用于掩模版多线宽均匀性检测的图形结构制造技术

本实用新型专利技术提供一种用于掩模版多线宽均匀性检测的图形结构，其在图形掩模层中设置检测单元，检测单元包括相邻排布的遮光区域和透光区域，遮光区域内设置有透光图形，透光区域内设置有遮光图形，透光图形包括线宽依次递增的透光矩形以形成透光宝塔图形，遮光图形包括线宽依次递增的遮光矩形以形成遮光宝塔图形。在检测过程中，只需通过对相邻排布的透光宝塔图形和遮光宝塔图形的检测，就可以同时对掩模版上多个不同线宽的透光区域和多个不同线宽遮光区域同时进行相应线宽的检测，大大节省了掩模版线宽检测的时间，并大大减低了检测的工艺难度。艺难度。艺难度。

【技术实现步骤摘要】
用于掩模版多线宽均匀性检测的图形结构


[0001]本技术半导体集成电路制造领域，特别是涉及一种用于掩模版多线宽均匀性检测的图形结构。

技术介绍

[0002]光刻技术伴随集成电路制造方法的不断进步，线宽的不断缩小，半导体器件的面积正变得越来越小，半导体的布局己经从普通的单一功能分离器件，演变成整合高密度多功能的集成电路；由最初的IC(集成电路)随后到LSI(大规模集成电路)，VLSI(超大规模集成电路)，直至今天的ULSI(特大规模集成电路)，器件的面积进一步缩小。考虑到工艺研发的复杂性，长期性和成本高昂等不利因素的制约，如何在现有技术水平的基础上进一步提高器件的集成密度，以在同一硅片上得到尽可能多的有效的芯片数，从而提高整体利益，将越来越受到芯片制造者的重视。其中光刻设备、工艺及光掩模技术是其中的重中之重。
[0003]线宽是光掩模的一个重要指标。在光掩模的制造过程中，需要对整个光掩模工艺处理后图形线宽的均匀性进行检测，由于图形复杂性较高，若对每个图形都进行检测，则需要耗费大量的时间和成本。
[0004]应该注意，上面对技术背景的介绍只是为了方便对本申请的技术方案进行清楚、完整的说明，并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本申请的
技术介绍
部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。

