得其对环境的影响也是十分明显，这是我们不想看到的。在国家“十三五”规划中，生态环境质量总体改善已经被列为主要目标，主要污染物排放总量大幅减少则是生态环境质量总体改善目标中的主要内容。并且在国家对于生产企业氨氮排放要求的基础下，去除或减少氨水的使用成为我们主动或被动的义务。在现有的去胶过程中，通常使用硫酸和双氧水按照一定比例混合，然后通过摇臂将其喷淋在经过蚀刻仍带光阻的光掩模版上达到去除光阻的作用。在此之后，部分光阻有机物残渣和部分化学品以及环境中的颗粒依旧会残存在光掩模版表面。然后再经过SC-1，将这部分光阻有机物残渣和表面颗粒进行去除。从而在之后的图形检查过程中，得过较好的效果。在光掩模去胶过程中，SC-1是去除光掩模版表面颗粒的重要清洗液。其化学品组成为氨水、双氧水及去离子水，在其按照一定比例的混合下对于光掩模表面颗粒的去除十分明显。然而，在去胶过程中，氨水的大量使用并不能有效回收，从本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光掩膜版的清洗方法，适于对去胶处理后的光掩膜版进行清洗，其特征在于，所述光掩膜版的清洗方法至少包括以下步骤：1)使用硫酸及双氧水的混合液对所述光掩膜版进行清洗；2)使用氨水、双氧水及去离子水的混合溶液对所述光掩膜版进行清洗；3)使用超声波对所述光掩膜版进行清洗；4)使用热去离子水对所述光掩膜版进行清洗。

【技术特征摘要】
1.一种光掩膜版的清洗方法，适于对去胶处理后的光掩膜版进行清洗，其特征在于，所述光掩膜版的清洗方法至少包括以下步骤：1)使用硫酸及双氧水的混合液对所述光掩膜版进行清洗；2)使用氨水、双氧水及去离子水的混合溶液对所述光掩膜版进行清洗；3)使用超声波对所述光掩膜版进行清洗；4)使用热去离子水对所述光掩膜版进行清洗。2.根据权利要求1所述的光掩膜版的清洗方法，其特征在于：步骤1)中，所述硫酸及双氧水的混合液中硫酸与双氧水的体积比为1：1～5：1。3.根据权利要求2所述的光掩膜版的清洗方法，其特征在于：所述硫酸及双氧水的混合液中硫酸与双氧水的体积比为3：1。4.根据权利要求1所述的光掩膜版的清洗方法，其特征在于：步骤1)中，使用硫酸及双氧水的混合液对所述光掩膜版进行清洗的温度为90℃～110℃。5.根据权利要求1所述的光掩膜版的清洗方法，其特征在于：步骤2)中，所述氨水、双氧水及去离子水的混合溶液中氨水、双氧水及去离子水的体积比为1：2：10。6.根据权利要求1所述的光掩膜版的清洗方法，其特征在于：...

【专利技术属性】
技术研发人员：马志平，成立炯，
申请(专利权)人：上海凸版光掩模有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31