技术实现思路

[0005]鉴于以上所述现有技术的缺点，本技术的目的在于提供一种用于掩模版多线宽均匀性检测的图形结构，用于解决现有技术中图形线宽的均匀性检测较为困难的问题。
>[0006]为实现上述目的及其他相关目的，本技术提供一种用于掩模版多线宽均匀性检测的图形结构，所述图形结构包括：透光基板；图形掩模层，所述图形掩模层包括检测单元，所述检测单元包括相邻排布的遮光区域和透光区域，所述遮光区域内设置有透光图形，所述透光区域内设置有遮光图形，所述透光图形包括线宽依次递增的透光矩形以形成透光宝塔图形，所述遮光图形包括线宽依次递增的遮光矩形以形成遮光宝塔图形。
[0007]可选地，相邻两个所述透光矩形的线宽差为0.4～1.5微米。
[0008]可选地，所述透光宝塔图形包括4个相连且线宽依次递增的透光矩形，所述遮光宝塔图形包括4个相连且线宽依次递增的遮光矩形。
[0009]可选地，4个所述透光矩形的线宽分别为0.4～0.6微米、0.8～1.2微米、1.8～2.2微米和 2.5～3.5微米，4个所述遮光矩形的线宽分别为0.4～0.6微米、0.8～1.2微米、1.8～2.2微米和 2.5～3.5微米。
[0010]可选地，所述透光宝塔图形中每个所述透光矩形的高度为20～50微米，所述遮光宝塔图形中每个所述遮光矩形的高度为20～50微米。
[0011]可选地，所述图形掩模层包括多个所述检测单元，多个所述检测单元等间距设置
于所述图形掩模层上。
[0012]可选地，多个所述检测单元分别布局于所述图形掩模层的上部中央、下部中央、中部、左部中央和右部中央。
[0013]可选地，多个所述检测单元呈矩形阵列布局于所述图形掩模层上。
[0014]可选地，透光基板的尺寸为5英寸或6英寸。
[0015]可选地，所述透光基板包括石英基板，所述图形掩模层包括铬层、氧化铬层和氮化铬层中的一种。
[0016]如上所述，本技术的用于掩模版多线宽均匀性检测的图形结构，具有以下有益效果：
[0017]本技术提供一种用于掩模版多线宽均匀性检测的图形结构，其在图形掩模层中设置检测单元，所述检测单元包括相邻排布的遮光区域和透光区域，所述遮光区域内设置有透光图形，所述透光区域内设置有遮光图形，所述透光图形包括线宽依次递增的透光矩形以形成透光宝塔图形，所述遮光图形包括线宽依次递增的遮光矩形以形成遮光宝塔图形。在检测过程中，只需通过对相邻排布的透光宝塔图形和遮光宝塔图形的检测，就可以同时对掩模版上多个不同线宽的透光区域和多个不同线宽遮光区域同时进行相应线宽的检测，大大节省了掩模版线宽检测的时间，并大大减低了检测的工艺难度。
附图说明
[0018]所包括的附图用来提供对本申请实施例的进一步的理解，其构成了说明书的一部分，用于说明本申请的实施方式，并与文字描述一起来阐释本申请的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例。
[0019]图1显示为本技术的用于掩模版多线宽均匀性检测的图形结构的结构示意图。
[0020]图2显示为本技术的用于掩模版多线宽均匀性检测的图形结构的检测单元分布示意图。
[0021]元件标号说明
[0022]1ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
检测单元
[0023]10
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遮光区域
[0024]101
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透光图形
[0025]1011
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透光矩形
[0026]20
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透光区域
[0027]201
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遮光图形
[0028]2011
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遮光矩形
[0029]3ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
掩模版
具体实施方式
[0030]以下通过特定的具体实例说明本技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本技术的其他优点与功效。本技术还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应
用，在没有背离本技术的精神下进行各种修饰或改变。
[0031]应该强调，术语“包括/包含”在本文使用时指特征、整件、步骤或组件的存在，但并不排除一个或更多个其它特征、整件、步骤或组件的存在或附加。
[0032]针对一种实施方式描述和/或示出的特征可以以相同或类似的方式在一个或更多个其它实施方式中使用，与其它实施方式中的特征相组合，或替代其它实施方式中的特征。
[0033]如在详述本技术实施例时，为便于说明，表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本技术保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。
[0034]为了方便描述，此处可能使用诸如“之下”、“下方”、“低于”、“下面”、“上方”、“上”等的空间关系词语来描述附图中所示的一个元件或特征与其他元件或特征的关系。将理解到，这些空间关系词语意图包含使用中或操作中的器件的、除了附图中描绘的方向之外的其他方向。此外，当一层被称为在两层“之间”时，它可以是所述两层之间仅有的层，或者也可以存在一个或多本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于掩模版多线宽均匀性检测的图形结构，其特征在于，所述图形结构包括：透光基板；图形掩模层，所述图形掩模层包括检测单元，所述检测单元包括相邻排布的遮光区域和透光区域，所述遮光区域内设置有透光图形，所述透光区域内设置有遮光图形，所述透光图形包括线宽依次递增的透光矩形以形成透光宝塔图形，所述遮光图形包括线宽依次递增的遮光矩形以形成遮光宝塔图形。2.根据权利要求1所述的用于掩模版多线宽均匀性检测的图形结构，其特征在于：相邻两个所述透光矩形的线宽差为0.4～1.5微米。3.根据权利要求1所述的用于掩模版多线宽均匀性检测的图形结构，其特征在于：所述透光宝塔图形包括4个相连且线宽依次递增的透光矩形，所述遮光宝塔图形包括4个相连且线宽依次递增的遮光矩形。4.根据权利要求3所述的用于掩模版多线宽均匀性检测的图形结构，其特征在于：4个所述透光矩形的线宽分别为0.4～0.6微米、0.8～1.2微米、1.8～2.2微米和2.5～3.5微米，4个所述遮光矩形的线宽分别为0.4～0.6微米、0.8～1.2微米、1.8～2.2微米和...

【专利技术属性】
技术研发人员：王国荃，
申请(专利权)人：上海凸版光掩模有限公司，
类型：新型
国别省市：